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硅和锗中的量子点阵列
量子点中限制的电子和空穴为量子涌现、模拟和计算定义了极好的构建块。硅和锗与标准半导体制造兼容，并且含有具有零核自旋的稳定同位素，因此可作为具有长量子相干性的自旋的极好宿主。在这里，我们展示了硅金属氧化物半导体 (SiMOS)、应变硅 (Si/SiGe) 和应变锗 (Ge/SiGe) 中的量子点阵列。我们使用多层技术进行制造以实现紧密限制的量子点并比较集成过程。虽然 SiMOS 可以从更大的温度预算中受益，而 Ge/SiGe 可以与金属形成欧姆接触，但定义量子点的重叠栅极结构可以基于几乎相同的集成。我们首次在 Ge/SiGe 中实现了每个平台的电荷感应，并展示了功能齐全的线性和二维阵列，其中所有量子点都可以耗尽到最后的电荷状态。在 Si/SiGe 中，我们使用 N + 1 方法调谐五重量子点，以同时达到每个量子点的少数电子状态。我们比较了电容串扰，发现 SiMOS 中的电容串扰最小，这与量子点阵列的调谐相关。我们将这些结果应用于量子技术，并将工业量子位、混合技术、自动调谐和二维量子位阵列确定为四个关键轨迹，当它们结合在一起时，可以实现容错量子计算。
随着二氧化碳解吸压力降低和添加背景电解质的电化学直接空气捕获过程
最近提出了一种基于pH-swing的电化学过程，以从直接空气捕获（DAC）再生支出的碱性吸收剂。在这项工作中，我们通过实验研究并理论上模拟了两种优化策略，以进一步减少这种新型电化学过程的能源消耗。首先，在CO 2解吸期间将部分真空应用于气相，以提高气体产量。当CO 2在气相中的CO 2部分压从0.9降低到0.3 atm时，电化学电池的能耗降低了12％至15％。第二，磷酸盐和硫酸盐作为背景电解质对碱性吸收剂进行测试，从而通过最大程度地减少电化学细胞中的欧姆损失来降低能源消耗。磷酸盐的最佳浓度为0.1 m，而在较高浓度的磷酸盐下，CO 2的生产率受到总碳进食率或高酸化溶液的限制。此外，由于与磷酸盐相比，硫酸盐的PKA低和高摩尔电导率，硫酸盐添加的能量消耗比磷酸盐添加更低。最后，最低的实验能量消耗为247 kJ mol -1 CO 2，CO 2二压压为0.3 atm和0.1 m的硫酸盐在150 a m -2的电流密度下添加0.1 m，而我们的数学模型预测理论最小能量消耗为138 kJ mol -1在相同的条件下。总体而言，研究的优化策略推动了节能电力驱动的流程以直接捕获的开发。
IEEE AWPL 2025上的特殊群集在“ Terahertz天线6G及以后：创新设计，制造和高级”IEEE AWPL 2025上的特殊群集在“ Terahertz天线6G及以后：创新设计，制造和高级
应用程序从3G，4G到5G通信，天线的工作频带逐渐从微波炉增加到毫米波，预计将来将在6G及以后到达Terahertz（THZ），以获得更多的频道容量。虽然服务5G通信的毫米波天线的研究和产品制造过程越来越成熟，但未来6G及以后使用的THZ天线的研究正在缓慢发展。THZ天线的设计，制造和测量面临重大挑战。在下部微波炉和毫米波带中使用的传统制造技术，例如印刷电路板（PCB）技术和金属铣削技术，不能应用于微米大小的THZ天线。相反，新兴的微纳米制造技术，包括3D打印，半导体光刻，微纳米烙印和深硅蚀刻技术，将用于THZ天线。此外，THZ带中底物的介电损失和金属材料的欧姆损失变得严重。具有低损失特征的新材料的研究和开发以及相应的微纳米制造过程是促进THZ天线开发的关键。这个特殊的群集将主要集中于0.1至10 THz范围内的THZ天线的研究。他们能够实现以后的6G通信及以后的每秒（TB/S）数据速率和超大型带宽。其重点将打破THZ天线设计和设备制造技术之间的障碍。这个特殊的集群还将促进全球学者与THZ技术领域的专家之间的广泛交流，为THZ天线的开发铺平了途径。潜在主题包括但不限于以下内容：
