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统一、快速、可靠的 CMOS 兼容电阻开关存储器
摘要：电阻开关随机存取存储器（RRAM）被视为下一代存储器的潜在候选者之一。然而，获得具有高保持力和耐久性、低变化以及CMOS兼容性等全面优异性能的RRAM器件仍然是一个悬而未决的问题。在本文中，我们在HfO x 基RRAM中引入插入TaO x 层来优化器件性能。通过成型操作在TaO x 层中形成了坚固的细丝，局域场和热增强效应以及界面调制可以同时实现。因此，RRAM器件具有大窗口（> 10 3 ）、快速开关速度（~ 10 ns）、稳定的保持力（> 72 h）、高耐久性（> 10 8 次循环）以及循环间和器件间优异的一致性。这些结果表明插入TaO x 层可以显著提高HfO x 基器件的性能，为RRAM的实际应用提供了一种建设性的方法。
开启脑部 PET 来观察体内淀粉样蛋白病理
通过 PET 检测阿尔茨海默症 (AD)。这篇著名的文章报道了一项诊断性 II 期试验的研究。该研究在美国 3 个中心进行，由约翰霍普金斯大学的 Dean Wong 团队领导。在这项研究中，研究了 18 种 FAV-45 的脑 PET 成像特性、剂量和安全性。这项研究是在患有 AD 痴呆症的患者和健康对照者中进行的。作者报告说，两个研究参与者队列的示踪剂摄取有所不同，大多数 AD 痴呆症患者的摄取模式与已知的这种疾病中的大脑 E-淀粉样斑块积聚非常相似。此外，静态成像结果与动力学建模输出有很好的相关性。发现辐射暴露在已知的其他脑 PET 示踪剂范围内。没有观察到相关的安全事件。由于有 11 名 AD 痴呆症患者和 15 名健康对照者进入最终数据分析，因此这个项目的队列规模相当小。 《核医学杂志》在这方面可能相当幸运，因为更大的研究群体可以解决更多与临床相关的问题（例如示踪剂的鉴别能力
文章激光攻击对 RRAM 器件开关行为的影响
摘要：关键和私人数据以电子格式被广泛使用，这要求物联网设备拥有可靠且安全的嵌入式系统。在此背景下，RRAM（电阻式随机存取存储器）成为替代当前存储器技术的有前途的替代方案。然而，它们是否适用于这种数据完整性至关重要的应用，仍在研究中。在用于恢复秘密数据信息的不同类型的攻击中，激光攻击由于其简单性而成为最常见的攻击之一。一些初步研究已经解决了激光测试对 RRAM 设备的影响。然而，结果并不具有决定性，因为根据测试电路和测试特征报告的响应不同。在本文中，我们对单个 RRAM 设备进行了激光测试。在进行的一系列实验中，设备没有表现出故障行为。这些结果有助于表征 RRAM，并有望与其他相关工作一起为开发针对外部攻击的适当对策铺平道路。
Janus 铬二硫族化合物中的无场自旋轨道扭矩切换
摘要：我们预测磁性铬基过渡金属二硫属化物 (TMD) 单层在其 Janus 形式 CrXTe（其中 X = S、Se）中具有非常大的自旋轨道扭矩 (SOT) 能力。Janus 结构固有的结构反演对称性破坏导致巨型 Rashba 分裂产生较大的 SOT 响应，相当于在非 Janus CrTe 2 中施加 ∼ 100 V nm −1 的横向电场所获得的响应，这完全超出了实验范围。通过对精心推导的 Wannier 紧束缚模型进行传输模拟，发现 Janus 系统表现出与最有效的二维材料相当的 SOT 性能，同时由于其平面内对称性降低，还允许无场垂直磁化切换。总之，我们的研究结果表明，磁性 Janus TMD 是超紧凑自感应 SOT 方案中终极 SOT-MRAM 设备的合适候选者。关键词：自旋轨道扭矩、过渡金属二硫属化物、二维材料、范德华铁磁体
更换降钙素基因相关肽抑制剂用于预防偏头痛
疾病背景 偏头痛是一种头痛，其特征是头部一侧反复发作中度至重度抽痛或搏动性疼痛。 1 疼痛是由脑膜（保护大脑和脊髓的 3 层膜）和头皮内的脑血管壁内的神经纤维激活引起的。 2 未经治疗的偏头痛发作可持续 4 小时至 72 小时。 1 其他常见的偏头痛症状可能包括恶心、呕吐和对光线、噪音和气味的敏感性。 1 日常体力活动、运动，甚至咳嗽或打喷嚏都会加剧疼痛。 1 偏头痛最常发生在早晨，尤其是在醒来的时候。 1 然而，偏头痛可能在一天中可预测和不可预测的时间发生。 1 不同的因素会增加患偏头痛的风险，包括情绪、压力、劳累过度、天气或环境的突然变化、强烈的气味或烟雾、巨大或突然的噪音、睡眠过多或过少、晕动病、低血糖、不吃饭、明亮或闪烁的灯光。1,2
