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更好地理解 Ti 掺杂 HfOx RRAM 的形成和电阻开关行为
完整作者列表： Athena, Fabia Farlin；佐治亚理工学院工程学院、电气与计算机工程 West, Matthew；佐治亚理工学院、材料科学与工程学院 Hah, Jinho；佐治亚理工学院工程学院、材料科学与工程学院；佐治亚理工学院 Hanus, Riley；佐治亚理工学院工程学院、3George W. Woodruff 机械工程学院，佐治亚理工学院，佐治亚州亚特兰大 30332，美国 Graham, Samuel；佐治亚理工学院工程学院、George W. Woodruff 机械工程学院，佐治亚理工学院，佐治亚州亚特兰大 30332，美国 Vogel, Eric；佐治亚理工学院、材料科学与工程学院
在组织耐受温度范围内冷却时可切换的逆形状记忆水凝胶支架
将材料（通过共价或物理相互作用）加热到与转换域相关的热转变温度T trans (玻璃化转变温度(T g )或熔融转变温度(T m ))以上，并变形成新的形状。将样品冷却到T trans 以下并释放外部应力后，获得临时形状。这种临时形状是稳定的，直到它暴露在热量中并超过转换温度T sw 。如果触发SME，材料将恢复其原始形状。这是一种单向效应，这意味着原始形状不会在冷却时改变。临时形状的固定是由于聚合物网络的网络点(例如半结晶基质内的相变)之外还形成了临时交联。基于该技术，已报道了各种具有复杂功能和能力的材料概念，[2] 例如，在聚（外消旋-丙交酯）-b-聚（环氧丙烷）-b-聚（外消旋-丙交酯）二甲基丙烯酸酯的三嵌段共聚物中，基于聚（外消旋-丙交酯链段）的T g 的经典SME功能可与可降解性相结合。 [3] 除了经典的SME之外，还创建了具有三重或多重形状效应等高级功能的材料。 [1b,4] 与经典SME类似，在三重或多重形状效应聚合物中，临时形状可通过加热逆转。 SME材料在生物医学应用场景中具有巨大潜力，从用于伤口闭合的基于SMP的自紧缝合线到支架或动脉瘤封堵装置。 [5] 由于其改变形状的能力，微创手术的应用场景特别令人感兴趣。 到目前为止，SMP在加热时会变得有弹性。本研究的目的是设计和制造一种与细胞相容的聚合物基网络，该网络具有在组织可耐受的温度范围内的冷却诱导逆 SME (iSME)。对于 iSME，临时形状在材料冷却到 T sw 之前是稳定的。与 SME 类似，iSME 是一次性、单向效应。一旦恢复原始形状，材料就不会再切换回来。即使再次加热，材料仍保持在冷却过程中获得的永久形状。在这方面，iSME 材料不同于软人工肌肉（执行器 [6] ），后者在加热时会失去冷却过程中获得的形状。这种具有 iSME 的生物材料系统的潜在应用有望应用于软组织重建，其中需要以微创方式放置设备。软组织重建面临各种挑战。当前临床上建立的方法基于多种手术
Esmethadone-HCl（Rel-1017）：有希望的快速抗抑郁剂
已成功地用于有效操纵磁化，从而导致了最近的商业STT磁性记忆解决方案。[1]自旋 - 轨道扭矩（SOT），该扭矩（SOT）使用高自旋霍尔效应（SHA）材料中的平面电荷电流产生的平面自旋电流，可以实现对磁磁性的更节能的操纵，并且正在达到商业兼容。[2–4]到目前为止，已经研究了各种高自旋 - 轨道耦合（SOC）材料，包括重金属，拓扑绝缘子（TIS），[5-7]以及最近的拓扑半学（TSMS），[8-11]，[8-11] J S | / | J C | ，将其在转换电荷电流密度j c转换为旋转电流密度j s的效率的度量。此外，还研究了高HIM和FM材料层之间的界面工程，以最大程度地跨越界面，以最大化自旋透射式T int。[12–19]有效SOT Spintronic设备的主要挑战是最大化SOT效率，ξ=θSh·t int。[20]
全范德华异质结构中的自旋轨道扭矩切换
已成功用于有效操控磁化，从而产生了最近的基于 STT 的商业化磁存储器解决方案。 [1] 自旋轨道扭矩 (SOT) 利用高自旋霍尔效应 (SHE) 材料中的平面电荷电流产生的平面外自旋电流，可以实现更节能的磁化操控，并且正在达到商业成熟度。 [2–4] 到目前为止，已经研究了各种高自旋轨道耦合 (SOC) 材料，包括重金属、拓扑绝缘体 (TI) [5–7] 以及最近的拓扑半金属 (TSM) [8–11]，以最大化它们的自旋霍尔角 θ SH = | J s | / | J c |，这是它们将电荷电流密度 J c 转换为自旋电流密度 J s 的效率的量度。此外，已经研究了高 SHE 和 FM 材料层之间的界面工程，以最大化跨界面的自旋透明度 T int。 [12–19] 高效 SOT 自旋电子器件的关键挑战是最大化 SOT 效率，ξ= θ SH · T int。[20]
巨型铁电阻开关由调节终端控制的低功率神经形态内存内计算