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
大学赠款委员会净局
单元I对半导体的简介，固体中的能带，有效质量的概念，状态的密度，费米水平。pn连接，二极管方程和二极管等效电路，二极管中的故障，齐纳二极管，隧道二极管，金属半导体连接 - 欧米克和肖特基触点，JFET的特征和同等电路，MOSFET，MOSFET。低维半导体设备 - 量子井，量子线，量子点。高电子迁移式晶体管（HEMT），太阳能电池 - I-V特征，填充因子和效率，LED，LCD和柔性显示器。未来设备的新兴材料：石墨烯，碳纳米管（CNT），ZnO，SIC等。单元-II IC制造 - 晶体生长，外延，氧化，光刻，掺杂，蚀刻，隔离方法，隔离方法，金属化，粘合，薄膜沉积和表征技术：XRD，TEM，SEM，EDX，EDX，薄膜，薄膜和无源设备，MOS技术和Mos设备和莫斯设备和莫斯式的NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS和CMOS的缩放电压，NMOS和CMOS逆变器，电荷耦合设备（CCD） - 结构，电荷存储和传输，VLSI设计的基础，贴纸图，布局设计规则。单元III叠加，Thevenin，Norton和最大功率传递定理，网络元素，网络图，节点和网格分析。拉普拉斯变换，傅立叶变换和Z变换。时间和频域响应，被动过滤器，两个端口网络参数：Z，Y，ABCD和H参数，传输函数，信号表示，状态可变的电路分析方法，AC电路分析，瞬态分析，零和极点，Bode图。
模拟的起始停机和催化剂层氧化还原对低温电解的降解和性能损失的影响
应力测试是开发出，该测试的重点是质子交换膜电解的阳极催化剂层降解，这是由于模拟的起步操作而引起的。ex exte测试表明，由于近表面还原和循环到高电位时，重复的氧化还原循环会加速催化剂溶解。相似的结果发生在原位，其中发现细胞动力学（> 70％），虹膜从阳极催化剂层迁移到膜中。但是，观察到其他过程，包括虹膜氧化的变化，较薄和更密集的催化剂层的形成以及从运输层迁移的铂。还发现了增加的界面弱化，通过增加催化剂层的接触电阻和分离部分，从而增加了欧姆和动力学损失。反复的水流关闭进一步加速性能损失，并增加界面和催化剂层内的撕裂和分层的频率。这些测试应用于几种商业催化剂，在其中观察到含有钌或高金属含量的催化剂的损失率更高。这些结果表明有必要了解如何发生操作停止，以确定损失机制的加速方式以及制定限制绩效损失的策略。©2024作者。由IOP Publishing Limited代表电化学学会出版。[doi：10.1149/1945-7111/ad2bea]这是根据Creative Commons Attribution 4.0许可（CC by，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/）分发的开放式访问文章，如果原始工作适当地引用了原始作品，则可以在任何媒介中不受限制地重复使用工作。
选择性丁酸从二氧化碳及其在微生物电气合成细胞中升级到丁醇的产生
微生物电气合成（MES）是一种有前途的碳利用技术，但是低价值的产品（即乙酸或甲烷）和高电力需求需求阻碍其工业采用。在这项研究中，低欧姆耐药性为15.7 m u m 2的电气有效的MES细胞在喂养批处理模式下以固定态进行了galva，这是高CO 2和H 2可用性的交替时期。这促进了乙酸和乙醇的产生，最终触发了选择性（碳为基础的78％）丁酸通过链伸长产生。以1.0或1.5 mA CM 2的施加电流为14.5 g m 2 d 1，为megasphaera sp。钥匙链拉长播放器。与含有富集群落的天主解的第二个细胞接种，导致丁酸产生的速率与以前的细胞相同，但滞后相降低了82％。此外，在阴极室中打断CO 2喂食并设置一个1.7 E 1.8 ATM的常数pH 2，触发了pH低于4.8的pH，触发了溶解剂丁醇的产生。有效的细胞设计导致平均细胞电压为2.6 e 2.8 V，尽管库仑（Coulombic efiencies）限于O 2和H 2的交叉，但产生了34.6 kWh el Kg 1的电能需求，即34.6 kWh el kg 1的丁酸1。总而言之，这项研究揭示了从CO 2获得能量良好的丁酸产生的最佳工作条件，并提出了一种将其进一步升级为有价值的丁醇的策略。©2023作者。由Elsevier B.V.代表中国环境科学研究所，中国环境科学学院出版。这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
