XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSiO2
磁铁溅射的无定形硅– SIO2量化纳米胺
规格作为基于差异较小的材料的设计。除了折射指数外，材料还必须满足其他要求，其中的材料在波长范围内具有可忽略的损失。但是，在介电材料中，折射率和吸收边缘是连接的。[1]具有高折射率的材料在长波长下具有吸收边缘，而低折射率材料在短波长下具有吸收边缘。tio 2是具有最高折射率的介电材料，在频谱的可见范围（VIS）中，开始在≈400nm处发射。具有更高折射率的处置材料，而在VIS中保持透明，将具有广泛的实际相关性，因为它将允许使用层较低的层且整体厚度降低的干扰设计。如本文所示，纳米胺的沉积速率超过了TIO 2之一。预计厚度降低和高沉积速率都会导致涂料系统的生产率提高和制造成本降低。除了制造纳米酰胺外，一种将折叠指数与散装材料特性脱离的方法是扫视角度沉积，[2,3]中形成了柱状纤维结构，从而减少了有效的折射率。因此，将在散装层和具有相同材料的柱状结构的层面层之间发生干扰效应。[4,5]。在2016年[7]由于没有不同材料之间的接口，这打开了有趣的效果，例如板极化器或更高的激光损伤抗性。如参考文献所述，一种可比较的方法是由有机膜的离子蚀刻形成的自组织结构。再次，通过蚀刻降低了层的有效折射率，该蚀刻引入了局部和未定位的多孔结构。[6]如果将层用作抗反射设计中的最外层，则此效果是有益的。至于瞥见角度沉积，自组织层的缺点是对环境条件的敏感性提高。一个最近克服两个特征之间联系的概念是量化纳米胺（QNL）的，这是Willemsen，Jupé等人首次报道的。
通过TIO2和SIO2纳米颗粒对太阳PV细胞上抗反射涂层的比较分析
印度钦奈速度工程学院机械工程系摘要：如今，从非常规能源来收集能量是一种新兴方法。中，太阳能是一个重要的来源，因为它的丰富性，可持续性，多功能性，成本效益和适应性的技术进步。太阳能光伏（PV）细胞具有将太阳辐射转换为电能的能力。但是，由于这种方法固有的光子反射，转化效率大约下降了约30％。光子反射主要基于太阳能电池表面的光学特性和物理特性。为了解决此问题，使用自旋涂层技术使用TIO 2和SIO 2纳米颗粒的组合使用单层和双层抗反射（AR）表面。混合TIO 2 -SIO 2纳米颗粒是通过使用Sol -Gel过程从其前体得出的。采用XRD（X射线衍射）方法来确认TIO 2 -SIO 2纳米材料的化学阶段。已经对涂层的厚度和粗糙度如何影响用抗反射涂层处理的表面的光学特征进行了分析。形态学信息和化学元素浓度是通过FESEM和EDAX分析获得的。已经测量了水接触角，以确保AR表面的疏水性质。由于具有增强的光学特性，AR涂层样品的功率转换效率从17.11％起到18.44％，这是未涂层样品的效率。随后，使用紫外线可见光谱仪用于通过分析其光谱响应（包括反射率，吸光度和带隙能量特性）来检查抗反射涂层的功效。关键字：反射（AR）涂层，XRD，EDAX，FESEM，太阳PV细胞，Tio 2 -Sio 2。
一种基于无模型的深钢筋学习方法，用于评估实时PV托管能力
通过铸造方法制备了由聚乙烯醇和羧甲基纤维素（PVA/CMC）组成的混合基质。SiO 2纳米颗粒以不同量的加固添加（Sio 2 = 1、2、3和4 wt。％）。这项研究利用FTIR来检查组成的变化以及混合矩阵与SIO 2的包含之间的相互作用。在第一次，使用接触角度和表面粗糙度参数的测量结果，使用SIO 2添加了SIO 2，研究了PVA/CMC混合矩阵的表面粗糙度和表面润湿性。随着SIO 2含量的增加，混合矩阵的表面粗糙度和润湿性增加。此外，混合矩阵光学特性由UV - 可见分光光度计确定。基于使用TAUC的关系分析，发现能量带隙从5.52降低到5.17 eV（直接过渡），从4.79降低到4.79 ev（pva/cmc和PVA/CMC和PVA/CMC/CMC/4％SIO 2 BlendEnflms）。PVA/CMC和PVA/CMC/4％SIO 2混合胶片的折射率从2.009增加到约2.144。此外，在添加SIO 2纳米颗粒后，PVA/CMC混合物的光学传导率和介电常数得到了改善。
将SIO2添加到PMMA/PLA-LIBOB凝胶聚合物电解质电解质电池电池
诺贝尔化学奖（2019年给予）公认的锂离子电池（LIB）技术是无化石全球电源的基础。其高度吸引人的特性，例如上等能量密度，功率密度，出色的速率能力和较长的周期寿命，使其在各种设备中有用，包括便携式电子，电动汽车，储能系统，机器人技术，军事设备，紧急系统和医疗设备[1-3]。自1991年首次亮相以来，现代Libs通过以每年7-8 WH/kg的速度提高能量密度来提高电池的性能[4]。实现“碳中立性”的普遍概念促进了锂离子电池的大量研究和开发，锂离子电池是领先的干净二次电池技术。