结构化的社区过渡解释了微生物系统的开关能力
微生物系统似乎在少数主要社区（分类成员）中来回移动的转换能力相对较高。虽然这种切换行为主要归因于随机环境因素，但尚不清楚内部社区动态影响微生物系统的开关能力的程度。在这里，我们整合了生态理论和经验数据，以证明结构化的社区过渡会增加未来社区对当前分类单元成员资格的依赖，从而增强了微生物系统的开关能力。按照结构主义的方法，我们建议每个社区在环境参数空间中的独特领域内都是可行的。然后，任何两个群落之间的结构化过渡都可以与其可行性域的大小成正比，并且与它们在环境参数空间中的距离成反比 - 可以将其视为重力模型的特殊情况。我们检测到具有结构化过渡的两个广泛的系统：一个类别，其中开关容量在广泛的社区规模和另一个类别的类别中，切换容量仅在狭窄范围内。我们使用肠道和口服微生物群（属于1类）以及阴道和海洋微生物群（属于2类）的时间数据来证实我们的理论。这些结果表明，环境参数空间中可行性域的拓扑是了解微生物系统行为不断变化的相关属性。该知识可以可能用于了解微生物系统中内部动力学的相关社区规模。
在酿酒酵母中交配类型切换过程中重组的中间体。
我们已经确定了从MATA到MATA的酵母交配型基因的同义转换的两个新型中间体。在HO核酸内切酶裂解后，观察到5'至3'的外核解消化，直到ho切割远端，产生了3'端的单链尾巴。在无法切换的RAD52应变中，此镜头更为广泛。令人惊讶的是，HO切割的近端受到保护，免受降解。这种稳定取决于无声复制供体序列的存在。通过定量应用聚合酶链反应（PCR）来鉴定第二个中间体。在MAT近端YA交界处出现之前，开关产物的YVA-MAT远端共价片段出现。未检测到MAT远端与HML远端序列的共价连接。我们建议，HO CUT远端的MAT DNA侵入完整的供体，并通过DNA合成扩展。在RAD52应变中阻止了此步骤。这些中间体与MAT开关的模型一致，在该模型中，HO切割的远端最初在链入侵和从供体中传递信息。关键词：重组机制/交配型/酵母/双链休息时间！rads2
Esmethadone-HCl（Rel-1017）：有希望的快速抗抑郁剂
已成功地用于有效操纵磁化，从而导致了最近的商业STT磁性记忆解决方案。[1]自旋 - 轨道扭矩（SOT），该扭矩（SOT）使用高自旋霍尔效应（SHA）材料中的平面电荷电流产生的平面自旋电流，可以实现对磁磁性的更节能的操纵，并且正在达到商业兼容。[2–4]到目前为止，已经研究了各种高自旋 - 轨道耦合（SOC）材料，包括重金属，拓扑绝缘子（TIS），[5-7]以及最近的拓扑半学（TSMS），[8-11]，[8-11] J S | / | J C | ，将其在转换电荷电流密度j c转换为旋转电流密度j s的效率的度量。此外，还研究了高HIM和FM材料层之间的界面工程，以最大程度地跨越界面，以最大化自旋透射式T int。[12–19]有效SOT Spintronic设备的主要挑战是最大化SOT效率，ξ=θSh·t int。[20]
AN543：新型高速开关提供低于 50ns 的开关时间
模拟开关的常见应用是时分复用，其中许多信号在单个通道上处理。高速切换允许通道上具有更高的信息容量，因为模拟开关的切换速度与最大开关激活频率直接相关。开关打开和关闭的速度越快，可能的开关频率就越高。图 7 显示了此关系的一个示例。如果开关以 1MHz 的频率激活，则必须在 500ns 的时间段内打开和关闭。由于 HI-201HS 的最大开启和关闭时间为 50ns，并且可以在 100ns 的时间段内打开和关闭，因此理论上可以以 5MHz 的频率激活它。这种改进的功能使 HI-201HS 成为需要高频数据处理的设计工程师的有吸引力的组件。与工程师的对话表明可能的应用是计算机图形和视觉显示电路设计。
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。