XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemThickness
有机半导体的厚度控制的钙钛矿
（2t）2（ma）2 Pb 3 I 10（2t n = 3），（3t）2 PBI 4（3T n = 1），（3t）2（ma）Pb 2 I 7（3t n = 2）
GaN 层厚度对两者的影响
A.Bellakhdar a,b,* , A.Telia ba LMSF 半导体和功能材料实验室，Amar Telidji Laghouat 大学，阿尔及利亚 b Laboratoire des Microsystèmes et Instrumentation LMI, Département d'Electronique, Faculté de Technologie, Université des Frères Mentouri, 2 Campus Ahmed Hamani, Ain El Bey, Constantine, Algeria In本研究提出了具有不同 GaN 盖层厚度和重 n 掺杂 GaN 盖层的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。为了研究 GaN 覆盖层对 (GaN/AlInN/GaN) 异质结构性能的影响，通过求解一维 (1 D) 泊松方程，提出了一种简单的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 阈值电压分析模型，从而找到了二维电子气 (2DEG) 与控制电压之间的关系。分析中考虑了 AlInN/GaN 和 GaN/AlInN 界面处的自发极化和压电极化。我们的模拟表明，GaN 覆盖层降低了二维电子气 (2DEG) 的面密度，从而导致漏极电流减小，并且 n+ 掺杂的 GaN 覆盖层比未掺杂的 GaN 覆盖层具有更高的面密度。 （2021 年 11 月 28 日收到；2022 年 2 月 19 日接受）关键词：GaN 帽、GaN/AlInN/GaN HEMT、2DEG、2DHG、自发极化、压电极化
细胞壁组成和厚度影响叶肉...
缩写：A F，凋亡水分；空气，酒精不溶性残留物； a n，叶净CO 2同化率； c * ft，叶子面积特异性电容； ETR，电子传输速率； f ias，叶叶叶的一部分细胞间空间； G M，叶叶叶电导至CO 2扩散； G S，气气体传导到气体扩散； l Betchl，叶绿体之间的距离； l chl，叶绿体长度； n pal，帕利塞德层的数量； R光，线粒体非呼吸呼吸速率； RWC TLP，在Turgor损失点处的相对水含量； S c / s，叶绿体表面积暴露于单位（一侧）叶子表面积的细胞间空间； S C / S M，叶绿体表面积暴露于单位叶肉表面积暴露于细胞间空间的细胞间空间； S m / s，叶肉表面积，分为每单位（一侧）叶子表面积的细胞间空间； t chl，叶绿体厚度； T CW，细胞壁厚度； T细胞，细胞质厚度； t le，表皮较低； t叶，叶子厚度； t mes，叶肉厚度； T pal，帕利塞德叶肉厚度； t spo，海绵状的叶肉厚度； T ue，上表皮厚度； Wue，用水效率； ε，弹性的散装模量； πo，全毛的叶子渗透势； ψmd，中午叶水电势； ψPD，黎明前的叶水电势； ψtlp，在库尔戈尔损失点处的叶子潜力。©作者2020。由牛津大学出版社出版，代表实验生物学学会。保留所有权利。有关权限，请发送电子邮件：journals.permissions@oup.com
冰雪厚度的年际变化...
simba浮标档案馆（data.seaiceportal.de）>> 100个部署/存档的浮标2012 - 2023NH＆SH（多数北极；马赛克）漂移，温度和加热温度数据直到最近才一致的厚度数据
多层烧结工艺提高微型齿轮壁厚均匀性
摘要：电铸层厚度不均匀性是制约电铸微金属器件发展的瓶颈问题。微齿轮是各类微器件的关键元件，本文提出了一种提高其厚度均匀性的新制备方法。通过仿真分析研究了光刻胶厚度对均匀性的影响，结果表明随着光刻胶厚度的增加，电流密度的边缘效应减小，电铸齿轮的厚度不均匀性会减小。与传统的一步正面光刻和电铸方法不同，该方法采用多步自对准光刻和电铸工艺制备微齿轮结构，在交替光刻和电铸过程中间歇地保持光刻胶厚度的降低。实验结果表明，该方法制备的微齿轮厚度均匀性比传统方法提高了45.7%。同时，齿轮结构中部区域的粗糙度降低了17.4%。
跟踪面积、厚度和体积的变化... - TC
图 1：南极冰山跟踪数据库记录的 B30 冰山轨迹（Budge 和 Long，2018 年）：2012 年从思韦茨冰架崩解后，它跟随沿海洋流向西移动，2017 年开始向北漂移，最终于 2019 年解体。黑点标记了 CryoSat-2 飞越冰山的可用位置，圆圈表示本研究中使用的 MODIS 和 Sentinel 1 图像的位置 120
根据最新厚度设定腐蚀附加值...