铁电器已被证明是高性能非易失性记忆的出色基础，其中包括Memristors，这些记忆在人工突触和内存计算的硬件实现中起着至关重要的作用。在这里，据报道，新兴的范德华（Van der Wa）可用于成功实现异突触可变性（一种基本但很少模仿的突触形式），并实现在10 3的上方3级级别的较高量相似的较大范围的较大范围的抗性转换率，并实现抗性切换比。铁电α -In 2 SE 3通道的极化变化负责各种配对端子处的电阻切换。α-In 2 Se 3的第三个端子在PicoAmpere级别表现出对通道电流的非挥发性控制，从而赋予了picojoule读取能量消耗的设备，以效仿缔合性异突触性学习。模拟证明，可以在α -IN 2 SE 3中性网络中实现超级访问和无监督的学习方式，具有较高的图像识别精度。此外，这些弹性设备自然可以实现布尔逻辑，而无需其他电路组件。结果表明，Van der Waals铁电体在复杂，节能，受脑力启发的计算系统和内存计算机中的应用中具有很大的潜力。
酪氨酸依赖性表型转换在许多原发性黑色素瘤培养物中发生较早，限制了它们的转化价值
近年来，患者来源的原代细胞培养物在癌症临床前检测（包括药物筛选和遗传毒性研究）中的应用有所增加。然而，它们的转化价值受到多种限制的制约，包括可能由培养条件引起的多变性。在这里，我们表明常用于繁殖原代黑色素瘤培养物的培养基组成限制了它们对其肿瘤来源的代表性和细胞可塑性，并改变了它们对治疗的敏感性。事实上，我们建立并比较了不同黑色素瘤患者的培养物，这些培养物在低酪氨酸（Ham's F10）或高酪氨酸（补充酪氨酸的 Ham's F10 或 RPMI1640 或 DMEM）培养基中平行繁殖。酪氨酸是黑色素生物合成的前体，该过程在分化的黑色素细胞和黑色素瘤细胞中特别活跃。出乎意料的是，我们发现高酪氨酸浓度会促进早期表型向间充质样或衰老样表型转变，并阻止具有分化特征的黑色素瘤细胞培养物的建立，我们发现这些特征在人类临床活检中经常出现。此外，在这些培养条件下出现的侵袭性表型似乎是不可逆的，并且如预期的那样，与对 MAPKi 的内在抗性有关。与此形成鲜明对比的是，分化的黑色素瘤细胞培养物在低酪氨酸培养基中增殖时保留了它们的表型，更重要的是它们的表型可塑性，这是黑色素瘤细胞的一个关键特征。总之，我们的研究结果强调了在低酪氨酸培养基中培养黑色素瘤细胞的重要性，以保持其表型的起源身份和细胞可塑性。
声波诱导的FMR辅助自旋变速器的垂直MTJ具有各向异性变化
我们已经研究了垂直磁性共振（FMR）辅助自旋转移扭矩（STT）垂直MTJ（P-MTJ）的辅助旋转转移扭矩（STT）切换，并使用微磁模拟使用包括热噪声效应的微磁模拟使用不均匀性。具有适当的频率激发，锯可以在磁刻录材料中诱导铁磁共振，并且磁化强度可以在圆锥体中进攻，从垂直方向高挠度。随着通过侧向各向异性变化以及室温热噪声掺入不均匀性的情况下，不同增长的磁化进攻可能显着不合同。有趣的是，即使在不同各向异性的晶粒之间，不同晶粒的进动物也处于相位状态。然而，由于声感应的FMR引起的高平均挠度角可以通过显着降低STT电流来补充STT开关。即使施加的应力诱导的各向异性变化远低于总各向异性屏障。这项工作表明，锯诱导的FMR辅助开关可以提高能源效率，同时可扩展到非常小的尺寸，这对于STT-RAM在技术上很重要，并阐明了这种范式在具有热噪声和材料不显着性的现实情况下这种范式在现实情况下的潜在鲁棒性的物理机制。
基于AG/V2C/W阈值转换器的人工神经元
1电子与光学工程学院，微电子学院，南京邮政与电信大学，中国南京210023； 2020020114@njupt.edu.cn（Y.W。）; 1219023530@njupt.edu.cn（X.C.）; b18020308@njupt.edu.cn（D.S.）; zmcstudy@163.com（M.Z。）; 1320027503@njupt.edu.cn（X.C.）; iamethu@njupt.edu.cn（E.H.）; leiwang1980@njupt.edu.cn（l.w.）2 GUSU材料实验室，中国苏州215000； shaoweijing2020@gusulab.ac.cn（W.S. ）; guhong2021@gusulab.ac.cn（H.G.） 3南京邮政与电信大学高级材料研究所（IAM），中国南京210023； 1220066008@njupt.edu.cn 4材料科学与工程学院，Yancheng理工学院，Yancheng 224051，中国； jgxu@163.com *通信：xurq@njupt.edu.cn（R.X. ） ）; tongyi@njupt.edu.cn（y.t。）2 GUSU材料实验室，中国苏州215000； shaoweijing2020@gusulab.ac.cn（W.S.）; guhong2021@gusulab.ac.cn（H.G.）3南京邮政与电信大学高级材料研究所（IAM），中国南京210023； 1220066008@njupt.edu.cn 4材料科学与工程学院，Yancheng理工学院，Yancheng 224051，中国； jgxu@163.com *通信：xurq@njupt.edu.cn（R.X.）; tongyi@njupt.edu.cn（y.t。）
