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在 (001) GaAs 衬底上生长 Bi2Se3 用于太赫兹...
Yongchen Liu 1 , Wilder Acuna 1 , Huairuo Zhang 2,3 , Dai Q. Ho 1 , Ruiqi Hu 1 , Zhengtianye Wang 1 , Anderson Janotti 1 , Garnett Bryant 4 , Albert V. Davydov 2 , Joshua M. O. Zide 1 , and Stephanie Law 1*
H2 在底物导向合成尺寸...中的作用
摘要：最近对过渡金属二硫属化物 (TMD) 纳米带的研究促进了这些尺寸受限晶体的受控生长合成策略的发展。我们展示了在由用磷化氢处理的 Si(001) 组成的设计表面上生长的 MoSe 2 纳米带的宽度控制合成。调节载气流中的 H 2 分压可以将纳米带宽度调整到 175 nm 到近 500 nm 之间。实验和模拟表明，H 2 暴露增加了 Si-P 二聚体上氢的表面覆盖率，而 Si-P 二聚体通常是纳米带成核和生长的有利区域。此外，MoSe 2 纳米带表现出异常光致发光蓝移，其幅度为 60 meV，与 MoS 2 纳米带的光发射光谱中报道的幅度相似。这些研究表明，最近开发的纳米带的基底定向生长策略可以扩展到硒化物系列 TMD。此外，它们扩展了制备复杂 TMD 异质结构的合成基础，而这种结构是光学和量子传感器、换能器和处理器所必需的。关键词：过渡金属二硫属化物、纳米带、MoSe 2 、表面、光致发光、激子■ 简介
由基于激光的有向能沉积在钣金基板上制造的杂交组件的材料表征
Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，基板
岩石性底物在低温下对锂金属电池的影响
Figure S3) SEM image of graphite based on varying active material to super P to binder ratios and lithium metal half-cell cycling performance comparison of substrates with varying active material content .............................................................................................................. 15
通过Micro-Ag颗粒与Si芯片的AU金属化基板的无压直接键
基于可用的GAAS，GAN或SIC半导体，对高功率电子设备的需求不断增长，能够在超过200°C的温度下连续运行[1-3]。这需要芯片到基底组装技术的必要变化以及对替代组装基板的研究。在如此高的连续操作温度下，不能使用SAC焊料和层压板底物。SAC焊料连续操作的限制是在150°C左右的温度，而不是最佳导热率：低于50 W/MK。在底物方面，正在研究带有Cu，Ag，Au或Ni安装金属化的陶瓷底物。这些要求在过去十年[4-7]中对其他组装技术（例如基于Ag糊的烧结或滑动（固体液体互化）技术）的兴趣日益增长[4-7]。基于糊状的烧结技术正在变得重要。通过正确调整温度和烧结时间以及接触压力，具有非常好的粘附，导热率和可靠性的接触压力。经典的烧结过程可以在200°C至300°C的温度下进行，范围从10 MPa到40 MPa。键合过程的参数取决于糊剂中Ag粉末粒的大小和形状，添加剂以防止结块和使用的溶剂[8]。
一种新颖的硬掩模到基板图案转移方法
结构（参见图 2 (1)-(9)），尽管很快意识到可以轻松进行进一步简化，以减少这些结构所需的处理步骤数。例如，SiO 2 层中的最终台阶高度可以完全用烘烤的光聚合物代替，从而减少一轮（光刻 + SiO 2 蚀刻）。虽然
硅基底上纳米级金纳米粒子的结构特性
金纳米粒子通常用湿化学还原法生产，而金纳米团簇则通过团簇束沉积制备。尽管块体金是惰性的，但它在纳米晶体形式下具有催化活性。[7] 金团簇是研究最广泛的过渡金属团簇之一，因为它们在微电子、纳米技术和生物医学中有着潜在的应用。[4,8 – 10] 所谓“魔法”尺寸的金纳米粒子可以看作是规则原子晶格平面的堆叠，人们预测它们会特别稳定，尽管 Petkov 等人 [3] 指出，不应忽视失去秩序的可能性，而且金确实已被证明有形成无定形结构的趋势。[11] 值得注意的是，不对称纳米粒子的能量通常与对称的闭壳层纳米粒子相似，这增加了纳米粒子丰富的能量景观。
薄壁产品激光定向能增材制造中基体结构对残余应力影响的数值研究
摘要：提出一种基于制造约束和基体设计的激光定向能量沉积增材制造（DED AM）产品残余应力控制新方法。残余应力的模拟结果与实验测量数据进行了验证。结果表明，减弱基体上的约束可以大大降低激光DED AM产品中的残余应力。此外，通过在基体上设计局部减薄区域，如长条形孔或支撑腿，可以进一步降低DED AM产品的残余应力。在本研究中，当基体上设计长条形孔时，拉残余应力降低了28％。当设计结构改为支撑腿时，残余应力更小。拉残余应力降低了30％以上。支撑腿越少，残余应力越小。DED AM产品的残余应力可以通过设计得到很好的控制，同时可以通过减少约束来削弱刚度。
凹井底物的电容响应
资金 - 不适用。利益冲突/竞争利益 - 不适用。数据和材料的可用性 - 不适用。代码可用性 - MATLAB的许可版本已用于生成图。作者的贡献 - 可选（不适用）。摘要：触摸模式电容压力传感器（TMCP）非常适合工业应用，在这种应用中，由于其线性，机械鲁棒性的性质和避免严格的工业条件，因此需要压力传感。这项工作提出了在凹面基材中引入凹口，以进一步提高传感器的灵敏度。小挠度模式用于对设计的设计的数学分析，并且将MATLAB用于所有软件模拟。与其他具有平坦底物的模型相比，所提出的模型的灵敏度非常高。分析和模拟在接触模式下的灵敏度显着提高。电容值饱和的压力也远高于文献中所述的设计。凹入底物双触摸模式电容压力传感器（DTMCP）的分析将有助于设计新的传感器以提高性能并评估其行为。
