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基于钠的凹入式墨膜，用于通过模板旋转的sodoophic -glass
光学过滤器引起了高级光子仪器和现代数字显示器的巨大兴奋，因为它们的光谱操纵能力具有灵活性。等离子带宽，高光谱对比度和健壮的结构耐受性的等离子元面是光学效果（尤其是在可见的状态），但由于内在的欧姆损失和设计/制造偏差而宽阔的光谱扩大。此处，通过空间脱钩的凹面表面的独特结构设计，通过液体金属的模板固定效率来证明，通过在450至750 nm的光学结构设计中，证明了高性能的跨质面积。由于明显地抑制了金属损失以及界面结构的制造耐受性，因此，经过准备的凹面偏移可以使最小线宽约为15 nm，最大的光学对比度为≈93％，高度衡量的光谱匹配比率高度高度匹配比率≈1500。这些结果在第一次将基于钠的等离子设备的运行波长从红外线推向可见的运行波长，这反过来又表明了迄今为止填写商业介电光学过滤器空白的能力。
使用纳米板INGAN/GAN/GAN
摘要：等离激元纳米剂是一种新型的超小型激光器，由于其光线和快速载体动力学特征的破坏衍射极限，因此获得了广泛的兴趣。通常，对于等离激子纳米剂需要解决的主要问题是光学和欧姆损失引起的高损失，这导致了低质量因子。在这项工作中，设计和制造了具有较大界面区域的Ingan/gan纳米板等离激元纳米剂，其中SPS和激子之间的重叠可以得到构成。激光阈值计算为〜6.36 kW/cm 2，其中最大最大宽度（FWHM）从27 nm下降到4 nm。和502 nm处的快速衰减时间（刺激激光的尖峰）估计为0.42 ns。增强的激光特性主要归因于低折射率材料中电磁波的强限制，这证明了SPS和激子之间的近场耦合。这种等离子激光器应在数据存储应用程序，生物应用，光通信中有用，特别是对于集成到芯片上系统中的光电设备。
平面射频磁控等离子体中的电子动力学：I.霍尔加热机制和µ模式
摘要 研究了低压射频 (RF) 驱动磁增强电容耦合等离子体中的电子动力学和功率吸收机制。重点研究的装置是一个几何不对称的圆柱形磁控管，轴向具有径向不均匀的磁场，径向具有电场。使用冷等离子体模型和单粒子形式对动力学进行分析研究，并使用内部能量和电荷守恒粒子室内/蒙特卡罗碰撞代码 ECCOPIC1S-M 对动力学进行数值研究。发现动力学与未磁化的参考放电有显著不同。在通电电极前方的磁化区域中，在鞘层膨胀期间会产生增强电场，在鞘层塌陷期间会产生反向电场。这两个场都是确保放电维持电子传输以抵抗磁场限制效应所必需的。相应的方位 E × B 漂移可以将电子加速到非弹性能量范围，从而产生一种新的射频功率耗散机制。它与霍尔电流有关，性质上不同于欧姆加热，以前的文献中将其归类为欧姆加热。这种新的加热方式有望在许多磁化电容耦合放电中占主导地位。建议将其称为“µ 模式”，以将其与其他加热模式区分开来。
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
超越纯相位差的量子探测
摘要 量子探测是利用简单量子系统与复杂环境相互作用来提取某些环境参数（例如环境温度或其光谱密度）的精确信息的技术。在这里，我们分析了单量子比特探测器在表征热平衡下的欧姆玻色子环境方面的性能。特别是，我们分析了调整探测器与环境之间的相互作用哈密顿量的影响，超越了传统的纯相位失调范式。在弱耦合和短时间范围内，我们以分析方式处理探测器的动力学，而在强耦合和长时间范围内则采用数值模拟。然后，我们评估量子 Fisher 信息以估计截止频率和环境温度。我们的结果提供了明确的证据，表明纯相位失调不是最佳的，除非我们将注意力集中在短时间内。特别是，我们发现了几种工作方式，其中横向相互作用的存在提高了最大可达到的精度，即增加了量子 Fisher 信息。我们还探讨了探针的初始状态和探针特征频率在确定估计精度中的作用，从而为设计优化检测以在量子水平上表征玻色子环境提供定量指导。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
sutterby nanofluid的生物转化流，可拉长片上有动感微生物：指数变化的粘度
