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2024 年 5 月 14 日 JX Advanced Metals Corporation
JX先进金属集团中长期经营战略和经营目标 JX先进金属株式会社（社长：林洋一；“本公司”）更新了2023年5月公布的2023年至2025年度中期经营计划，并根据当前的举措和经营环境制定了中长期经营战略和经营目标。 为了确保这些战略和目标的实施和实现，JX先进金属株式会社及其子公司和附属公司（“本集团”）将作为半导体和ICT材料领域的全球领导者，共同努力，以先进材料为社会发展和创新做出贡献。 1.经营方针 2019年6月，本集团制定了长期愿景2040（2023年5月部分修订），并确立了基本方针。本集团从“流程工业型企业”转型为“技术型企业”，在日益激烈的国际竞争中，力争成为半导体和ICT材料领域的全球领导者，实现高利润结构，为实现可持续发展社会做出贡献。在这一方针下，我们将半导体材料部门和ICT材料部门组成的重点业务定位为增长战略的核心，开发先进材料领域的差异化技术，开拓市场，力争实现超过市场增长的利润增长。对于由金属和回收部门组成的基础业务，在最佳规模的业务结构下，我们旨在通过稳定供应铜和小金属来支持重点业务，同时为解决ESG问题做出贡献。 2. 经营环境展望 (1) 重点业务：半导体材料部门 2017年至2022年，半导体逻辑和存储器市场年均增长率为6.1%1。2023年市场继续调整。然而，展望未来，预计在生成式人工智能的增长以及电动汽车等产品日益普及的推动下，市场在2023年至2027年期间将以7.6%1的年均增长率增长。 由于半导体市场不断增长且主要客户计划开始运营新工厂，半导体溅射靶材的使用量预计会增加。半导体溅射靶材是公司在PVD 2 中使用的主要产品，用于制造逻辑和存储器等各种半导体器件。此外，随着需要多层化和小型化的先进半导体的发展，PVD 中半导体溅射靶材的使用量预计会增加，CVD 3 和 ALD 4 薄膜形成的需求也会增加。从中长期来看，预计小芯片的市场渗透率将提高，我们预计，在芯片间布线等应用领域，成膜需求将会扩大。
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
超级电容器的农业废物中的金属掺杂石墨烯的大规模生产：包容性DFT研究
与纳米科学结合的方法不仅是一个成本效率的过程，而且不会产生严重的环境危害，因此可以将废物管理技术提升到一个新的水平。石墨烯由具有SP 2杂交的石墨的2D单层纸组成。最近，石墨烯已成为各种科学技术的直接应用的新潜在候选者，即，能量转换和能源存储设备，生物成像，药物输送，燃料电池和生物传感器。2 - 5这主要是由于石墨烯的奇妙特性，例如其高电导率，巨大的表面积，轻量级结构以及出色的机械和拉伸强度。6,7此外，石墨烯纳米片中的金属掺杂增强了其潜在应用，尤其是在储能和转换设备，燃料电池，聚合物复合材料以及生物传感应用中的范围内。6 - 8先前，已经引入了各种方法，用于通过物理蒸气沉积（PVD），化学蒸气沉积（CVD），耦合反应，电化学剥落和Hummers方法以及溶剂分析方法以及液化方法的定性生产。8然而，在科学界社区中，使用环保和成本效率的路线的金属掺杂石墨烯纳米片的批量生产仍然是一个挑战。agw是一个不错的选择，可以用作生产金属掺杂石墨烯纳米片的原材料
A.物理 - GISC-马德里大学合并 div>
自Geim和Novoselov [1]获得石墨烯以来，由于各种原因，二维（2D）材料的实验和理论表征是一个非常活跃的研究主题。其中，与散装相比，相比之下，大量的潜在应用，新的物理现象的出现以及很重要的是调整其性质的易感性[2-10]。这些2D材料可以通过自上而下的方法（例如3D层状晶体的液体或机械去角质）或自下而上的技术获得，例如分子束外观外观（MBE），化学蒸气沉积（CVD）和物理蒸气沉积（PVD）。它们的构成非常多样化；研究最多的2D材料是过渡金属硫化剂，六边形硼n- tride（H-BN），磷化物（BP），磷烯，硅，硅，德国烯以及一年一度增加到一年的长列表[11，12]。是由大量合成和理论上提出的2D材料的动机，计算2D材料数据库（C2DMDB）是将稳定性及其基本物理化学特性分类的替代方法[2,4,5]。C2DMDB包含几种尚未达成的材料，这些材料是第一次提出的，或者先前已提出的材料，并已被验证为热和动态稳定。一个例子是Penta-Graphene（PG），Penta-Graphene（PG）是由Pentagons组成的一种新的碳。Penta-Graphene于2014年首次由Tang等人提出。[13]，后来由Zhang等人。[14]。尽管到目前为止尚未合成PG，但其物理化学
Kaş所以Teker博士 印度尼西亚能源过渡管理领域的未来可持续能源政策的塑造
Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。 他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。 获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。 他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。 他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等 ），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。 他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。 博士，伊斯坦布尔博 博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。 üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。博士，伊斯坦布尔博博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005培训信息博士学位，案例西部储备大学，工程学学院，材料科学与工程学院，美国1996年至2001年硕士，俄亥俄州立大学，工程，材料科学与工程学院，美国，1994年 - 1994年 - 1994年 - 1996 - 1996 - 1996 - 1996-1996-1996-1996-1996冶金与材料工程系教授，土耳其1988年至1993年，研究领域光电材料和设备，半导体材料和设备，材料科学与工程，工程和技术学术标题 /任务冶金与材料工程系工程学院马尔马拉大学博士教授，2020年 - 继续教授伊斯坦布尔大学博士教授，工程与自然科学学院，电气与电子工程系，2016年至2020年。
巴西
