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AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
纳米SiO2 改性聚丙烯薄膜热力学性能的分子动力学模拟
第 45 卷 第 5 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.45 No.5 Mar.5, 2025 2025 年 3 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2025 Chin.Soc.for Elec.Eng.2003
设计师SIO2元面积用于有效的被动辐射冷却
近年来，文献中提出了越来越多的被动辐射冷却材料，由于其独特的稳定性，无毒性和可用性，其中有几个示例依赖于使用二氧化硅（SIO 2）。尽管如此，由于其散装声子 - 孔子带，Sio 2在大气透明度窗口内呈现出明显的反射峰（8-13μm），从而导致发射率降低，这构成了挑战，以实现对亚物种的次级辐射辐射冷却的标准。因此，该领域的最新发展专门用于设计Sio 2光子结构的设计，以增加散装SIO 2辐射冷却器的冷却潜力。本综述旨在通过评估其冷却效率及其可扩展性来确定SIO 2辐射发射器的最有效的光子设计和制造策略，从而对各种类型的各种类型的sio 2 radiative Coolers sio（数值和实验）进行了深入的分析。
嵌入SiO2
x ge x /sio 2界面，而不是通过脱位成核。该机制导致嵌入式层的形态演化和局部肿胀，这是由SIO 2的粘性流促进的。在这些温度下，Si 1-X Ge X膜在粘性SIO 2中扩展，以最大程度地减少应变能。几何相分析证实，横向膨胀会导致GE凝结过程中积累的应变的松弛。我们建议这种现象可能是文献中已经报道的屈曲机制的起源。这项研究表明，Sio 2可以作为有效的符合性的符合性的底物，用于无缺陷的无缺陷GE RICE SI 1-X GE X薄膜。基于SIO 2矩阵粘弹性的新通用松弛过程可以应用于SI 1-X GE X膜以外的许多其他系统。这里制造的高质量无缺陷富富富富膜可以作为SI基板上各种2D或3D材料异质整合的良好模板。
通过绿色合成Nio -Sio2复合材料与柑橘柠檬皮提取物
Ihsan Ali Mahar，Aneela Tahira，Mehnaz Parveen，Ahmed Ali Hulio，Zahoor Ahmed Ibupoto等。 材料科学杂志：电子学中的材料，2024，35（7），pp.490。 10.1007/S10854-024-12156-9。 hal-04577661Ihsan Ali Mahar，Aneela Tahira，Mehnaz Parveen，Ahmed Ali Hulio，Zahoor Ahmed Ibupoto等。材料科学杂志：电子学中的材料，2024，35（7），pp.490。10.1007/S10854-024-12156-9。hal-04577661
短脉冲激光辅助制造Si-Sio2微冷却装置
摘要：热管理是最苛刻的检测器技术和微电子学的未来的主要挑战之一。微流体冷却已被提议作为现代高功率微电子中热量耗散问题的完全集成解决方案。基于硅的微流体设备的传统制造涉及用于表面图案的先进的，基于面膜的光刻技术。此类设施的有限可用性阻止了广泛的开发和使用。我们演示了无掩模激光写作的相关性，以有利地替换光刻步骤并提供更原型的过程流。我们使用脉冲持续时间为50 ps的20 W红外激光器雕刻并钻出525 µm厚的硅晶片。阳极键与SIO 2晶片用于封装图案表面。机械夹紧入口/出口连接器完成了完全操作的微动设备。该设备的功能已通过热流体测量验证。我们的方法构成了一个模块化的微观分化解决方案，该解决方案应促进针对共同设计的电子和微流体的新概念的原型研究。
使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
Sio2/nbox复合材料的合成和应用...
在这项研究中，通过高能机械铣削随后进行了热处理，合成了一种新型的SIO 2 /NBO X复合材料，旨在探索其作为环境修复的吸附剂的有效性。使用X射线衍射（XRD），X射线荧光（XRF），氮吸附 - 吸附等温线，热力计分析（TGA），傅立叶型红外光谱（FTIR）和扫描电子显微镜（SEM）（SEM）进行彻底表征。XRD分析证实了SIO 2 /Nbox复合材料的无定形性质，与SI相比，NB的显着存在（81.1％）（15.8％），如XRF分析所示。在水溶液中使用亚甲基蓝（MB）染料进行了吸附研究，评估受控条件下的吸附能力和动力学。该复合材料表现出快速吸附能力，遵循伪一阶动力学模型，在短时间内达到39.32 mg g -1。Langmuir等温模型拟合了吸附数据，表明最大容量为16.7 mg g -1。这些发现突出了SIO 2 /NBO X作为去除染料的有效吸附剂的潜力，这有助于环境友好的废水处理解决方案。
使用AG – SIO2选择性吸附，然后是GC×GC-FID
从废物塑料和轮胎中测定热解油中的烯烃对于优化热解过程至关重要，尤其是在圆形经济方面进一步先进的这些油。识别烯烃，即使使用GC×GC等高分辨率技术，也没有TOF-MS具有挑战性，这允许修改电离步骤。当前，确定塑料热解油中烯烃的唯一方法是GC-VUV，最近标准化为ASTM D8519。但是，对于许多从事塑料回收工作的研究团队来说，TOF-MS和VUV在条件中不起作用。本文引入了一种简单的方法，用于在AGNO 3 /SIO 2上选择性微尺度吸附，然后进行GC×GC-FID分析。烯烃在去除前后各个碳氢化合物群中的色谱区损失间接确定。仅需要50μl样品和15分钟的样品分离。我们的方法得到了广泛的验证，并可靠地确定了在轻度氢处理后，来自塑料和轮胎及其产品的多种热解油中的烯烃含量。对于所有通过热化学过程进行塑料回收利用的研究人员和工业公司来说，它负担得起，因为它不需要MS检测器。