机构名称：
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摘要在本文中，通过金属 - 有机化学蒸气沉积和P型欧姆接触而生长了基于GAN的betavoltaic外延结构，以不同的Ni/Au金属厚度比，n 2：O 2：O 2（1：1）的温度依赖于这种同种疗程的n 2：o 2：o 2（1：1）的温度。转移长度方法测量是在每个不同的过程条件后进行的，以检查特定的接触电阻率。GAN的BETAVOLTAIC电池，并将扫描电子显微镜（SEM）用作测试这些设备的电子源。为此，将连接到印刷电路板连接的设备暴露于1.5 Na的电子电流，而SEM中的17 keV能量。对于1×1 mm 2设备，在0 V时的暗电流值为2.8 pa，填充系数为0.35，最大功率转换效率为3.92％，最大输出功率为1 µW。
一项基于GAN的Betavoltaic电池的研究
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