慢性肝功能衰竭，n（%） 20（0.37） 12（0.24） 8（2.17） <0.001 肿瘤，n（%） 587（10.84） 543（10.76） 44（11.92） 0.543 免疫抑制，n（%） 94（1.74） 83（1.64） 11（2.98） 0.091 慢性阻塞性肺病，n（%） 185（3.42） 167（3.31） 18（4.88） 0.146 高血压，n（%） 3673（67.82） 3395（67.27） 278（75.34） 0.002 哮喘，n（%） 176（3.25） 166 (3.29) 10 (2.71) 0.650 糖尿病，n (%) 1900 (35.08) 1759 (34.85) 141 (38.21) 0.212 既往 MI，n (%) 416 (7.68) 389 (7.71) 27 (7.32) 0.864 既往 DVT，n (%) 75 (1.38) 72 (1.43) 3 (0.81) 0.457 PVD，n (%) 75 (1.38) 67 (1.33) 8 (2.17) 0.270 慢性 AFib，n (%) 242 (4.47) 219 (4.34) 23 (6.23) 0.117 既往卒中，n (%) 778(14.36) 724(14.34) 54(14.63) 0.939 吸烟，n(%) 369(6.81) 344(6.82) 25(6.77) 1.000 酗酒，n(%) 219(4.04) 197(3.90) 22(5.96) 0.072 消化性溃疡，n(%) 24(0.44) 21(0.42) 3(0.81) 0.483 甲状腺疾病，n(%) 377(6.96) 345(6.84) 32(8.67) 0.218 血脂异常，n(%) 492(9.08) 457(9.05) 35 （9.48） 0.854 不良事件
第2章 - 硅微加工
2.1硬制造考虑。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.1.1传统MEMS材料。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.1.2硅。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。21 2.2光刻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 26 2.2.1掩码创建。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 27 2.2.2晶圆清洁。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 28 2.2.3二氧化硅热硅。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 2.2.4抵抗应用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 2.2.5紫外线曝光。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33 2.62.6开发。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>35 2.2.7技术考虑。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>36 2.3蚀刻方法。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。38 2.3.1可用技术。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 2.3.2等离子体蚀刻（PE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 2.3.3反应离子蚀刻（RIE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39 2.3.4物理溅射（PS）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。42 2.3.5离子束铣削（IBM）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43 2.3.6反应性离子梁蚀刻（RIB）和化学辅助离子束蚀刻（Caibe）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43 2.4薄膜沉积过程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 2.4.1物理蒸气沉积（PVD）。 。 。42 2.3.5离子束铣削（IBM）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 2.3.6反应性离子梁蚀刻（RIB）和化学辅助离子束蚀刻（Caibe）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 2.4薄膜沉积过程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 2.4.1物理蒸气沉积（PVD）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 2.4.2化学蒸气沉积。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。51 2.5离子植入。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。53 2.6湿泡表面微加工。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。54 2.6.1硅晶片。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55 2.6.2各向同性和各向异性蚀刻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57 2.6.3选择硅晶片方向。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。54 2.6.1硅晶片。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。55 2.6.2各向同性和各向异性蚀刻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。57 2.6.3选择硅晶片方向。