机构名称：
¥ 2.0
x ge x /sio 2界面，而不是通过脱位成核。该机制导致嵌入式层的形态演化和局部肿胀，这是由SIO 2的粘性流促进的。在这些温度下，Si 1-X Ge X膜在粘性SIO 2中扩展，以最大程度地减少应变能。几何相分析证实，横向膨胀会导致GE凝结过程中积累的应变的松弛。我们建议这种现象可能是文献中已经报道的屈曲机制的起源。这项研究表明，Sio 2可以作为有效的符合性的符合性的底物，用于无缺陷的无缺陷GE RICE SI 1-X GE X薄膜。基于SIO 2矩阵粘弹性的新通用松弛过程可以应用于SI 1-X GE X膜以外的许多其他系统。这里制造的高质量无缺陷富富富富膜可以作为SI基板上各种2D或3D材料异质整合的良好模板。
嵌入SiO2
主要关键词
相关文件推荐
