机构名称：
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铅锆钛酸盐（PZT）是一种广泛用于微电动机电（MEMS）技术的压电材料，主要是由于其强烈的压电和机电耦合系数[1]。然而，由于PT缓冲液的损失，传统上用于生长PZT薄膜[2]，因此其在光子综合电路（图片）中的应用受到限制。通过化学溶液沉积（CSD）方法[3]，具有透明缓冲层（LA 2 O 2 CO 3）生长的PZT膜[3]，并通过Pockel的调节证明了其在光子应用中的潜力[4]。但是，在这种方法中使用的薄缓冲层的自旋涂层需要平面样品表面，从而限制了其范围。微转移打印（µ tp）可能是绕过这种瓶颈的一种方法[5]。在本文中，我们报告了悬挂的长度高达4 mm的悬挂式PZT优惠券，宽度高达120 µm。然后，我们成功传输了SI基板上的PZT优惠券。这些结果证明了一种可以使PZT膜在芯片的所需位置中稳定的，而完整芯片均匀地平面化的技术。此外，此方法可以为各种光子学应用程序设计MEMS执行器提供额外的自由。
PZT微型转移打印用于光子MEMS
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