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。57 2.6.3选择硅晶片方向。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。60 2.7干式表面微加工。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。63 2.7.1深反应离子蚀刻（DRIE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。63 2.7.2单晶反应性etking和金属化（尖叫）64 2.7.3 Liga和UV-Liga。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.8己二。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.9电镀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.10底物键合。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。68
ICCC血液学试验新闻通讯_FEB 2025.PUB
ACT16482：与iSatuximab与pomalidomide和pomalidomide和dexametherone相比，在复发或重质型多发性多发性骨髓瘤（RRMM）中，与新型药物相比，与新型药物相比，对ISATUXIMAB进行了有或不与新型药物的结合，评估ISATUXIMAB的雨伞试验1-2阶段试验。**子研究06 ** CA057-001：第3阶段，两阶段，随机，多中心，开放标签研究比较CC-92480，borte-Zomib和Dexamethersone（480VD）与Pomalido-Mide-Mide-Mide-Mide，bortezomib and Borteymib（borteymib and dexamassone in Cross ins toxamib and dexamase ins in Cross crots crots of toxamase ins to conteprory Miy in （RRMM）。majestec-7：一项3阶段随机研究，比较teclistamab与Daratumumab SC和Lenalidomide（Tec-DR）与Daratumumab SC，le-Nalidomide和Dexamethasone（DRD）结合使用，与新诊断的多发性多发性多发性多发性疗法相结合。Monumental-6：比较Talquetamab加上Pomalidomide，Talquetamab Plus Teclistamab和Elotuzumab，pomalidomide和Dexamethasone或Poma-lidomide，Bortezomib，Bortezomib和Dexamethib intyprymoma antapsed Myeloma pant and antapsed Myeloma的研究列纳莱度胺。tcd17710：第一个人类，开放标签期1/2研究，研究SAR445514的安全性和功效，靶向B细胞参与者（NKCE），靶向B细胞成熟抗原（BCMA）在参与者中的单位疗法中，具有重新效果/抑制性多发性脑瘤（RE-RRAPS）（RE-RRY-LAPS），RE-RRID-l-l-l-l-l-l-l-l-l-l-l-- （rrlca）。lts17704：国际，多中心，开放标签，治疗扩展研究对多发性骨髓瘤患者的研究，这些患者仍从基于ISATUXIMAB的治疗中受益于1、2或3期父母研究后。**父母研究TCD15484和IKEMA **磁性症：Elranatamab（PF-06863135）的随机，2臂，第3阶段研究，与新诊断出未降低的多发性骨髓瘤的患者在未经降低的自动瘤干细胞纤维细胞后被新诊断出多发性骨髓瘤患者。
缺血性心脏病和急性冠状动脉综合征患者的2型糖尿病的诊断和治疗 - 证据和
2型糖尿病（T2DM）代表了21世纪的主要医疗保健状况。其特征是由于周围胰岛素抵抗和胰岛素产生降低而导致血糖持续升高，这可能导致多种长期健康状况，例如视网膜病变，神经病和肾病。估计的糖尿病（DM）患者的人数预计到2035年将增加到5.91亿，仅英国（英国）440万，其中90％归因于T2DM。此外，很大一部分的个体可能患有未发现的糖尿病，尤其是在出现缺血性心脏病症状（IHD）的患者中。这在那些患有急性冠状动脉综合征（AC）的个体中尤其重要，这些人处于并发症和心脏猝死的风险最高。鉴定糖尿病的常见生化标志物的异常水平，例如这些患者的毛细血管血糖或糖化血红蛋白（HBA1C）对于早期诊断很重要，然后这将允许及时干预以改善结果。然而，符合诊断糖尿病标准的个体的显着比例仍未被诊断，这代表了早期干预的错过的机会。这可能会导致长期未经治疗的高血糖时期，这可能导致显着的进一步的微血管和大血管并发症。IHD，心力衰竭，脑血管事故（CVA）和周围动脉疾病（PVD）的风险增加。这些帐户占T2DM患者死亡的50％。心血管疾病特别是发病率和死亡率的重要原因，T2DM患者的心血管疾病风险高两到三倍，而不是那些患有正常血糖的情况。仅在英国英国，大约有120次截肢，770 CVA，590个心脏病发作和
碳覆盖材料在高温退火过程中对
关键词：离子注入、SiC、封盖、碳、退火。摘要本研究报告了一项广泛的研究，研究了离子注入 SiC 材料高温退火过程中使用的封盖材料对表面粗糙度和质量、掺杂剂分布和扩散以及晶体缺陷的影响。本研究调查了化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 和热解光刻胶 (PR) 碳封盖材料。CVD 碳层（也称为高级图案化膜 (APF®)）是使用 Applied Producer® 沉积的。引言 在加工碳化硅 (SiC) 晶片以制造功率 MOSFET 和二极管 [1] 等微电子器件的过程中，离子注入后在衬底晶片顶部沉积一层保护层，以防止 Si 升华和台阶聚束形成以及其他表面缺陷的出现 [2, 3, 4]，从而保持表面质量，这些缺陷发生在激活 SiC 中掺杂剂所需的高温退火步骤中 [5]。这项工作研究了在这种高温退火过程中使用的保护性覆盖材料对表面和块体材料质量的影响。实验细节 在高温 (500 ˚C) 下用铝离子注入样品，铝离子以 180 keV 和 2.5E15 离子/cm2 的剂量加速，以便在约 0.2 微米深度处实现约 2E20 离子/cm3 的峰值浓度。然后用不同的碳基材料覆盖样品，然后在 1800˚C 下退火 30 分钟。然后用 O2 灰分去除保护盖，随后进行清洁和擦洗，然后进行原子力显微镜 (AFM)、在 SICA 工具上实现的表面和体光致发光 (PL) 以及二次离子质谱 (SIMS)。结果我们报告了模拟和 SIMS 显示的铝注入后轮廓之间的出色一致性