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MOS2薄膜合成的最新进展用于传感，光伏和等离子应用：评论
摘要：在石墨烯兴起后2D材料的最新成功的激增中，由于其独特的纳米级特性的结合，钼（2D-MOS 2）（2D-MOS 2）一直在基本和应用的视点中引起人们的注意。例如，2D-MOS 2的带隙从直接（以批量形式）变为超薄纤维（几层）的间接（几层），为光电子学中的各种应用提供了新的前景。在这篇综述中，我们介绍了2D-MOS 2薄膜的合成和表征范围的最新科学进步，同时着重强调了它们在能量收集，气体传感和等离子设备中的某些应用。对2D-MOS 2的物理和化学处理途径的调查首先提出，然后详细描述并列出了用于研究其有趣的光学特性的MOS 2纳米材料以及理论模拟的最相关特征技术。最后，讨论了与高质量合成和相当可控制的MOS 2薄膜有关的挑战，并将其整合到新型功能设备中。
利用紧凑型 MoS 2 纳米层实现卓越的体积海水淡化能力
1000 mV s −1，电荷转移电阻更低，电化学活性表面积比 2H-MoS 2 电极高出近十倍。此外，1T ʹ -MoS 2 电极在 CDI 实验中表现出 65.1 mg NaCl cm −3 的出色体积脱盐容量。原位 X 射线衍射 (XRD) 表明，阳离子存储机制随着 1T ʹ -MoS 2 中间层的动态扩展而发生，以容纳 Na + 、K + 、Ca 2 + 和 Mg 2 + 等阳离子，从而提高了容量。理论分析表明，1T ʹ 相在热力学上优于 2H 相，离子水合和通道限制在增强离子吸附中也起着关键作用。总的来说，这项工作为设计具有高体积性能的紧凑型二维层状纳米层提供了一种新方法，用于 CDI 海水淡化。
MOS2改善了2型糖尿病中胰腺β细胞的功能
近年来，已经报道了某些钼衍生物（例如二硫化钼）的抗癌和干细胞分化特性（MOS 2）。糖尿病作为一种慢性代谢疾病的症状，例如由于β细胞破坏而导致的胰岛素分泌不足或胰岛素功能障碍。每种当前糖尿病治疗方法都有局限性。在本研究中，研究了MOS 2-PEG对糖尿病RIN-5Fβ细胞中葡萄糖代谢的基因表达的影响，涉及葡萄糖代谢的基因的表达以及胰岛素分泌。合成的MOS 2 -PEG纳米片用于MOS 2对STZ诱导的RIN -5F细胞的可能影响。MTT分析，RT-PCR和激素分析用于研究MOS 2的抗毒性效应及其在改善糖尿病RIN-5F细胞功能中的作用。结果表明，在本研究中使用的剂量时，MOS 2是生物相容性的，无毒，并且显着增加了参与葡萄糖代谢以及抗凋亡基因BCl 2中GLUT4，GCK和INS基因在糖尿病RIN-5F细胞中的表达。此外，用MOS 2治疗增加了糖尿病RIN-5F细胞中胰岛素分泌。可以得出结论，MOS 2 -PEG代表了在糖尿病细胞中的保护作用，并显着改善了糖尿病细胞小鼠模型的治疗。这些结果表明，胰腺受损细胞中葡萄糖代谢涉及的表达基因增加。
超分子工程 Janus 2D MoS2 中的光电化学突触记忆
将多种独立的信号处理策略结合在单个设备中的人工突触是实现类脑计算中高密度集成、能源效率和快速数据处理的关键因素。通过控制功能复杂性，在突触装置中使用由多种材料组成的混合物作为活性成分代表了在突触回路中编码短期增强 (STP) 和长期增强 (LTP) 的有效途径。为了应对这一巨大挑战，本文开发了一种新型 Janus 2D 材料，通过在 2D 二硫化钼 (MoS 2 ) 的两个表面上不对称地涂覆电化学可切换的二茂铁 (Fc)/二茂铁 (Fc + ) 氧化还原对和光响应的光致变色偶氮苯 (Azo) 来制备。通过改变电化学刺激的强度，可以控制 STP 和 LTP 之间的转变，从而触发 MoS 2 上 Fc/Fc + 对的电化学掺杂或控制此类氧化还原物质在 MoS 2 上的吸附/解吸过程。此外，通过激活偶氮苯化学吸附分子的光异构化并因此调节 2D 半导体的偶极子诱导掺杂，可以记录较低强度的 LTP。值得注意的是，电化学和光学刺激的相互作用使得构建人工突触成为可能，其中 LTP 可以提升到 4 位（16 个记忆状态），同时用作 STP。
基于 MoS2/PdSe2 异质结构和电荷陷阱栅极堆栈的可重构偏振光电探测器
1 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190；baiqinghu@iphy.ac.cn (QB)；yangguo@aphy.iphy.ac.cn (YG)；azjin@iphy.ac.cn (AJ)；quanbaogang@iphy.ac.cn (BQ)；hfyang@iphy.ac.cn (HY)；blliu@iphy.ac.cn (BL) 2 中国科学院大学物理学院，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190 3 松山湖材料实验室，东莞 523808；liangqijie@sslab.org.cn 4 深圳大学射频异质集成国家重点实验室，深圳 518060；2200434018@email.szu.edu.cn (TL) wgliao@szu.edu.cn (WL) 5 深圳大学电子信息工程学院，深圳 518060，中国 6 中国科学院大学，中国科学院拓扑量子计算卓越中心，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190，中国 * 通信地址：xinhuang@iphy.ac.cn (XH); czgu@iphy.ac.cn (CG) † 这些作者对这项工作做出了同等贡献。
si-mose2中的室温山谷选择性排放...
