作者要感谢并感谢以下审稿人对本报告的贡献和反馈:Michael Milligan博士。 (Milligan Grid Solutions); Ric O'Connell和Priya Sreedharan(Gridlab); Alison Silverstein(Alison Silverstein Consulting); Derek Stenclik(Telos Energy,Inc。);威尔逊·里克斯(Wilson Ricks)(普林斯顿大学零实验室);以及埃里克·吉蒙(Eric Gimon),迈克尔·奥博伊尔(Michael O'Boyle)和布伦丹·皮尔彭(Brendan Pierpont)(能源创新)。本报告的内容仅是作者的责任,不一定代表审稿人的观点。作者还要感谢Greg Alvarez,Silvio Marcacci,Shannon Stirone和Cassady Craighill团队为准备这份报告提供帮助。此外,作者还要感谢Mina Lee在图形方面的贡献,Larry Pearl和Utility Dive发表了原始的“可靠性真实演讲”系列,这是本报告的基础。所有照片均在CC下由2.0许可。
我们提供一篇博士论文,研究液氦温度下半导体器件的老化机制。基于电气测量,确定并深入研究了 4.2 K 下的相关物理老化机制。开发或扩展了低温老化模型。过去二十年来,量子计算一直是基础研究中一个非常活跃的领域。在过去的 5 年里,它已经达到了成熟的水平,商业应用触手可及。英飞凌希望通过研究不同的量子系统及其在低温下的电子环境来推动这一发展,以便操纵和读取这些系统。在半导体器件中,许多物理效应会导致器件电气参数的漂移,进而导致整个电路故障。预测这种漂移在整个生命周期中的现象对于确保电路的功能性非常重要。对于量子计算应用,需要研究低温下的退化效应,并分别开发物理模型。
物理不可克隆函数 (PUF) 是一种加密原语,可作为低成本、防篡改的唯一签名和密钥生成以及设备识别机制。环形振荡器 (RO) PUF 是研究最多的 PUF 架构之一,这主要是因为它的简单性。在现代电路中广泛采用 PUF 时,可靠性起着重要作用。由于当今 PUF 的可靠性问题,其实施成本使其不适合工业应用,如 [1] 所示。这项工作的目标是定义一种基于测量的振荡频率差异来评估 RO-PUF 响应可靠性的方法。除了对挑战的响应之外,该方法还将在运行时提供响应是否可靠的信息。Maes 在 [2] 中是最早展示 PUF 可靠性和其熵之间的权衡的人之一。Schaub 等人在 [3] 中提供了一种用于延迟 PUF 的通用概率方法,其中可靠性和熵之间的权衡基于信噪比 (SNR) 建模,并通过实际测量进行验证。Martin 等人的另一项工作 [4] 提供了一种基于 FPGA 提取数据的 PO-PUF 可靠性评估指标。这里,可靠性和熵之间的权衡是根据实验数据估算的。还需要提到的是,可靠性受老化的影响很大 [5],但其影响很难研究。相比之下,我们提出了一种可以改进最先进技术的方法,因为它提供了一种基于不同环境条件下的离线研究来动态估计可靠响应的方法。
摘要 - 这项工作对在DNA存储系统中成功检索使用MDS代码(例如Reed-Solomon代码)的数据的概率进行了理论分析。我们在独立和相同分布(I.I.D.)替换错误,重点是结合内部和外部MDS代码的常见代码设计策略。我们的分析表明,这种概率如何取决于诸如测序读数的总数,它们之间的分布,内部代码和外部代码的速率以及替换误差概率。这些结果提供了可行的见解,可在可靠性约束下优化DNA存储系统,包括确定可靠数据检索所需的测序读取数量的最小数量,并确定内部和外部MDS代码速率之间的最佳平衡。
数字电路和系统的高可靠性得益于多种方法。这些方法确保设计在规定的条件下和预计的使用寿命内发挥其功能。它们涵盖了与电子产品的制造和现场运行相关的不同方面。例如,洁净室控制杂质,工业控制系统实现生产一致性;封装前后的老化和测试确保在对电路施加应力后检测到设计弱点和制造缺陷。在将半导体推向市场之前,所有这些方法都是必要的,但它们并非万无一失。尽管小型化提供了许多优势,但每个新的 CMOS 节点都面临可靠性问题,因为这一趋势正在迅速接近操作和制造的物理极限 [1]。数字系统在其使用寿命的三个阶段可能会出现故障,如图 1 中的浴盆曲线所示 [39]。早期故障被称为早期死亡率;工作寿命期间发生随机故障,磨损故障