可扩展的生态友好修改的SiO2作为原油的破解器
提取的原油通常含有油中的水（W/O）乳液。在此研究中，在这项研究中合成了一种新型的破坏剂，通过用苯唑烷烃（SBKC）修饰二氧化硅。该破裂剂是用于处理W/O乳液的低成本和可生物降解溶液。两亲动物的解体以各种技术的特征，例如扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）。此外，还系统地研究了温度，站立时间和最佳拆除剂剂量的影响。二氧化硅已用不同的BKC含量变化。根据瓶子的测试结果，SBKC-20在50分钟内实现了与原油分离的完整水分（与原始二氧化硅相比为75分钟）。研究表明，温度对拆除效率的影响很大，因为SBKC-20在95°C的仅1分钟内分离水。界面张力（IFT），光学显微镜和接触角度测量也被用于更好地了解拆除机制。通过IFT和光学显微镜证实了SBKC-20颗粒穿透油水界面的能力。例如，SBKC -20将水和原油之间的IFT从18.6降低至6.9 mn.m -1。例如，SBKC -20将水和原油之间的IFT从18.6降低至6.9 mn.m -1。
对上限SIO2和TIO2的比较研究以改进...
Comparative study on capped SiO 2 and TiO 2 to improve efficiency in plasmonic solar cell through modified synthesis approach P. Sarkar a,* , S. Panda b , B. Maji a , A. K. Mukhopadhyay c a Department of ECE, National Institute of Technology, Durgapur-713209, India b Department of ECE, Dr. Sudhir Chandra Sur Institute of Technology & Sports Complex,印度加尔各答-700074，C Margadarshak（导师），AICTE，新德里-110070，印度这项研究研究了等离激元改善对薄膜A-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Sio2纳米颗粒的光子吸收性特性的等离子增强对光子吸收特性的有效性。它还在暴露于阳光的情况下检查了其J-V特性。修饰的Stober方法用于辐照测试，以SIO2 1st剂量不同剂量的反射率较低：0.485mg/ml，SIO2 2nd剂量：0.693mg/ml和Tio2 1st 1st剂量：0.525 mg/ml，Tio2 2nd dose：0.525 ml，Tio2 2nd dose：0.748 ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml ml。基于二氧化硅的太阳能电池显示出2.45％的效率提高，而基于二氧化钛的太阳能电池与未涂层样品相比提高了0.657％的效率。（2023年9月26日收到； 2024年1月3日接受）关键字：等离子体，二氧化硅，钛，太阳能电池1。引言工业革命改变了能源生产，运输和消费，但它会造成环境破坏和诸如化石燃料之类的自然来源的耗尽。过渡到清洁能源（例如核和可再生能源）可以减少碳排放，但是由于放射性废物的半衰期长，安全存储既有挑战性。绿色能源趋势正在增加。太阳能是一种有希望的可再生能源，具有最小的环境影响和高效率。太阳能光伏行业在2022年达到了295 GW创纪录的交付能力，将全球安装的PV总容量增加到1,198以上TW [1]。研发集中于提高光转换效率并降低成本以满足全球能源需求。当前的全球光伏太阳能电池市场为90％的晶体硅，10％由多晶半导体的薄膜组成[2,3]。薄膜光伏电池由于其材料的低含量，柔韧性，易于整合和适合大规模生产的能力而作为替代品生长[4,5]。薄膜氢化的A-SI太阳能电池的制造成本较低，简单过程和与各种底物的兼容性，但缺乏效率。
改善了具有内在血浆治疗的ALD ALD AL2O3/SIO2多层的硅表面钝化
