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SAC3807无铅焊料与不同铜基板之间的界面反应通过反射焊接过程
摘要。铜底物的不同组成材料显着影响金属间化合物（IMC）形成和焊接接头耐用性。这项研究是针对无铅焊料和不同铜基板之间的界面反应进行的。选定的底物是铜（CU）和铜 - 晶状体（CU-BE）。所涉及的无铅焊料是直径为700 µm的SN-3.8AG-0.7CU（SAC3807）焊球。所有样品均经过等温老化过程。通过扫描电子显微镜（SEM），光学显微镜（OM）和能量色散X射线分析（EDX）检查了IMC形成的材料表征和分析。回流过程后，结果表明Cu 6 SN 5和Cu 3 SN IMC层在SAC3870/CU和SAC3870/CU-BE界面形成。在SAC3870/ CU上老化处理后，发生了类似杆状的形状Cu 6 Sn 5和针状Cu 3 Sn 4。同时，SAC3870/Cu-Be的IMC层显示出类似杆状的形状，变成了块状的形状形状Cu 6 Sn 5和Cu 3 Sn 4杆形状。此结果表明在SAC3807/CU和SAC3807/CU-BE的老化过程中，在金属间表面上形成了Ag 3 SN纳米大小。与SAC3807/CU相比，SAC3807/CU-BE的Ag 3 Sn纳米尺寸元件很多。此外，SAC3807/CU-BE的IMC厚度比SAC3807/CU显示出较厚的层。此外，由于百分比非常低，因此无法轻易检测到SAC3807/CU-BE的元素。
用于预测单个P420激光珠的几何和机械特性的机器学习方法覆盖到AISI 1018底物
记录的版本：该预印本的一个版本于2021年10月16日在国际高级制造技术杂志上发布。请参阅https://doi.org/10.1007/s00170-021-08155-3。
用于 RF – CMOS 应用的硅衬底
由于能量的限制及其对总损耗的影响，介电基板的选择在射频频率下起着重要作用。与能量存储相关的基板介电常数显著影响电路在较高频率下的性能。根据介电常数行为，基板被分为有损介电常数或良好介电常数。损耗角正切值取决于介电常数，并影响传输线的品质因数。在硅中，由于金属-半导体结，金属接触会产生肖特基接触。这需要进行适当的公式化和建模，以预测电路行为。本文研究并详细介绍了掺杂、载流子迁移率、频率等各种现象是影响介电常数的主要因素，并研究了它们对损耗角正切的作用
对2D层的钙钛矿微晶膜中X射线的超稳定和鲁棒响应，直接沉积在柔性基材上
过去十年。尤其是，光线和灵活设备的开发将代表该领域的重大突破，因为它允许新的检测器设计和应用程序，例如，便携式实时X射线测量器或弯曲的数字X射线成像仪。[1] Exposure to high doses of X-rays increases the risks of developing radiation-induced disorders such as can- cers [2] and enhancing the detection limit of detectors is a critical key issue for medical application, since it would help reducing the radiation dose delivered to the patient and therefore limit the radiation hazards linked to radiation therapy and diagnostics (e.g., mammography, X-ray tomography).上面引用的规格要求开发可处理的X射线直接检测材料与柔性塑料底物上的低温沉积兼容，并能够以低辐射剂量工作。不过，由于机械刚度低和高X射线吸收的双重必要性，所有这些要求都无法轻易满足单个材料，因此通常通过浓稠且沉重的吸收层来实现后者。的确，参与直接X射线检测的传统最先进材料包括硅（SI），无定形硒（α-SE）和锌锌锌醇锌（CZT）（CZT），它们因其高原子数（z）和密度而以其高X射线停止功率而闻名。柔性应用受到塑料基材及其机械刚度的高加工温度输入的阻碍。带有构图的3D ho最近，有机半导体似乎是直接X射线检测的传统无机半导体的有希望的替代品。[3,4]有机半导体具有吸引人的特性，尤其是通过基于大区域溶液的技术进行处理的可能性，例如钢筋涂层[5]或喷墨印刷[6]在柔性基板上。有机材料的低z然而，限制了其停止功率，从而限制了低辐射剂量以高能X射线的检测。机械刚性和大型X射线吸收之间的权衡是应对新型X射线检测材料的开发的有趣挑战。在过去的几年中，关于直接X射线检测材料的研究主要围绕混合有机/盐酸卤化物钙钛矿（HOIP）围绕。
N型衬底超快三维沟槽电极硅探测器的抗辐射性能