摘要。目前的工作研究了纳米材料和微生物的存在在可伸缩的表面上不可压缩的非牛顿sutterby液体的生物概要转向运动。液体在整个泄漏区域流动，并受均匀垂直磁场的影响。除了指数空间的热源外，欧姆和非牛顿耗散还建立了能量扩散，而纳米材料的传播则可以通过化学反应到达。物理构型被力，温度，纳米体积分数和微生物的公式以及适当的边框标准覆盖。这项工作的新方面由于考虑了粘度与温度，微生物和纳米颗粒的指数分布的考虑。此外，鉴于其较大的应用范围，微生物在流过拉伸表面的流程中的参与增加了另一个创新的特征。非线性部分差分公式的最重要格式被转换为普通的，提供合适的匹配转换器。这些公式通过四阶runge-kutta数值技术进行了审查，并支持拍摄标准。因此，实现了客观分布的算术和图形基础。检查结论，并总结了重大结果。从结果中完成了几种重要的身体。热轮廓改善了有效的因素，这是可以在各种含义中采用的出色规则。微生物的积累随着粘度变化的增加而增加，而随着小子，刘易斯数量和生物对流常数的增长，它会降低。此类发现可能对通过相似的流量期望这些微观生物的行为有用。
在微型针形的CMOS背板上的Ultrabright OLED的高密度整合
有机发光二极管（OLEDS）的直接沉积基于硅的互补金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化芯片（CMOS）芯片已使具有高分辨率和纤维效应器的自我发射微观播放。OLED在增强和虚拟现实（AR/VR）显示器以及生物医学应用中的新兴应用，例如，作为光遗传学中细胞光递送的大脑植入物，需要在传统显示器中发现的光强度高度的宽度量。进一步的要求通常包括显微镜占地面积，特定形状和超强的钝化，例如确保基于OLED的植入物的生物相容性和最小的侵入性。在这项工作中，最多1024个Ultrabright，显微镜OLED直接沉积在针状CMOS芯片上。在CMOS芯片的Foundry提供的铝接触板上进行透射电子显微镜和能量X射线光谱，以指导触点的系统优化。等离子体处理和银层的实施导致欧姆接触条件，因此促进了橙色和蓝色发射OLED堆栈的直接真空沉积，从而导致芯片上的微米大小的像素。每个针中的电子设备允许每个像素单独切换。OLED像素产生的平均光电密度为0.25 mW mm-2，对应于> 40 000 cd m-2，远高于大脑中日光AR应用和光遗传单单元激活的要求。
采用高压超结 MOSFET 的线性模式运行
现代高压功率 MOSFET 的发展催生了超快开关和超低电阻器件。最新的英飞凌 CoolMOS™ 第 7 代技术在 600 V 至 950 V 的电压等级范围内提供无可争议的一流 R DS(on)。英飞凌的技术领先地位不仅使新的更小封装（如 ThinPAK 5x6 或 SOT-223）成为可能，而且还使现有封装中 R DS(on) 值小得多的 CoolMOS™ 产品成为可能。仅在十年前生产的类似功率半导体需要至少三倍的面积才能实现相同的性能。换句话说，前几代功率 MOSFET 的 R DS(on) 至少是现代 CoolMOS™ 第 7 代芯片（具有相同的芯片面积）的三倍。然而，SJ MOSFET 技术向超快开关发展的进步也带来了某些缺点。尽管现代高压 SJ MOSFET 因其开关模式 (SM) 操作而受到赞赏，但它们也存在一些不适合某些应用的局限性。有两个特点值得注意：首先，最新的 HV SJ MOSFET 的安全工作区 (SOA) 图变窄了。面积减小的原因是，对于给定的通道上电阻 (R DS(on) )，当今最先进的功率 MOSFET 使用的硅片面积要小得多。不幸的是，这也意味着特定 R DS(on) 的功率处理能力 (P tot ) 会降低，因为热阻值 (R th 和 Z th ) 会随着芯片面积的减小而增加。这可以用以下公式来解释：
开尔文 - 霍尔姆·霍尔茨（Kelvin-Helmholtz
上下文。磁性零点与高能冠状现象相关，例如太阳浮动，通常是重新计算和颗粒加速度的位置。磁性零点的动态扭曲可以在其风扇平面内产生开尔文 - 螺旋不稳定（KHI），并且可以激发脊柱扇形重新连接，并在持续扭曲下的零点的相关崩溃。目标。本文旨在比较在KHI模拟中的各向同性和各向异性粘度的影响，并在动态扭曲的磁性空点中崩溃。方法。，我们使用具有自定义各向异性粘度模块的3D磁水动力学Lare3d进行了模拟。进行了一对高分辨率模拟，一种使用各向同性粘度，另一种使用各向异性粘度，使所有其他因素保持相同。我们详细分析了结果。在粘度和电阻率的一系列值范围内进行了进一步的参数研究。结果。这两个粘度模型都允许KHI的生长和无数点的最终崩溃。在所有研究的参数上，各向异性粘度允许增长的不稳定性，而各向同性粘度在某些情况下会降低稳定性的不稳定性。尽管与各向异性粘度相关的粘性加热通常较小，但欧姆加热占主导地位，并通过不稳定性产生的当前床单增强。使用各向异性粘度时，这会导致更高的总体加热率。当采用各向异性粘度时，零点的崩溃会明显发生。