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字母自动多-PZTS能量收获界面基于可扩展的PSSHI纠正，并使用功率区域优化技术Guozhu Che
摘要本文提出了一种基于对电感器（PSSHI）的可扩展平行同步开关收集的自动多重压电（多PZTS）能量收集界面，该开关收获了功率区域优化技术。可扩展的PSSHI整流器可以接受任意阶段的多PZTS电压输入，从而解决了电荷冲突问题。功率区域优化器可以帮助整流器在高输出功率区域内运行。同时，电路中的所有活动设备均由收获的能量提供动力。最后，实验结果表明，电路的平均充电能力为559.8°W，能量转换效率为80.7％。与没有功率区域优化的可扩展的PSSHI整流器相比，该电路中的平均充电功率增加了94％。此外，实验测试表明，接口电路可以完全实现冷启动和自动供应。关键词：多个压电能量收获，可扩展的平行同步开关收获（PSSHI），功率区域优化分类：能量收集设备，电路和模块
PZT微型转移打印用于光子MEMS
铅锆钛酸盐（PZT）是一种广泛用于微电动机电（MEMS）技术的压电材料，主要是由于其强烈的压电和机电耦合系数[1]。然而，由于PT缓冲液的损失，传统上用于生长PZT薄膜[2]，因此其在光子综合电路（图片）中的应用受到限制。通过化学溶液沉积（CSD）方法[3]，具有透明缓冲层（LA 2 O 2 CO 3）生长的PZT膜[3]，并通过Pockel的调节证明了其在光子应用中的潜力[4]。但是，在这种方法中使用的薄缓冲层的自旋涂层需要平面样品表面，从而限制了其范围。微转移打印（µ tp）可能是绕过这种瓶颈的一种方法[5]。在本文中，我们报告了悬挂的长度高达4 mm的悬挂式PZT优惠券，宽度高达120 µm。然后，我们成功传输了SI基板上的PZT优惠券。这些结果证明了一种可以使PZT膜在芯片的所需位置中稳定的，而完整芯片均匀地平面化的技术。此外，此方法可以为各种光子学应用程序设计MEMS执行器提供额外的自由。
具有准封闭振膜的 PZT MEMS 扬声器
非封闭式振膜的压电MEMS扬声器有望产生高声压级（SPL），但存在严重的振膜破裂问题。本文提出了一种具有准封闭式振膜的新型压电MEMS扬声器。准封闭式振膜由对角切割但中心相连的振膜组成，振膜上涂有一层薄薄的Parylene-C。在应力分散结构的共同作用下，Parylene-C薄膜的应用可防止振膜破裂并显著减少空气损耗。成功制作了尺寸为2.5×2.5 mm 2 的小尺寸MEMS扬声器，并在711耳模拟器中对其声学性能进行了测试。在驱动电压为4 V pp 下，测得的SPL在11.8 kHz时达到最大值124 dB。在 35 V pp 的电压下，低频范围 (20 – 500 Hz) 内的 SPL 进一步增加到 88 dB。
集成在（111）Si
摘要：在我们最近发表的论文中（Y.-Y.Wang等人，高性能lanio 3-缓冲，（001）面向的PZT PIDZOELECTRICRICRICRICFMS集成在（111）Si，Appl。物理。Lett。 121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。 这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。 然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。 在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。 通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。 后者被证明是压电性能恶化的主导因素。 因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。 此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。Lett。121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。后者被证明是压电性能恶化的主导因素。因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。
磁控溅射锆钛酸铅（PZT）薄膜涂层的制备、微观结构与性能
摘要：与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比，锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能，是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性，但需求迫切。因此，有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比，本综述重点介绍了磁控溅射技术，因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中，我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数（如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等）和功能特性（如介电、压电和铁电等）。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性，为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。
PZT400系列
电性能介电常数k t 33-1395 1320 1650 1350 1350 1325 k t 11-1303 1331 1400介电损失tanδ％0.20 0.20 0.22 0.30 0.30 0.30 0.35 2.50凝固场 - 0.35 0.33 0.36 0.33 0.34 0.38 k 33 - 0.67 0.70 0.71 0.68 0.70 0.74 k t - 0.42 0.43 k 15 - 0.70 0.71 0.72 0.60 0.70 Charge or Strain Constants d 33 pC/N or pm/V 315 307 372 315 315 325 d 31 pC/N or pm/V 132 125 159 135 130 150 D 15 PC/N或PM/V 511 495 515 480电压或应力常数G 33 x 10 -3 V m/n 25.5 26.3 26.3 25.5 26.4 26.9 30.0 30.0