模拟正在形成的大质量恒星周围的圆盘和磁流出 - II。大质量原恒星喷流的动力学
背景。形成大质量恒星会发射磁源流出物，这实际上是寻找大质量恒星形成地点的标志。然而，直到最近几年，才有可能对这种磁驱动流出物的形成和传播进行理论和观察研究。目的。通过这项工作，我们旨在详细研究从大质量恒星形成早期阶段驱动高度准直流出的机制，以及这些过程如何受到形成大质量恒星的原生环境特性的影响。方法。我们进行了一系列 31 次模拟，旨在建立这些机制的统一理论图景，并确定不同环境的影响如何改变它们的形态和动量输出。磁流体动力学模拟还考虑了欧姆耗散作为非理想效应、自重力和尘埃和气体热吸收和发射的扩散辐射传输。我们从一个坍缩的云核开始，它被最初均匀的磁场穿过，并且正在缓慢旋转。我们在球坐标系中使用了二维轴对称网格。结果。在模拟中，我们可以清楚地区分快速的磁离心发射和准直喷流（速度 ≳ 100 km s − 1 ）和由磁压驱动的更宽的磁塔流，后者会随时间而变宽。我们详细分析了流动的加速度，以及它在几百个天文单位的距离处被磁力重新准直。我们量化了磁制动对外流的影响，这会缩小系统后期演化的外流腔。我们发现，尽管自重力和介质热力学不可扩展，但我们的结果会随着云核的质量而变化，原则上可以用于这种质量的一系列值。我们观察到，对于大质量原恒星的诞生环境的各种假设，都存在相同的喷流驱动机制，但随着时间的推移，它们的形态和机械反馈会发生变化，从而达到更大的尺度。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
IMB-CNM
3D硅检测器[1，2]在高能物理应用中确立了自己的关键技术。与平面探测器相反，在硅的批量而非表面实现了3D检测器中的电极（连接和欧姆接触）（见图1）。这种独特的几何形状使这些探测器可以结合高辐射硬度和低功耗。高辐射硬度源于电极之间的短距离，因此限制了载流子被辐射引起的缺陷捕获，而信号则由粒子的较大轨道通过硅晶圆晶粒厚度定义。低耗尽电压可以保证即使在改善收费收集所需的过度电压下，也可以保证低功耗。这两个方面在高能物理实验的内部跟踪探测器中至关重要。3D硅探测器被用作最接近相互作用点或光束的像素探测器。他们于2014年成功安装在Atlas检测器的可插入的B层中（IBL-ATLAS）[3]，2016年在Atlas Forward Proton（AFP）探测器[4]中，在2017年，在CMS-Totem Precision Procion Spectreprmeter（CT-PPPS）[5]和较高的for for for for for for for p. ppps（ct-ppps）[5]，并且对高度lumc（均为aTC）（hlc）（hlc）（hlc）（和CMS探测器[6，7]。它们的组合辐射硬度和时机特性也使它们成为平面探测器的有前途的替代方案，该探测器限于〜10 15 cm-2 [8]的功能，并且可以在恶劣环境中确立自己的固态定时探测器[9]。在IBL 中证明了3D检测器的生产性在IBL这些吸引人的特征以不均匀的信号，大传感器电容为代价，这是由于电极间间距较小和较长的电极深度以及制造的复杂性提高。实际上，IBL技术设计报告指出，“主要关注3D传感器的主要问题是生产运行的制造性和均匀性” [10]。3D技术是一项相对复杂的技术：制造运行由〜120-140步，具有8个掩码水平，而标准平面像素（根据IMB-CNM定义）为〜40步和5个掩码水平。