XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSubstrate
chiplet使用互连层与高密度混合底物的异质整合
摘要在这项研究中，研究了用于chiplets的高密度有机杂交底物异质整合。重点放在与互连层的杂种底物的设计，材料，过程，制造和表征上。进行了非线性有限元分析，以显示填充有互连层导电糊的VIA处的应力状态。关键词chiplets，异源整合，杂交底物，互连层，扇出面板级芯片last I.对2.1D IC积分的简介，具有细金属线宽度（L）和间距（S）的薄膜层（无芯底物）在堆积包装基板的顶层上制造，并成为混合基板[1-5]。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物很难控制，并且可能非常大。为2.3D IC积分，精细的金属L/S底物（或插头）和堆积包底物是分别制造的[6-15]。之后，细金属L/S底物和堆积封装基板通过焊接接头互连为混合基板，并通过底漆增强。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物更易于控制和较小。在这项研究中，精细的金属L/S底物和堆积封装基板或高密度互连（HDI）也被单独制造，然后通过互连层组合。这与2.3d IC集成非常相似，除了焊接接头和底部填充，被取消，这些焊接被互连层取代。互连层约为60μm，由填充有导电糊的预处理和VIA（底部为100μm直径为100μm，直径为80μm），并且处于β级。精细的金属L/S无烷基基材（37μm厚度）是由PID（可令人刺激的介电），LDI（激光直接成像）和PVD（物理蒸气沉积），Photoresist和LDI，LDI，LDI，
低介电常数堇青石-莫来石-玻璃基板在太赫兹频率下的结构、热学和介电性能
摘要：采用固相合成、研磨、压制和烧结工艺制备了含有堇青石、莫来石、SiO 2 玻璃和 SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 - BaO-ZrO 2 玻璃的玻璃陶瓷复合材料。使用加热显微镜、差示热分析、热重法、扫描电子显微镜、能量色散光谱、X 射线衍射分析、阻抗谱、透射法和时域光谱 (TDS) 检查了 Hz-MHz、GHz 和 THz 范围内的热行为、微观结构、成分和介电性能。获得的基板表现出 4.0-4.8 的低介电常数。自发形成的封闭孔隙取决于烧结条件，被认为是降低有效介电常数的一个因素。
晶圆级和面板级封装中的结构化玻璃基板：现状和最新成果
摘要 玻璃可用作面板和/或晶圆级封装的核心基板，以实现日益复杂的封装中芯片和集成无源器件的异构集成。玻璃具有众多优势：玻璃的硬度 (i) 允许制造高精度的堆积层。这些堆积层在尺寸为 50mm x 50mm 及以上的大型芯片上可实现 1 m 及以下的制造精度，这是封装天线 (AiP) 应用和高性能计算 (HPC) 所需的。可以制造具有调整的热膨胀 (CTE) (ii) 的特殊玻璃，可以调整为硅或具有更大的热膨胀，以允许具有环氧树脂模具和金属化堆积层的封装在制造或运行期间承受高热负荷。玻璃还可以通过非常好的介电性能进行优化 (iii)，并可用于封装天线。但最重要的是，经济的玻璃结构技术 (iv) 非常重要，它可以在玻璃面板中提供数百万个通孔和数千个切口，并且正在开发中。 SCHOTT 结构化玻璃产品组合 FLEXINITY ® 及其相关技术为先进封装所需的高度复杂的结构化玻璃基板提供了极好的起点。玻璃面板封装大规模商业化的最大障碍是整个工艺链的工业准备。这是将玻璃面板封装引入 IC 封装、RF-MEMS 封装和医疗诊断等应用所必需的，或者与扇出切口结合，嵌入有源和无源元件。此外，具有良好附着力、优异电气性能和高几何精度的玻璃金属化工艺是重要的一步。在当前的手稿中，我们回顾了现状并讨论了我们为实现面板和晶圆级封装中玻璃的工业准备所做的贡献。关键词玻璃中介层、玻璃封装、异质集成、面板级封装、玻璃通孔、晶圆级封装。
意识的先验基础