摘要 - 在本文中,我们研究了基于多层结构(ML)的创新卵子阈值开关选择器(OT)。多亏了物理化学分析和电特性,我们显示了如何通过每个单独的层化学计量,厚度和接口的工程来调整MLS的性质和结构。ge/n掺杂的MLS OT,从而揭示了Asepososed材料中存在的结构特征以及接口处的单个层之间的强相互作用。我们证明了通过共扩散技术实现的电气参数的可变性wrt标准OT的可变性,并且MLS OTS的高耐力能力高达2·10 9以上,具有稳定的Na泄漏电流。此外,我们还显示了GE-N键在400℃的OT热稳定性中发挥着重要作用,以及如何在ML OT中更容易调节它们。这些发展为通往新的OTS材料及其工程的道路铺平了道路,从而确保了高温稳定性和对电气表演的最佳调整。
本文介绍了一种集成系统,通过战略性地管理 k-out-of-n :G,COLD 系统中电池的修复和补充,确保系留高空平台系统 (HAPS) 不间断电源供应。我们假设电池是相同的,它们的寿命彼此独立且呈指数分布。电池因故障而独立劣化并等待修复。当工作电池数量减少到 L ð L < n Þ 时,修复设施启动,当运行电池数量下降到 N ð N < L Þ 时,下达 n −k + 1 块电池的补货订单。我们推导出系统状态概率的显式解并分析关键性能指标。此外,我们采用粒子群优化 (PSO) 算法来确定所提优化问题的最佳成本,并使用 Morris 方法进行灵敏度分析。结果为 HAPS 的有效电池管理策略提供了见解,确保可靠的电源供应同时最大限度地降低成本。 [DOI: 10.1115/1.4067545]
概括性理论是围绕一组变异来源组织的,称为方面。这些是差异的驱动因素(项目,评估者,观察)。方面是指类似的测量案例。该方面的每个级别称为条件。表现出感兴趣的系统变化(学生,对象,观察者)的测量对象是代表真实,系统变化的测量对象,而不是变异的来源。在此实验中,测量学科是学生(S),三个组成部分是任务(T),场合和评估者(R)。根据居登的布伦南(Brennan)(2019年)的说法,这些方面可以分为两个广泛的类别:分化和仪器方面的方面。Orluwene和Memory(2020)将区分方面进一步分为嵌套和穿越方面。 框架A和B“交叉”当每个方面都知道每个方面的水平Orluwene和Memory(2020)将区分方面进一步分为嵌套和穿越方面。框架A和B“交叉”当每个方面都知道每个方面的水平
d'Angers,Laris,SFR Mathstic,F-49000 Angers,法国。电子邮件:mihaela.barreau@univ-angers.fr集成电路(IC)的电磁兼容性(EMC)应在可取的水平范围内,以维持在不同复杂的自动动力和航空应用中电子系统的功能安全性和可靠性。在IC的整个操作寿命中,严峻的环境条件在内,包括极高或低温,湿度,冲击和压力倾向于引起内在的物理降解,这会导致IC设备的长寿EMC性能的显着变化。因此,确保保持电磁鲁棒性(EMR)并在整个生命周期内整合IC可靠性是需要解决的关键挑战。本文的目的是进行一项全面的最先进研究,以开发基于各种衰老加速生命测试的各种IC EMC测量方法的定量评估IC的准确免疫力和发射模型。产生准确的瞬态EMC模型不仅有助于估计IC的EMC免疫和发射水平,而且还可以确定当应用于IC模型结构时,由于射频干扰而导致的不同故障类型和机制。本文介绍了一些有关基于IEC标准模型的ICS进行的有关脉冲免疫力以及ICS的发射模型的一些研究,展示了对衰老影响的不同IC销的电气快速瞬变(EFT)模拟和测量结果。先前的研究表明,根据衰老应力参数,衰老对IC的EMC性能的重要性。当前研究的未来观点将涉及在加速生命测试中为IC在其整个生命周期内提出和实施预测可靠性模型。关键字:EMC,电磁鲁棒性,可靠性,集成电路,进行免疫和发射模型,EFT。
