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关于 MOS 和完美的解释指导方案
noaa.gov › 查看 › noaa PDF 1991 年 7 月 8 日 — 1991 年 7 月 8 日以及航空包裹的未来位置涉及“模型”，这不需要......否则预报员将没有时间准备数据库数字化。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射
MOS 25R - 陆军出版局
序言 本出版物适用于持有军事职业专长 (MOS) 25R 的技能等级 (SL) 1、2 和 3 士兵以及教官和一线主管。它包含标准化的培训目标，以任务摘要的形式，用于培训和评估士兵在战时支持部队任务的关键任务。教官和一线主管应确保持有 MOS 25R10/20/30 的士兵能够阅读本出版物。它应在士兵的工作区、部队学习中心和部队图书馆提供。 本手册适用于现役和预备役士兵。 本出版物的支持者是信号学校。 请将对 DA 表格 2028（出版物和空白表格的建议更改）的评论和建议直接发送给美国陆军信号中心和戈登堡指挥官，收件人：ATZH-DTI，佐治亚州戈登堡 30905-5074。 除非本手册另有说明，否则男性代词并不专指男性。
MOS 25R - 陆军出版局
序言 本出版物适用于持有军事职业专长 (MOS) 25R 的技能等级 (SL) 1、2 和 3 士兵以及教官和一线主管。它包含标准化的培训目标，以任务摘要的形式，用于培训和评估士兵在战时支持部队任务的关键任务。教官和一线主管应确保持有 MOS 25R10/20/30 的士兵能够阅读本出版物。它应在士兵的工作区、部队学习中心和部队图书馆提供。 本手册适用于现役和预备役士兵。 本出版物的支持者是信号学校。 请将对 DA 表格 2028（出版物和空白表格的建议更改）的评论和建议直接发送给美国陆军信号中心和戈登堡指挥官，收件人：ATZH-DTI，佐治亚州戈登堡 30905-5074。 除非本手册另有说明，否则男性代词并不专指男性。
MOS 25R - 陆军出版局
序言 本出版物适用于持有军事职业专长 (MOS) 25R 的技能等级 (SL) 1、2 和 3 士兵以及教官和一线主管。它包含标准化的培训目标，以任务摘要的形式，用于培训和评估士兵在战时支持部队任务的关键任务。教官和一线主管应确保持有 MOS 25R10/20/30 的士兵能够阅读本出版物。它应在士兵的工作区、部队学习中心和部队图书馆提供。 本手册适用于现役和预备役士兵。 本出版物的支持者是信号学校。 请将对 DA 表格 2028（出版物和空白表格的建议更改）的评论和建议直接发送给美国陆军信号中心和戈登堡指挥官，收件人：ATZH-DTI，佐治亚州戈登堡 30905-5074。 除非本手册另有说明，否则男性代词并不专指男性。
基于亚微米级 MOS 晶体管的模拟开关...
本文首先对开关配置中的 MOS 器件进行了深入研究。然后分析了改进的开关架构，以便更好地将它们集成到复杂的应用中 [4-8]。强调了使用串行接口进行数字控制的模拟开关的优势。具体来说，我们专注于由数字控制块启用或禁用的多通道开关的设计。展示了为实现而设计的内部结构、主要电气参数和布局。这些架构的验证是通过数字和晶体管级模拟、静态时间分析和噪声研究完成的。我们将在一个 8 通道系统上介绍当前的结果，该系统的工作频率从 2.5 MHz [6] 增加到 55 MHz 时钟信号，与逻辑电平的偏差很小 [7]。
MOS 结构高频电容-电压特性建模
这项研究的意义在于它可应用于电容谱法，这对于检查先进微电子和纳米电子中的介电/半导体界面至关重要。通过采用这些方法，我们可以准确测量界面处的陷阱电荷水平，这一参数对材料用作栅极介电体或存储器元件的可行性有重大影响。此外，电容-电压 (CV) 特性的控制对于超大规模集成电路 (VLSI) 的开发至关重要，在热场测试下评估栅极介电体的稳定性可以指示电压平坦区的变化，从而确保半导体器件的可靠性。
MOS2中的Moiré工程光 - 摩擦相互作用... 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Jafarzadeh，S.，Nooshkam，M.，Qazanfarzadeh，Z。等（2024）。解锁潜在的O 加油否认：气候变化反动运动和瑞典极右媒体 有效的微孔子频率梳 可用性比较拟人化数字人的健康参与者和基于文本的聊天机器人，以此作为对心理健康问题的响应者：随机对照试验 朝着光网络中的可解释的强化学习：RMSA用例 和电热膜蒸馏 基于滑动触摸的探索，用于用多指双手建模未知对象形状 原子能洞察纳米片分裂水的竞争边缘 引用原始发表的论文（记录的版本）：Konzock，O。，Nielsen，J。（2024）。试图评估微生物Biote的生产成本 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Bainsla，L.，Zhao，B.，Behera，N。等（2024）。 中的大面外旋转轨道扭矩 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Monsel，J。，Ciers，A.，Kini Manjeshwar，S。等（2024）。耗散和色散cav 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Kumar，R。，Srivastav，S.，Roy，U。等（2024）。镁的电噪声光谱 用快速电子梁探测光学叠液 基于机器学习的极化签名分析，用于检测和分类窃听事件和有害事件
van der waals异质结构中的Moiré超级晶格代表了高度可调的量子系统，在多体模型和设备应用中都引起了极大的兴趣。然而，在室温下，Moiré电位对光物质相互作用的影响在很大程度上仍然没有。在我们的研究中，我们证明了MOS 2 /WSE 2中的Moiré潜力促进了室温下层间激子（IX）的定位。通过执行反射对比光谱，我们证明了原子力显微镜实验支持的原子重建在修饰内部激子中的重要性。降低扭转角时，我们观察到IX寿命会更长，并且发光增强，表明诸如缺陷之类的非辐射衰减通道被Moiré电位抑制。此外，通过将Moiré超晶格与硅单模腔的整合，我们发现，使用Moiré捕获的IXS的设备显示出明显较低的阈值，与利用DelaCalized IXS的设备相比，较小的一个数量级。这些发现不仅鼓励在升高温度下在Moiré超晶格中探索多体物理学，而且还为利用光子和光电应用中的这些人工量子材料铺平了道路。
低温加热银介导的 MoS 2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过