考虑以下场景：你是一位身无分文的哲学家，遇到了一位奇怪的超人类主义脑科学家。他愿意为你提供一大笔金钱奖励，让你参与他的实验，该实验使用了一种新型的脑部扫描仪。同意参与后，你签署了一份声明，允许他拥有从扫描中获得的所有信息。他让你进入一个特殊的房间，而他则在另一个房间等候。你注意到你所在的房间只有一扇红门和一扇蓝门。然后你接到了超人类主义者的视频电话。他向你解释说扫描已成功完成，他刚刚使用了有关你脑细胞的所有详细信息来创建一个相当精确的大脑模拟，该模拟目前正在一台强大的超级计算机上实时运行。这个模拟器是一个复杂的软件，可以模拟你脑细胞的精确虚拟 3-D 模型的膜电位。不仅是你的大脑，事实上你的整个身体和房间都在用它模拟。由于你不相信他，他重新连接了视频通话，这样你就可以和模拟的自己交谈了。然后，你与这个模拟的自己交谈了很长时间，直到你确定这个模拟确实在功能上与你相同，并且拥有与你相同的记忆。模拟的自己相信自己是真实的，并相信你是模拟的。你们不同意，并就这个问题进行了长时间的争论。最后，你们俩都不得不承认，目前你们俩都不确定谁是原版，谁是复制品。在你了解到这一点后，超人类主义者重新加入视频通话，并解释说，承诺的金钱奖励可以通过离开红门获得；但如果你从蓝门离开，你就会身无分文。当你开始走向红门时，他继续解释说，模拟的设置是这样的，当你从蓝门离开时，模拟的你将被无痛地、甚至没有注意到地终结。然而，如果它从红门离开，它将遭遇痛苦的死亡。由于你并不真正知道你是否被模拟了，你从那扇红门退了回来。
创新 PVD 技术解决方案 先进基板、EMI 屏蔽和背面金属 Jeff Turner – 应用材料公司
Jeff 在半导体封装领域拥有超过 25 年的经验，在被 Applied Materials 收购后，他领导着 Tango 产品组。他最初在 Semitool 担任工艺工程师，专攻电镀和湿法清洗，从封装行业起步。Semitool 被 Applied Materials 收购后，他的职业生涯转型为产品管理，然后是业务管理，负责支持 Applied 封装部门的电镀和 PVD 系统。
超导基底上外延 CrBr3 单层的电子和磁性表征
例如，我们可以将二维磁体的磁性印记到其他层上，而不改变它们的固有性质，从而创造出新型的自旋电子和磁子装置。[8–10] 这种设计概念可以用于将磁性与超导相结合的系统，以实现拓扑超导。[11,12] 由于它在构建用于拓扑量子计算的基于马约拉纳的量子比特模块中具有潜在作用，因此目前它正受到广泛关注。[12–14] 虽然很少有潜在的真实材料表现出拓扑超导性，[15–18] 但设计材料中所需的物理特性来自不同成分之间精心设计的相互作用。 对于拓扑超导，需要将 s 波超导与磁性和自旋轨道耦合相结合，以创造出人工拓扑超导体。 [12,19] 然而，组分之间的耦合对界面结构和电子特性高度敏感 [2,20]，因此，具有原子级清晰和高度均匀界面的范德华材料是一个具有吸引力的平台，可用于实现和利用设计材料中出现的奇异电子相。最近有研究表明，层状材料在单层 (ML) 极限下仍能保持磁性。[4,5,21] 虽然第一份报告依赖机械剥离进行样品制备，但相关材料三溴化铬 (CrBr 3 ) 和 Fe 3 GeTe 2 也在超高真空 (UHV) 下使用分子束外延 (MBE) 生长，[22,23] 这对于实现干净的边缘和界面至关重要。由于这些材料的层状性质，它们本身缺乏表面键合位点，从而阻止了层之间的化学键合，并导致对界面的更好控制。最近，我们利用MBE成功制备了基于vdW异质结构的超导铁磁混合体系。[24,25] 更重要的是，通过结合自旋轨道耦合、二维铁磁CrBr 3 和超导铌二硒化物（NbSe 2 ），我们利用低温扫描隧道显微镜（STM）和扫描隧道光谱（STS）证明了一维马约拉纳边缘模式的存在。[25] 然而，对于未来的应用，还需要进一步系统的研究，以更好地理解在NbSe 2 基底上生长的单层CrBr 3 的电子和磁性。
通过贻贝启发的化学的液体液体湿滑表面的底物独立设计
LIS的设计可以分为三种一般策略：湿滑的液体注入的多孔表面（SLIPS），[2,4,7]有组织物，[3,6,19,20]和聚合物刷。[21,22]滑片依赖于两个主要因素：通过匹配表面化学，并引入表面粗糙度来最大程度地提高润滑剂对表面的亲和力，从而增强了毛细管对毛细管对底物的粘附。[5]在创建此类滑动系统的技术的开发中，已经有了巨大的研究。[5,13,23–27]典型地，该设计需要多个步骤来引入表面粗糙度，表面功能化和润滑剂。到目前为止，只有很少的研究表明了单步方法中的单块制造，例如，通过电喷雾既有透明质硅烷和全氟popotherether。[28]
用于 110 GHz 以上高功率单片集成电路的 SiC 基板集成波导
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW)，以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm，比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗，这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平，并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