总固定负电荷密度q tot≈1×10 13 cm - 2结合使用，低界面缺陷密度D IT为≈1×10 11 ev -1 cm -2。[4-9]虽然低d表示相当好的化学表面钝化，但高负q tot会导致表面上的电子密度降低，从而导致重要的田间效应对C-SI表面钝化产生了贡献。因此，这种高负q TOT诱导n型Si表面上的反转层，而在P型表面上形成了积累层。n型Si表面上的内部层使其易于使用n型金属触点处的寄生分流作用。[10] There- fore, Al 2 O 3 is predominantly applied to p -type c-Si surfaces, such as the rear surface of passivated emitter and rear cell (PERC) passivated emitter and rear cell solar cells – the current mainstream cell design in high-volume production [11,12] – or the front-side boron-doped p + emitter of n -type c-Si tunneling oxide passivating接触（TopCon）太阳能电池，由于其效率更高，目前变得越来越有吸引力。[11,13–15] Al 2 O 3对于高级细胞设计的效率也非常相关，范围为26％，例如后部发射极（TopCon）细胞[16]或在氧化物相互作用的背部接触（polo-ibc）细胞（Polo-ibc）细胞上的聚晶体中的多层si，但有效的效果（均为有效的）（未经跨度） - 未经有效的态度（未经） - 未经有效的态度 - 不及格（Untercive）。 必需的。与单层相比，厚度只有几个纳米层的多层层为在纳米尺度上修改材料特性的机会。[19]最近，对不同表面钝化方案的直接比较表明，Al 2 O 3 [3]仍然有改进的余地，随着设备的效果的改善，这变得越来越重要。一个有趣的例子是所谓的界面偶极层，目前对其进行了强烈的侵略，尤其是用于在金属 - 氧化物 - 氧化导管现场效应晶体管（MOSFET）中的应用以调整所需的平板电压。[18-20]它们是由两个或三个不同的介电层组成的多层，可以简单地通过改变双层或三层的数量来提供增加平坦电压的可能性。这种平流电压偏移的起源是偶极子，仅在该多层的特定接口处形成，仅具有一个极性。例如，已经报道了SIO 2 /Al 2 O 3堆栈，其中仅在一个极性的SiO 2 /Al 2 O 3接口处形成偶极子，但在Al 2 O 3 /SiO 2界面上却没有相反的极性。
采用交错小分子抑制剂和集成背蚀刻校正进行 SiO2 高通量区域选择性空间原子层沉积，实现低缺陷率
开发了一种首创的 SiO 2 区域选择性沉积工艺，包括在同一空间原子层沉积 (ALD) 工具中交替曝光小分子抑制剂 (SMI) 和背蚀刻校正步骤的薄膜沉积。这些方面的协同作用导致选择性 SiO 2 沉积高达 ˜23 nm，具有高选择性和高吞吐量，具有 SiO 2 生长区域和 ZnO 非生长区域。X 射线光电子能谱 (XPS) 和低能离子散射光谱 (LEIS) 均证实了选择性。已经通过实验和理论比较了两种不同的 SMI（乙基丁酸和新戊酸）赋予的选择性。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，使用两种 SMI 进行选择性表面功能化主要受热力学控制，而使用三甲基乙酸时实现的更好选择性可以通过其比乙基丁酸更高的堆积密度来解释。通过在其他起始表面（Ta 2 O 5、ZrO 2 等）上使用三甲基乙酸作为 SMI 并探测选择性，证明了羧酸抑制剂在不同基底上的更广泛用途。人们认为，当前的结果突出了 SMI 属性的微妙之处，例如尺寸、几何形状和堆积，以及交错的回蚀步骤，这些对于开发更有效的高选择性沉积工艺策略至关重要。
SiO2/Si 中的机械光谱和内耗
开发了用于激发和记录厚度 h S 300 ÷ 500∙10 3 纳米和直径 D 60 ÷ 100∙10 – 3 米的 SiO 2 /Si 圆盘状晶片中的阻尼弯曲共振的方法、设计和制造了用于测量结构敏感内耗 (IF) Q – 1 的装置。开发了用于无损检测圆盘状半导体基板中结构缺陷积分密度 nd 和破损层深度 h bl 的技术。通过测量谐波频率 f 0 、f 2 下的 IF 背景 Q – 1 0，可以通过实验确定振动圆盘的节点线。这样就可以对寻找这些节点线的理论计算进行修正，同时考虑到圆盘的线性尺寸及其连接方法。研究了 X 射线和电子辐照 SiO 2 /Si 盘状晶片板后的温度中频谱 Q – 1 ( Т )。结果发现，在测量过程中，Si 结构缺陷的退火会改变温度中频谱 Q – 1 ( Т ) 的形状。在以速度 V Δ T/ Δ t ≤ 0.1 K/с 加热 SiO 2 /Si 晶片板时，可以观察到由点缺陷形成的中频峰 Q – 1 M 。这使得能够确定辐射缺陷各向异性复合体重新取向的活化能 H 。通过建立中频背景参数 Q – 1 0 的稳定性，可以确定半导体晶片板及其基于的器件的抗辐射性。所提出的方法可用作控制微电子用半导体晶片板晶体结构缺陷的无损方法。