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顶层组装工艺及电气性能...
摘要 — 碳纳米材料、石墨烯和碳纳米管 (CNT) 已成为未来先进封装技术集成的有前途的材料。碳纳米材料的主要优点包括出色的电性能、热性能和机械性能。在本文中，成功实现了顶部石墨烯层到原生 CNT 束的转移过程，界面处直接实现石墨烯与 CNT 接触。四点探针 (4PP) I – V 特性表明石墨烯和 CNT 之间实现了欧姆接触。在 90 000 μ m 2 CNT 面积（包括 CNT-石墨烯接触电阻）中获得了 2.1 的低 CNT 凸块电阻，表明在相同的制造和测量条件下 CNT 和 Au 之间的接触电阻降低。这项工作展示了顶部转移石墨烯在碳纳米管上的组装过程以及碳纳米管-石墨烯直接接触的电学特性的初步结果，为实现全碳基三维（3-D）互连铺平了道路。
在不同汉密尔顿量和谱密度下对开放量子动力学进行有效的量子模拟
在研究各种量子系统时，对各种汉密尔顿量和谱密度的开放量子动力学进行模拟是普遍存在的。在量子计算机上，模拟一个 N 维量子系统只需要 log 2 N 个量子比特，因此与传统方法相比，在量子计算机中进行模拟可以大大降低计算复杂度。最近，提出了一种用于研究光合作用光收集的量子模拟方法 [npj Quantum Inf. 4, 52 (2018)]。在本文中，我们应用该方法模拟各种光合作用系统的开放量子动力学。我们表明，对于 Drude-Lorentz 谱密度，供体和受体团簇内分别具有强耦合的二聚化几何结构表现出显著提高的效率。我们还证明，当供体和受体团簇之间的能隙与谱密度的最优值匹配时，总能量传递可以得到优化。我们还研究了不同类型的浴（例如欧姆、亚欧姆和超欧姆谱密度）的影响。目前的研究表明，所提出的方法对于模拟光合作用系统的精确量子动力学具有普遍性。
在AI中揭示隐私风险：数据，模型和系统Amanda Csipak数字农业将农艺学推向下一个绿色革命高电阻超速带隙半导体的光电流和金属接触的特性
超级带隙（UWBG）半导体固有地表现出很高的电阻率。该特性不仅提出了探索其电运输特性的挑战，而且很难制造，理解和表征这些材料上金属接触的电特性。在这里，我们报告了光电流的应用电场依赖性的测量和分析，以揭示金属接触对高电阻H-BN的传输特性的影响。我们的结果表明，即使对于H-BN，室温的电阻率高达10 14 x cm，供应金属触点也不是完全阻断的类型，正如先前对其他大型带隙绝缘材料中通常假设的那样。通过修改金属/半导体界面之间的边界条件，已经获得了定量描述，可用于确定金属触点是欧姆还是阻塞类型。此定量描述应适用于所有具有极高电阻率的UWBG半导体。这项工作还可以更好地了解金属接触类型如何影响UWBG半导体的运输特性。
第4章连接场效应晶体管理论和...
在A点和B点之间，它是JFET的欧姆地区。是欧姆定律遵循电压和当前关系的地区。在B点，对于V GS = 0条件，排水电流为最大，定义为I DSS。这是捏点，因为漏极到源电压V ds进一步增加。此时V ds电压称为捏电压V p。这也是电压点，在该电压点上，排出通力的电压V DG产生足够的耗竭厚度以缩小通道，从而使通道的电阻显着增加。由于V GS = 0，V DS也等于V DG。因此，通常，捏电压V P为V P = V DS（P）-V GS（4.1），其中V DS（P）是V GS值的捏合漏极到源电压。i dss和v p是制造商列出的给定JFET类型列出的常数值，这是Gate-to-Source电压v GS =0。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
聚焦离子束沉积碳铂纳米线用于低温电阻测温
我们研究了聚焦离子束沉积碳铂 (FIB C-Pt) 复合材料作为低温灵敏局部微温度计的用途，该复合材料可在器件制造的任何阶段无需使用掩模进行沉积。FIB 沉积是获得纳米级欧姆接触的常用方法 [20]。因此，它在这方面得到了广泛的研究。特别是，已经研究了 FIB C-Pt 的电阻率与成分 [21, 22, 23]、温度 [24, 25, 26, 27]、尺寸 [28, 29] 和沉积参数 [30, 31] 的关系。然而，FIB C-Pt 作为低温电阻温度计的潜力从未被研究过。虽然复合系统代表了一种新型的片上测温方法，但其成分元素 Pt [32, 33, 34, 35, 36, 37] 和 C [32, 38, 39] 已被用作电阻温度计，用于各种应用。对于纯 Pt 温度计，与大多数金属温度计一样，
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
作业1
（a）使用E +IΩT时间限制，nd频率依赖性复合电导率σ（ω）=σ1-iσ2。假设每个“ UID”对电动ELD独立响应，因此它们的贡献加起来形成了总导电率。（b）哪种简单的集总元素电路具有y = 1 /z（其中z是电路的复杂阻抗），其频率依赖性与σ（ω）相同？（c）表明，在低频极限（ω节）中，正常响应纯粹是欧姆的，而超级UID响应纯粹是感应的。在此限制中，使用经验关系：n s（t）= n 0 1 - （t/t c）4; n n n（t）= n 0 -n s（t），其中n o是材料中电子的密度。旁边：N s（t）的表达是清洁金属中超级UID密度的相当好的近似值，但是第二个表达式非常敬畏：n s（t）+ n n（t）不等于总电子密度。
五苯甲烷的形态，结构和电性能
研究了五苯薄膜在氧化锡（ITO）涂层玻璃上的物理和结构特性。使用20、30和60分钟的沉积时间的热蒸发方法沉积了五苯薄膜。现场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示，膜厚度随沉积时间的增加而增加，在60分钟时出现了散装相位层。通过五射线衍射（XRD）模式证明了与15.5Å晶格间距相对应的薄膜相位的存在，其沉积时间为20和30分钟。同时，在沉积时间为60分钟，晶格间距为14.5Å，在五苯甲酸膜中验证了散装相的存在。原子力显微镜（AFM）的五苯甲烷膜结晶度的图像显示，沉积在Ito涂层玻璃上的五苯甲烯膜表现出具有模块化晶粒的相似岛屿的形成，从而产生了细晶体结构。从电流 - 电压（I-V）和电流密度 - 电压（J-V）特性中，五苯甲烯薄膜是欧姆的，并且随着五苯苯乙烯的厚度的降低而增加。五苯甲烯膜在透明底物上的宽带和窄带光电设备的发展中显示出潜力。
对波浪状深色光子暗物质的最深敏感性和超导射频腔
波浪般的，玻色粒暗物质候选者（如轴和暗光子）可以使用称为卤素菌的微波腔检测到。传统上，卤素由在TM 010模式下运行的可调铜腔组成，但欧姆损失限制了其性能。相比之下，超导射频（SRF）腔可以达到约10 10的质量因子，也许比铜腔好5个数量级，从而导致更敏感的暗物质检测器。在本文中，我们首先得出了吊带镜实验的扫描速率与负载的质量因子Q L成正比，即使腔带宽比暗物质晕线线窄得多。然后，我们使用非偏高的超高质量SRF腔进行了概念验证搜索。我们排除了深色光子暗物质，具有χ> 1的动力学混合强度。5×10 - 16对于M A0¼5的深色光子质量。35μEV，几乎通过一个数量级获得了最深的范围排除在波浪状的深色光子上。