摘要：ATLAS 和 CMS 实验预测高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）最内层像素探测器的辐射注量高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。辐射剂量的增加将导致探测器性能下降，例如漏电流和完全耗尽电压增加，信号和电荷收集效率降低，这意味着有必要开发用于甚高亮度对撞机的抗辐射半导体器件。在我们前期对超快三维沟槽电极硅探测器的研究中，通过模拟不同最小电离粒子（MIP）撞击位置下的感应瞬态电流，验证了从 30 ps 到 140 ps 的超快响应时间。本工作将利用专业软件有限元技术计算机辅助设计（TCAD）软件框架，模拟计算探测器在不同辐射剂量下的全耗尽电压、击穿电压、漏电流、电容、加权场和MIP感应瞬态电流（信号）。通过分析模拟结果，可以预测探测器在重辐射环境下的性能。像素探测器的制作将在中国科学院微电子研究所的CMOS工艺平台上进行，采用超纯高电阻率（高达10 4 ohm·cm）硅材料。
造成基板短缺的原因是什么？
导致基板短缺的原因是什么？ E. Jan Vardaman，TechSearch International, Inc. 总裁兼创始人 意外需求、全球供应链不确定性、事故和天气相关事件导致半导体短缺。所有类型的基板都供不应求；包括芯片级封装 (CSP) 和倒装芯片球栅阵列 (FC-BGA) 的基板。尽管未来几年将有一些产能扩张，并且新工厂计划在 2024-25 年上线，但预计至少两到三年内情况不会改善。一些公司正在考虑不使用基板的替代品，包括扇出型晶圆级封装 (FO-WLP)。采用 RDL 来减少基板设计的层数也在考虑之中。 导致 FC-BGA 需求的原因是什么？使用积层材料制造的 FC-BGA 基板需要支持用于服务器、笔记本电脑和台式机的 CPU、AI 加速器、电信中的 ASIC、HDTV、DSP 和 FPGA 等媒体芯片等应用的细间距凸块芯片。与该行业的许多领域不同，FC-BGA 的短缺并不是由疫情造成的。虽然对服务器、笔记本电脑和台式机的需求有所增加，但对额外基板制造能力的需求主要是由于某些领域的更大尺寸和增加的层数。ASIC 具有多种尺寸，常见的基板采用 4-2-4 积层结构。虽然许多应用使用 2-2-2 积层结构，但其他应用使用更大的数量和更大的尺寸。Apple 的 M1 采用 3-2-3 积层结构（见图 1）。服务器 CPU 的体积和层数增加是基板容量需求增加的主要原因。高端服务器 CPU 预计将使用最大 100mm x 100mm 的主体尺寸，核心每侧有 10 个构建层。在高端，高端网络交换机封装的边长在 70 mm 到 90 mm 之间。OSAT 报告称，他们预计到 2023 年将出现对 100mm x 100mm 基板的需求。正在考虑更大的主体尺寸。最小层数为每侧六或七层构建层，即将出现一些八层和九层构建层的设计。虽然单位产量较低，但由于基板大而复杂，因此对面板的要求很高，会影响面板上的布局以及面板产量。预计共封装光学器件将使用更大的 110 mm x 110 mm 主体尺寸。硅中介层呢？许多应用程序不是都将它们用于封装吗？是的，硅中介层用于 AI 加速器、高性能 FPGA 应用和高端网络交换机，但它们连接到层压积层基板上以完成封装。硅中介层通过焊球连接到层压基板上，通常间距为 130 µm。典型的 AI 加速器尺寸为 55 毫米 x 55 毫米。随着中介层尺寸的增加，需要更大的积层基板。台积电提出了超大的 2,500 平方毫米硅中介层，将
在核心兼容的底物上确定性地在六角硼氮化物中创建量子发射器
摘要：托有室温单光子发射器（SPE）的二维六角硼（HBN）有望用于量子信息应用。朝着HBN实际应用的重要一步是按需，位置控制的SPE。报告的用于确定性创建HBN SPE的策略要么依赖于与综合光子学不兼容的基材纳米图案，要么利用可能引入不可预测的HBN损害或污染的辐射源。在这里，我们报告了一种无辐射和光刻的途径，以确定性地通过纳米引导使用原子力显微镜（AFM）激活HBN SPE。该方法适用于二氧化硅 - 硅底物上的hbn扁曲，可以很容易地集成到片上光子设备中。对于多个凹痕尺寸，所达到的SPE收率高于30％，并且在400 nm左右的凹痕显示最大产量为36％。我们的结果标志着HBN SPE与光子和等离子设备的确定性创建和整合的重要一步。关键字：HBN，单光子发射器，原子力显微镜，纳米凹痕，片上积分■简介
Terahertz Rectennas基于一个...
erahertz（THz）辐射是电磁光谱的区域，频率在0.1至10 THz之间。1-3微型THZ源和检测器启用了各种应用，例如通信，监视筛查，材料分析，生物医学诊断和个人医疗保健跟踪。1，2，4，5 5物联网（IoT）应用的小型独立传感器的可穿戴电子设备和网络的出现正在推动低功率电子电路和设备或芯片水平上的能源收获中的研究。微型THZ功率探测器可能会成为可以充当能量收集设备的关键组件，尤其是在可透明的薄膜底物上，它们可以克服硅（SI）电子芯片的外形限制，并可以在可扩展的滚动过程中制造。因此，他们有可能无需电池或外部电源提供分散的传感器网络，被动读数电路或集成的移动设备。6
