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八nB层完全平面的150 nm节点...
•为了基于SC2节点，我们使用自换连接器和150 nm的电感器设计测试电路，并进行了制造和测试，例如DC-SFQ和SFQ-DC转换器，平衡比较器，SFQ和QFP逻辑，Ac-Ac-ships exhips cubsister，Ac-Ac-ships expressers，Ac-Ac-ships Expisters等。，我们通过在最接近堆栈中JJ层的NB层上实现了150 nm线宽电感的单层通过在NB层上实现150 nm线宽电感的单层，从而证明了电路密度的增加约2倍。对于具有600-µA/µm 2自换的约瑟夫森连接的移位寄存器，我们达到的电路密度为1.3∙107 JJS/cm 2，因此超过了每1 cm 2芯片的10m JJS阈值，在大尺度超尺寸超大型电子系统中应用所需的集成量表所需的集成规模所需。
接近NBO2 ...
抽象NBO 2是由于室温高于室温的绝缘体金属过渡而导致电阻开关设备的有前途的候选者，这与从变形金红石结构到未染色的相关相关。然而，到目前为止生产的NBO 2薄膜的电阻率太低，无法达到高开关开关比率。在这里，我们报告了通过脉冲激光沉积在MGF 2（001）底物上生长的单晶NBO 2（001）薄膜的结构，电和光学表征。退火步骤在NBO 2（004）X射线Bragg反射的一半最大宽度下减少了一个数量级，而膜的电阻率则增加了两个数量级，在室温下约为1kΩcm。退火样品的温度依赖性电阻率测量表明，低于650 K的两个深层缺陷，激活能为0.25 eV，0.37 eV占主导地位，而高于650 K的内在传导高于650 K。通过光谱椭圆法和与垂直于垂直于扭曲的金红石结构的C轴的电场矢量吸收的吸收测量值的光学表征，表明在室温下约0.76 eV的基本吸收开始，而在4 K时，发作转移到0.85 eV。这些光学转变被解释为在理论上预测的间接带隙的变形金红石NBO 2的间接带隙。
具有增强储能容量和稳定性的 Nb 掺杂 MXene
MXenes 作为储能材料具有独特的特性；然而，有限的层间距离和持续循环下的结构稳定性限制了它们的应用。在这里，我们开发了一种独特的方法，涉及将 Nb 原子掺入 MXene（Ti 3 C 2 ）中，以增强其实现更高离子存储和更长时间稳定性的能力。使用密度泛函理论进行了计算分析，从原子细节上解释了材料结构、电子结构、能带结构和态密度。Nb 掺杂的 MXene 显示出 442.7 F/g 的良好电荷存储容量，这使其可应用于超级电容器。X 射线衍射（XRD）表明在 MXene 中 Nb 掺杂后 c 晶格参数增强（从 19.2A ◦ 到 23.4A ◦ ），这显示了引入具有较大离子半径的元素（Nb）的效果。此外，带隙从原始 MXene 的 0.9 eV 变为 Nb 掺杂 MXene 的 0.1 eV，这表明后者由于金属性质更强而具有导电性增加的特征，这与实验结果相符。这项工作不仅展示了 MXene 中的掺杂效应，还有助于解释物理参数变化所涉及的现象，推动了基于二维材料的储能领域的发展。