集成gan-on-si的切换特征 -
2 Gan-on-Si Half-Bridges的底物相关开关特性9 2.1问题和方法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.2个单个晶体管的电容。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 2.2.1三末端和四末端的末端电容。。11 2.2.2有效电容。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.2.3非线性多偏置电容。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.4在名义作战电压下凝结电容相关的量。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14 2.3底物偏置的有限操作电压。。。。。。。。。。。16 2.4分析了半桥底物终止。。。。。。。。。。。。。。19 2.5底物电压分析。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.5.1固定底物终止的基材 - 源电压计算。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.5.2浮动底物终端的基材 - 源电压计算。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 2.5.2.1单独浮底物终止。。。。。22 2.5.2.2公共浮底物终止。。。。。。。24 24 2.5.3瞬态基材电压超值和摆动。。。。。。。。25 2.5.4半浮底物终止网络。。。。。。。。。26 26 2.5.5使用测得的电容数据计算底物电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 2.6半桥的电容转换，以消除底物降低。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 2.6.1半桥的方法，没有耦合的底物32 2.6.2 b = s（常规）终止。。。。。。。。。。。。。。。。。34 2.6.3 b = D终止。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。35 2.6.4 b = g终止。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。36
近红外异质结场调制光晶体管具有不同的光反调整/光静力开关特征的人工视觉效果
Near-Infrared Heterojunction Field Modulated Phototransistors with Distinct Photodetection/Photostorage Switching Feature for Artificial Visuals Jiayue Han, 1, † Xiaoyang Du, 1, † Zhenghan Zhang, 2,3, † Zeyu He, 1 Runzhang Xie, 3 Chongxin Shan, 4 Silu Tao, 1, * Weida Hu, 3, * Ming Yang，1 Jun Gou，1,5 Zhiming Wu，1,5 Yadong Jiang 1,5和Jun Wang 1,5， * 1.光电科学与工程学院，中国电子科学与技术，成都610054，Chengdu 610054，中国中国2. Satate of Microeleelelecroelecroelecroelectronic，Farhans，Shanghanghanghans，Shanghanghand Shadhanghandshaghan。3.上海技术物理研究所的省关键实验室，中国科学院，Yutian Road 500，上海，200083年，Yutian Road，200083，4.Henan钻石光电材料和设备的Henan Key实验室，物理与工程学院，Zhengzhou University，Zhengzhou University，Zhengzhou University，Zhengzhou 450001 Y50001，PROF.G.G.G.G.G.G.G.G.G.G. GR.G. GR.G. GR.I. GR.I. g. g。 Jiang，J。Wang教授5.国家电子薄膜和集成设备的主要实验室，中国电子科学与技术大学，成都610054，中国†这些作者为这项工作做出了同样的贡献。*Silu Tao：电子邮件：silutao@uestc.edu.cn *Weida Hu：电子邮件：wdhu@mail@mail.sitp.ac.cn *jun wang：jun wang：wjun@uestc.edu.cn