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具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
一项基于GAN的Betavoltaic电池的研究
摘要在本文中，通过金属 - 有机化学蒸气沉积和P型欧姆接触而生长了基于GAN的betavoltaic外延结构，以不同的Ni/Au金属厚度比，n 2：O 2：O 2（1：1）的温度依赖于这种同种疗程的n 2：o 2：o 2（1：1）的温度。转移长度方法测量是在每个不同的过程条件后进行的，以检查特定的接触电阻率。GAN的BETAVOLTAIC电池，并将扫描电子显微镜（SEM）用作测试这些设备的电子源。为此，将连接到印刷电路板连接的设备暴露于1.5 Na的电子电流，而SEM中的17 keV能量。对于1×1 mm 2设备，在0 V时的暗电流值为2.8 pa，填充系数为0.35，最大功率转换效率为3.92％，最大输出功率为1 µW。
通过原子层沉积多种缓解量
这项研究研究了使用原子层沉积（ALD）来减轻粒子加速器中使用的超导无线电频率内部的多重现象，同时在10个10范围内保留高质量的因子。在任意复杂形状对象上控制膜厚度至原子水平的独特ALD能力使TIN膜电阻率和总电源发射产量（TEEY）从优惠券到设备进行微调。这种控制水平使我们能够充分选择锡膜厚度，该薄膜厚度既可以提供高电阻率，以防止欧姆损失和低圆锥形，以减轻多重损失，以应用感兴趣。这项工作中所述的方法可以缩放到真空中受RF场的其他域和设备，并且对具有自身在电阻性和TEEY值的要求的多重或电子交换过程中敏感。
开放量子系统的自洽动力图
在某些情况下，可以使用依靠Born-Markov近似的主方程来成功描述开放量子系统，但是超越这些方法已经经常是必要的。在这项工作中，我们为开放量子系统介绍了NCA和NCA-Markov动力学图，这些量子系统超出了这些主方程式，以自隔一的近似值（称为非交叉近似（NCA））代替了天生的近似值。这些地图与主方程式正式相似，但允许以中等的数值成本捕获环境的非扰动效应。为了证明其功能，我们将它们应用于欧姆和亚欧姆环境的零温度下的自旋 - 玻色子模型，这表明它们既可以定性地捕获其强耦合行为，又可以在标准主方程之外进行定量正确。
与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。
AlN/AlGaN/AlN量子阱通道HEMT
我们对基于 Al x Ga 1 x N 量子阱通道的 AlN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的电气特性进行了成分依赖性研究，其中 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58。这种超宽带隙异质结构是下一代射频和电力电子器件的候选材料。使用选择性再生长的 n 型 GaN 欧姆接触会导致接触电阻随通道中 Al 含量的增加而增加。DC HEMT 器件特性表明，对于 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58，最大漏极电流密度分别从 280 mA/mm 逐渐降低到 30 mA/mm 再到 1.7 mA/mm。与此同时，这三个 HEMT 的阈值电压 (幅度) 同时从 5.2 V 降低到 4.9 V 再到 2.4 V。这一关于 Al 组分 x 对晶体管特性影响的系统实验研究为在 AlN 上设计用于高电压和高温极端电子器件的 AlGaN 通道 HEMT 提供了宝贵的见解。
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
设计最佳钙钛矿结构以实现高离子传导
为了降低欧姆损耗，电解质支持的固体氧化物燃料/电解池需要在高工作温度（> 800 °C）下工作，这是限制其商业化的主要因素之一。[1–3] 为了将工作温度降低到更具成本效益的范围（< 500 °C），人们进行了大量研究，以开发具有更高低温离子电导率的电解质。[4,5] 在这方面，掺杂钙钛矿体系（即 A 1–xA′xB1–yB′yO3–δ，其中 A′ 和 B′ 是异价掺杂剂）已成为氧离子导体的有希望的候选材料。例如，锶和镁共掺杂的LaGaO3由于其具有竞争力的离子电导率（600°C时> 0.01 S cm-1）和化学稳定性，被认为是氧化钇稳定氧化锆的极佳替代品。[6–8]但是，尽管具有这些诱人的特性，但很少有高性能替代品被发现[9,10]，而且还没有系统地设计这类材料的方法。
锂离子电池研究中的Rheo-sumpedance测量
碳纳米管（CNT）近年来一直在LIB电极的发展中成为下一代导电添加剂。CNT由在管状结构中排列的SP 2碳组成。它们的纵横比使它们成为导电添加剂的理想选择，其中一些品种的直径在纳米尺度上，并且长度在微米尺度上。它们的性质是可调的，并且取决于层，结构缺陷，平均物理维度和表面功能化的数量。由于这种独特的结构和高电子电导率，CNT有望降低电极的欧姆电阻，提高快速充电期间的容量和容量的保留，并最终延长周期寿命。lifepo 4（LFP）是Lib阴极的活性材料，由于其高热稳定性，循环稳定性和低成本，因此越来越多地采用。但是，LFP的电导率较低。在LFP中添加少量CNT可以提高电导率，从而使LFP/CNT成为LIB电极中日益流行的组合。
离子，溶剂和热相互作用系数对电池电压的影响
摘要：为了增加电池以进行可持续运输和储能，需要提高锂离子电池的充电和排放能力。为了实现这一目标，描述细胞内部状态的准确数据至关重要。已经得出了几种模型，并报告了这些模型中的运输系数。我们首次报告了一组完整的传输系数，以建模锂离子电池电池三元电解质中的浓度和温度极化，从而使我们能够测试常见的假设。我们包括化学势和温度下的梯度引起的效果。我们发现，由于盐和溶剂极化引起的电压贡献与欧姆损失相同，并且必须考虑到更准确的建模和对电池性能的理解。我们报告了新的Soret和Seebeck系数，并发现与电池研究相关的情况下，热极化很重要。总体上，分析适用于电化学系统。■简介