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策略使用硼氮共价键来实现高性能窄带电致发光
基于此，作者进一步构建了窄带发射，高量子效率和低效率滚动特性的天蓝色OLED。值得注意的是，基于BCZBN-3B的OLED的最大外部量子效率为42.6％，为使用二进制发射层的OLED设备设定了新的效率记录。此外，在1000 cd m -2的亮度下，该设备仍保持30.5％的效率，显示效率较小。
具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
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磷光卡宾-金-芳基乙炔化合物材料作为近紫外 OLED 发光体
一系列卡宾-金-乙炔配合物 [(BiCAAC)AuCC] n C 6 H 5 − n ( n = 1，Au1；n = 2，Au2；n = 3，Au3；BiCAAC = 双环（烷基）（氨基）卡宾) 已被高产率合成。化合物 Au1–Au3 呈现深蓝色至蓝绿色磷光，在所有介质中量子产率高达 43%。金配合物 Au1–Au3 中 (BiCAAC)Au 部分的增加会增加紫外可见光谱中的消光系数和更强的振子强度系数，理论计算支持这一点。发光辐射速率随着 (BiCAAC)Au 部分的增加而降低。时间相关密度泛函理论研究支持磷光的电荷转移性质，这是因为单重态（S 1 ）和三重态（T 1 ）之间的能隙很大（0.5–0.6 eV）。瞬态发光研究揭示了非结构化紫外瞬时荧光和 428 nm 振动分辨长寿命磷光的存在。有机发光二极管 (OLED) 采用物理气相沉积法制成，以 2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃 (PPF) 作为主体材料，与复合物 Au1 反应。在 405 nm 处观察到近紫外电致发光，器件效率为 1%，同时在 10 尼特的实际亮度下 OLED 器件寿命 LT 50 长达 20 分钟，表明一类非常有前景的材料可用于开发稳定的紫外 OLED。
通过单腔控制提高操作稳定性...
近年来，基于热激活延迟荧光 (TADF) 发射器的高效有机发光二极管 (OLED) 已经实现，但器件寿命需要进一步提高才能用于实际显示或照明应用。在这项工作中，通过调节单层未掺杂器件的光学腔，提出了一种器件设计原理，以实现高效、长寿命的 TADF OLED。通过增加发射层厚度将腔长延长至二阶干涉最大值可拓宽复合区，同时光学输出耦合效率仍然接近较薄的一阶器件。此类器件设计可得到高效稳定的单层非掺杂 OLED，其最大外量子效率为 16%，LT 90 为 452 小时，初始亮度为 1000 cd m − 2 时 LT 50 为 3693 小时，是一阶 OLED 的两倍。进一步证明，OLED 寿命和光强度之间广泛使用的经验关系源自三线态极化子湮没，从而推算出 100 cd m − 2 时的 LT 50 接近 90 000 小时，接近实际背光应用的需求。
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
下一代可见光通信的可打印有机发光二极管：评论
摘要。可见光通信（VLC）是一项采用发光二极管（LED）的新兴技术，可以同时提供照明和无线数据传输。利用具有成本效益的可打印有机LED（OLEDS）作为VLC系统中环保发射器对光谱，物联网，感应和光学范围的未来应用非常有吸引力。在这里，我们总结了VLC中LED来源的新兴半导体材料的最新研究进度，并突出显示基于无毒和成本效益的有机半导体的OLED有很好的光学通信机会。我们进一步研究了为一般照明实现高性能的白色OLED的努力，尤其是关注基于OLED的VLC的研究状况和机会。还讨论了开发高性能OLED的不同解决方案处理的制造和打印策略。最后，提供了下一代有机VLC的未来挑战和潜在前景的前景。
明智的杂种掺杂会产生高性能的深蓝色/近紫外的多滋养热激活的延迟荧光OLED
提出了两个多弹性热激活的延迟荧光（MR-TADF）发射器，并显示了如何进一步的深蓝色MR-TADF Emitter（didobna-n）的blueShifts，blueshifts，并缩小产生新的近乎UV的MR-TADDF EMitter，MESB-DIDOBNA-N，MESB-DIDOBNA，MESB-DIDOBNA-N。didobna-n发出明亮的蓝光（𝚽 pl = 444 nm，fwhm = 64 nm，𝚽 pl = 81％，𝝉 d = 23 ms，tspo1中的1.5 wt％）。基于此扭曲的MR-TADF化合物的深蓝色有机发光二极管（OLED）显示，CIE Y的设备为0.073的设备的最大最大外部量子效率（EQE MAX）为15.3％。融合的平面MR-TADF发射极，MESB-DIDOBNA-N显示出近量的较小和窄带（𝝀 pl = 402 nm，fWHM = 19 nm，𝚽 pl = 74.7％，𝝉 d = 133 ms，TSPO1中的1.5 wt％）。掺有共同主持人的MESB-DIDOBNA-N最好的OLED显示出近紫外OLED的最高效率为16.2％。以0.049的CIE坐标为0.049，该设备还显示了迄今为止MR-TADF OLED的最蓝EL。
由于优异的光电性能，先进纳米材料越来越受到学术界和工业界的关注（刘
先进纳米材料因其出色的光电特性，受到学术界和工业界越来越多的关注（Liu et al.，2020）。近年来，人们致力于开发高性能纳米材料，这使得其在广泛的光电应用中具有巨大潜力（Kong et al.，2021；Niu et al.，2021），特别是在发光二极管 (LED) 和太阳能电池 (SC) 方面。我们非常高兴地推出这期题为“用于发光二极管和太阳能电池的先进纳米材料”的特刊。本期特刊从不同角度强调了材料-器件研究的主要意义，结合了现代实验方法和理论模拟。我们从这个令人兴奋的领域收集了 10 篇特色文章，涵盖了用于 LED 和 SC 开发的先进纳米材料的新兴概念、策略和技术。简化的有机 LED（OLED）结构和可行的制造工艺在照明中起着关键作用。 Xu 等人结合了超薄非掺杂发射纳米层（0.3 纳米），展示了低效率滚降和结构简单的 OLED。同时，Xie 等人通过使用含硼和氮原子的分子作为客体发射极，开发了溶液处理的蓝色热激活延迟荧光 OLED，其半峰全宽较窄为 32 纳米，获得高色纯度 OLED。另一方面，开发新型溶液处理的空穴注入材料对于高性能 OLED 至关重要。Zhu 等人合成了二硫化钼量子点（MoS 2 QDs）并展示了具有混合聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT:PSS）/QDs 空穴注入层的绿色磷光 OLED。采用PEDOT:PSS/MoS 2 空穴注入层的OLED最大电流效率为72.7 cd A −1，比单一PEDOT:PSS的OLED高28.2%，表明以硫化物QD作为空穴注入层是实现高效OLED的有效方法。GaN基LED也是很有前途的照明和显示设备。Zhang等人从实验和数值两个方面系统地研究了台面尺寸减小对InGaN/GaN LED两个横向维度的影响，为设备小型化提供了见解。而Lu等人制作并展示了各种尺寸的应变减小微型LED，并研究了尺寸对光学特性和量子阱铟浓度的影响。他们的工作为实现微型LED的高功率性能提供了经验法则。另一方面，Liu等人对GaN基LED进行了系统的研究，提出了一种新的方法来降低应变，提高LED的效率。采用氢化物气相外延与激光剥离技术联合制备缓冲层，在双抛光蓝宝石衬底上制备了厚度约为250 μm的2英寸自支撑GaN衬底，为高功率GaN基器件提供了一条途径。