1 Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States 2 Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Fiber Sensing and Communications, Institute of Photonics Technology, Jinan University, 510632, Guangzhou, China 3 The Molecular Foundry, L awrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, United States 4 Department of Chemistry,斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学94305，美国5机械工程系，斯坦福大学，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学94305，美国6美国6号施用物理系，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学，加利福尼亚州94305，美国7 Marvell Technology，Marvell Technology，Inc.，Inc。 9美国斯坦福大学斯坦福大学放射学系94305，美国
高检测性UV敏感的2D MOS2光晶体管通过硅量子点增强
摘要：二维（2D）半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而，对于单层光晶体管，可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里，我们演示了基于零差（0D）硅量子点（SIQDS）和二硫化钼（MOS 2）形成的范德华异质结构（VDWH）（VDWH）（VDWH）（VDWH），尤其是在Ultraviolet（UV）的光谱范围内，该光谱（MOS 2）表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比，SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍（从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w），响应率提高了89倍，响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH，还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明，跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测，基于紫外线的光学通信，神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字：0d/2d van der waals异质结构，Si Quantum Dot，MOS 2，光晶体管，高检测性，高响应率■简介
单层MOS2在图案化石墨烯上的大规模直接生长范德华超快光活性电路
摘要：二维（2D）范德华异质结合了单个2D材料的独特特性，导致超材料，非常适合新兴的电子，光电，光电和自旋形成现象。在利用这些特性用于未来的混合电路方面的一个重大挑战是它们的大规模实现并集成到石墨烯互连中。在这项工作中，我们证明了二硫化钼（MOS 2）晶体在图案化石墨烯通道上的直接生长。通过通过限制的空间化学蒸气沉积生长技术增强对蒸气转运的控制，我们实现了单层MOS 2晶体在单层石墨烯上的优先沉积。原子分辨率扫描透射电子显微镜揭示了杂结构的高结构完整性。通过深入的光谱表征，我们在石墨烯/MOS 2中揭示了电荷转移，MOS 2将p-型掺杂到石墨烯中，如我们的电气测量所证实。光电导率表征表明，可以在MOS 2层覆盖的石墨烯通道中局部创建光活性区域。时间分辨超快的超快瞬态吸收（TA）光谱揭示了在石墨烯/MOS 2异质结构中加速的电荷衰减动力学，对于以下带隙激发条件的上转换。我们的概念验证结果为范德华异质结构电路的直接增长铺平了道路，对超快光活性纳米电子和播客应用具有重要意义。关键字：石墨烯，TMD，现场效应晶体管，范德华异质结构，超快，光活动电路■简介
二硫化钼MOS2和Q-BWF线形状（...
最近，我们考虑了与石墨相比，石墨烯和氧化石墨烯的拉曼光谱如何出现。在评论中，我们提到了Breit-Wigner-Fano（BWF）线的形状，Ferrari和Robertson，2000年被告知代表碳质材料的G带。BWF是一种用于考虑不对称和FANO共振的修改后的洛伦兹函数（请参阅Miroshnichenko等，2010，介绍Fano理论和模型）。例如，Hasdeo等，2014，使用“石墨烯拉曼光谱中的Breit-Wigner-Fano线形状”，因为“声子光谱与电子孔对激发光谱之间的干扰效果”（Hasdeo等人，2014年，Hasdeo hasde-hole taime coptation Spectra之间）。让我们强调，也可以通过使用分裂的洛伦兹函数来获得不对称性。表征BWF函数的内容是“形状共振”的存在，如Bianconi，2003年的图2所示，或者如其他地方给出的（Tanwar等，2022），抗抗抗耐药性的“蘸酱”。
TiO2 -MOS2-有效水修复的PMMA纳米复合材料
1国家研究委员会，微电子和微系统研究所，CNR-IMM，通过S. Sofia 64，95123意大利卡塔尼亚； vanessaspano23@gmail.com（V.S. ）; massimo.zimbone@ct.infn.it（M.Z。 ）; federico.giuffrida@dfa.unict.it（f.g。）; giuliana.impellizzeri@ct.infn.it（g.i。） 2卡塔尼亚大学物理与天文学系，通过圣索非亚64，95123意大利卡塔尼亚3国家研究委员会，微电导和微系统研究所，CNR-IMM，工业区，Strada VIII n。 5，95121意大利卡塔尼亚； gianfranco.sfuncia@cnr.it（G.S. ）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。 ）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it1国家研究委员会，微电子和微系统研究所，CNR-IMM，通过S. Sofia 64，95123意大利卡塔尼亚； vanessaspano23@gmail.com（V.S.）; massimo.zimbone@ct.infn.it（M.Z。）; federico.giuffrida@dfa.unict.it（f.g。）; giuliana.impellizzeri@ct.infn.it（g.i。）2卡塔尼亚大学物理与天文学系，通过圣索非亚64，95123意大利卡塔尼亚3国家研究委员会，微电导和微系统研究所，CNR-IMM，工业区，Strada VIII n。 5，95121意大利卡塔尼亚； gianfranco.sfuncia@cnr.it（G.S. ）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。 ）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.）*信函：maria.cantarella@ct.infn.it