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型号 hv4032a - 高压系统 - Siliconpr0n
Siliconpr0n.org › camac › CAMAC3 PDF 1994年3月15日 — 1994年3月15日数字电压控制-A 12位ADC读取ac- ...注意：定期清洁空气过滤器...经过工业级现场验证的可靠性
硅芯CX1084微电子5A低压差...
CX1084 系列可调和固定电压调节器旨在提供 5A 输出电流，输入输出差压低至 1V。器件的压差在最大输出电流时保证最大为 1.5V，在较低负载电流时降低。片上微调可将参考电压调整至 1%。电流限制也经过微调，最大限度地减少过载条件下调节器和电源电路的应力。CX1084 器件与较旧的三端调节器引脚兼容，采用 3 引线 TO-220、2 引线 TO-252 封装以及 3 和 2 引线 TO-263（塑料 DD）封装。
使用真空紫外光在 100 C 下沉积二氧化硅
开发了一种用于低温沉积二氧化硅的新光化学反应。在此过程中，硅烷在真空紫外线照射下与二氧化氮发生反应。报告了在 1006C 下生长的薄膜的电气和机械性能。硅上金属氧化物半导体结构的电容电压测量表明界面态密度 <5 10 11/cm 2。讨论了几种可能的反应机制，并提出了表明表面光化学可能是
1 大型科技公司和硅谷如何改变......
2024 年 4 月 17 日 — 2019 年至 2022 年期间，美国军方和情报机构授予大型科技公司合同，最高金额至少为 530 亿美元......
在硅上的热生长和化学蒸气沉积膜的折射率曲线
由于仪器错误和软件限制，介电膜的折射率小于50 nm。在解决这个问题时，我们报告了椭圆测量Pro；可靠地评估折射率的可靠评估，以对沉积的各种热生长和化学蒸气，CVD，SI底物的介电膜，介电膜降低到约10 nm的厚度，并且我们在膜片界面界面上的当前了解的结果比较了结果。在所有研究的情况下，我们都发现界面区域在光学上与厚膜不同，并且精确的膜处理实质会改变界面区域的性质。-
微电子和分布式能源的硅电沉积：简要回顾
摘要：由于硅在自然界的普遍性和其特殊的性质，它是各行各业中最受欢迎的材料之一。目前，冶金硅是通过石英的碳热还原获得的，然后对其进行氢氯化和多重氯化以获得太阳能硅。这篇小型综述简要分析了通过电解熔盐获得硅的替代方法。综述涵盖了决定熔盐成分选择的因素、通过电解熔盐获得的典型硅沉淀物、对将电解硅用于微电子的可能性的评估、在锂离子电流源成分中使用电解硅的代表性测试结果以及将电解硅用于太阳能转换的代表性测试结果。本文最后指出了实际实施电解生产硅的方法、开发用于能源分配和微电子应用的新设备和材料需要解决的任务。
特刊 - 硅光子综合电路
硅光子综合电路的领域在近几十年来取得了显着的进步，为高带宽通信，量子信息处理，芯片上的实验室，芯片尺度激光和未来的光学加速器提供了创新的解决方案。CMOS集成，材料改进和芯片激光器的关键发展已推动了该领域的前进。同时，仍然存在重大挑战，包括热管理，可伸缩性，功耗和成本。解决这些问题对于释放硅光子学的全部潜力至关重要。通过确定这些挑战和障碍，我们希望在这些关键领域的下一代硅光子生态系统中刺激进一步的研究。本期特刊旨在编制贡献，以突出各种应用程序中硅光子学的进步和持续的挑战。我们欢迎研究和审查文章。