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反过来想，对于给定的氧化物厚度 t ox ，对应于消耗的硅的厚度分数为 1/2.2 或 0.455。因此，在生长氧化物时，最终二氧化硅厚度的 0.455 t ox 对应于“损失”的硅。生长的氧化物在硅的原始表面上方额外延伸了 0.545 t ox 。
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