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数字电视调谐器 IC - Octopart
DBT 封装 • 集成混频器/振荡器/PLL（顶视图） • VHF-L、VHF-H、UHF 3 频段本地振荡器 • RF AGC 检测器电路 • I 2 C 总线协议双向数据传输 • 高压调谐电压输出 • 四个 NPN 型频段开关驱动器 • 一个辅助端口/5 级 ADC • 晶体振荡器输出 • 可编程参考分频器比 (24/28/32/64/80/128) • 可选数字 IFOUT 和模拟 IFOUT • 待机模式 • 5V 电源 • 38 引脚薄型小外形封装 (TSSOP)
为幽门螺杆菌的非抗生素和菌群友好疗法铺平了道路：脂质纳米粒子的体外和体内性能
fi g u r e 1 H.幽门螺杆菌的生长和膜渗透性在NLC存在下。（a）2 mg/ml DHA-NLC和空白的NLC的体外杀菌活性与幽门螺杆菌J99菌株 * P <0.05，对照（未治疗细菌）和用NLC处理的对照（kruskal-Wallis test）对照（未治疗细菌）之间的统计学显着差异。（B，C）H。Pylori J99膜通透性（％）与2 mg/ml的DHA-NLC和空白NLC孵育30分钟后。（b）通过摄取N-苯基硝基胺（NPN）和（c）通过释放ATP量化的内膜渗透性来量化的外膜。Triton（10％）用作对照。* p <0.05，** p <0.001，样品之间在统计上显着差异（单向方差分析，Tukey测试）。
TL7700-SEP 单粒子闩锁 (SEL) 辐射报告 (Rev. A)
TL7700-SEP 中主要的单粒子效应 (SEE) 事件是单粒子闩锁 (SEL)。从风险/影响的角度来看，SEL 的发生可能是最具破坏性的 SEE 事件，也是太空应用的最大隐患。TL7700-SEP 使用了双极工艺 JI1。CMOS 电路可能会产生 SEL 和 SEB 敏感性。如果高能离子通过引起的过量电流注入足以触发寄生交叉耦合 PNP 和 NPN 双极结构的形成（形成于 p-sub 和 n-well 以及 n+ 和 p+ 触点之间），则可能会发生 SEL。单事件引发的寄生双极结构在电源和接地之间形成高电导路径（产生通常比正常工作电流高几个数量级的稳态电流），该路径持续存在（“锁定”），直到断电或设备被高电流状态破坏。TL7700-SEP 在重离子 LET EFF 高达 43 MeV-cm 2 /mg 时未表现出 SEL，通量为 10 7 离子/cm 2 且芯片温度为 125°C。
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
MC1408−8 8位乘法D/A转换器
电路描述 MC1408-8 由一个参考电流放大器、一个 R-2R 梯形放大器和 8 个高速电流开关组成。对于许多应用，只需要添加一个参考电阻和参考电压。开关在操作时为非反相；因此，输入的高状态会打开指定的输出电流分量。开关使用电流转向来实现高速，并使用由有源负载增益级和单位增益反馈组成的终端放大器。终端放大器在切换期间将梯形放大器的寄生电容保持在恒定电压，并为梯形放大器的所有支路提供相等电压的低阻抗终端。R-2R 梯形放大器将参考放大器电流分成二进制相关分量，这些分量被馈送到等于最低有效位的剩余电流。该电流被分流至地，最大输出电流为参考放大器电流的 255/256，如果 NPN 电流源对完全匹配，则 2.0 mA 参考放大器电流的最大输出电流为 1.992 mA。
遮阳板用户手册
5.1 Mechanical installation 27 5.1.1 Installing the bracket 27 5.1.2 Lighting 27 5.1.2.1 Sensor and illumination configuration 27 5.1.2.2 Mechanical isolation from ambient light 28 5.1.2.3 Version with Infrared illumination 28 5.1.2.4 Version with UV illumination 29 5.1.2.5 Alignment for vertical illumination 29 5.1.3 Target laser 29 5.1.4 C-Mount镜头和保护套管30 5.1.5两极分化过滤器和火花保护罩30 5.2电气安装32 5.2.1 24 V DC连接32 5.2.2 LAN连接33 5.2.3示例连接计划34 5.2.4电气连接电源电源电源电压电压电压电压35 5.2.2.2 36 5.3.3网络连接 - 设置visor®视觉传感器的IP地址37
能源系统运算放大器的设计和建模
在本研究中，主要目标是设计单通道运算放大器 IS-OU1 的宏模型，其主要特点如下： 15 V 电源电压、失调电压 7 mV、低电源电流 ~1.3 mA、斜率 ~0.4 V/ s、开环增益 ~100-110 dB、增益带宽积 ~0.7-1 MHz、输出电压摆幅 14 V。为了使用 SPICE 对运算放大器进行建模，选择了基于 npn 型双极晶体管的非线性运算放大器模型 [3, 5]。运算放大器的等效电路如图 1 所示。然后，计算电路中运算放大器元件的参数，使其与运算放大器特性相适应，并将其写成子电路，如图 2 所示。宏模型可以用作 Micro-Cap 12 模型编辑器中的 .SUBCKT 命令的子电路，作为 SPICE 电路程序 [6, 7]，这使我们能够获得 IS-OU1 运算放大器的 SPICE 宏模型。之后，为了测试运算放大器，将获得的宏模型作为 IS-OU1.lib 库文件添加到 Micro-Cap 12 程序库中。
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
增强型门控二极管触发可控硅整流器...
随着集成电路规模的不断缩小，静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前，超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关，迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点，例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗，可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而，SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压，造成闩锁效应。 [4] 另外，随着保持电压的提高，ESD器件的瞬态功耗必然增大，导致ESD故障电流（It2）急剧下降。因此，在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离，[5] 但这种方法效率低，不足以实现闩锁效应。