(注) (1) 在锚链舱底板上表面垂直上方 3m 范围内，应在板面增加 1.0mm。(2) 仅适用于以露天甲板为舱顶的舱。3m 距离应垂直于舱顶并平行于舱顶测量。舱底水舱、排泄储罐和锚链舱应视为“其他位置”。 (3) 干散货舱包括用于载运干散货的舱。(4) 对于矿砂船，仅适用于垂直上方内底板 3mm 范围内。如果垂直上方内底板超过 3m，则视为 1.0mm。(5) 舱壁用板材在内底板垂直上方 3mm 范围内应加厚 0.2mm。(6) 吸入口附近的内底板和吸入井应在距吸入口外周约一个纵向间距半径范围内加厚 2.0mm（见图3.3.4-1 和 3.3.4-2）。(7) 对于装有气体燃料舱的舱室，应采用与同类型液化气船货舱相同的防腐措施。(8) 空隙处所是指只能通过螺栓人孔开口进入的处所或通常无法进入的处所，例如管隧。封闭型柱的内部空间也包括在内。(9) 干燥处所是指机器处所、泵舱、储藏室、操舵装置处所等的内部空间。(10) 主机舱内底板厚度应增加 2.0mm，除非根据事先提交的数据经本船级社批准实施防腐保护。
电流板的厚度及其对冠状的影响
电流板的厚度极为重要，尤其是与快速磁重新连接的开始有关。发作确定在爆炸性释放之前，在磁场中可以积聚多少磁性自由能。这对太阳和整个宇宙的许多现象具有影响，包括加热太阳电晕。重大努力已致力于以下问题：现实几何形状中的平衡电流板是否具有有限的厚度或零厚度。使用简单的力量平衡分析，我们说明为什么没有导向场（2D）的电流表（2D）以及在导向场方向（2.5D）不变的导向场，如果它们具有有限的厚度和有限的长度，则不能保持平衡。然后，我们估计弯曲线绑定导向场的张力可以促进在所有维度有限的3D纸中均衡的条件。最后，我们认为，一些准静态的电流表面正在缓慢压力，例如，当冠状磁场经过光球边界驾驶时，可能会达到临界剪切，这时它们会失去平衡，自发崩溃并重新连接。临界剪切通常与太阳能活动区域的加热要求一致。引言许多爆炸现象发生在太阳上，在地球球内以及整个宇宙中都涉及缓慢的积聚和突然释放磁能。太阳示例包括耀斑（Kazachenko等人2022），冠状质量弹出（Chen 2011），喷气机（Raouafi等人2016）和将电晕加热到数百万度的温度（Klimchuk 2015）。在典型的情况下，在系统边界处的缓慢强迫会导致磁应力生长。电流纸变得更薄，直到最终达到临界厚度，因此快速磁重新连接并爆炸。在太阳上，边界强迫由光电流提供，该流量流动冠状磁场的脚步
厚度和掺杂浓度对太阳效率的影响
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆（Alam），马来西亚雪兰莪（Selangor），在这项研究中，我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐（GAN）的太阳能电池模型的性能分析。已经发现，当GAN底物的层厚度生长时，太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高，细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比，GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26％。（2023年6月21日收到； 2023年9月1日接受）关键字：太阳能电池，甘恩，氮化碳，硅，硅，pc1d1。简介硝酸盐（GAN）设备自然会获得市场份额。gan收入将以75％的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术，被动组件选择，热管理和实验测试有关的问题，这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙，这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用，III-V硝酸盐（如氮化岩（GAN），氮化铝（ALN）和硝酸铝（Innride）及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）方法中作为N型掺杂剂掺入，因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙（例如〜3.4 eV），整个可见光谱中的透射率超过82％，高电子迁移率（〜1,000 cm2/vs）[5] [5]，高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6]，氮化物（GAN）具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的，因为它可用于制造第三代设备，例如中型太阳能电池，除了高效的多官方太阳能电池外，由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性，例如低有效的载体，高迁移率，高峰值和饱和速度，高吸收系数和辐射耐受性，除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动，并减少传导带最小值（CBM）值和价值最大（VBM）值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。