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厚度对Ni/GaAs体系固相反应的影响
摘要：为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应，利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜，并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明，20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系，沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似，第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。
涂层厚度对取向和热膨胀系数的影响
从 X 射线衍射实验中观察到，基材上固化的聚酰亚胺薄膜的取向使得酰亚胺链优先沿薄膜的平面方向排列。对于具有刚性棒状聚酰亚胺的薄膜，薄膜取向尤其突出，并且随着薄膜厚度的增加而显着降低。涂层厚度对聚酰亚胺薄膜取向和有序性的影响在纯均苯四甲酸二酐-对苯二胺 (PMDA-PDA) 薄膜中最为明显，在含有 50% 均苯四甲酸二酐-4,4'-二苯氧基二苯胺 (PMDA-ODA) 和 50% PMDA-PDA 的薄膜中略小，而在含有 100% PMDA-ODA 的薄膜中相对不明显。根据傅里叶变换红外衰减全反射光谱实验的C=O和C-N拉伸吸收带，位于薄膜中心附近的酰亚胺分子表现出比靠近表面的酰亚胺分子更差的结构有序性。这揭示了为什么随着薄膜厚度的增加，平均薄膜取向会降低，相应的热膨胀系数会增大。
改进的南极洲冰床、表面和厚度数据集
P. Fretwell 1,* , H. D. Pritchard 1,* , D. G. Vaughan 1 , J. L. Bamber 2 , NE Barrand 1 , R. Bell 3 , C. Bianchi 4 , R. G. Bingham 5 , D. D. Blankenship 6 , G. Casassa 7 ，G.卡塔尼亚 6 ， https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.199.1121，Google Scholar Crossref，CAS 11。D. Callens 8，H. Conway 9，A. J. Cook 10，H. F. J. Corr 1，D. Damascus 11，V. Damm 11，F Ferraccioli 1、R. Forsberg 12、S. Fujita 13、P. Gogineni 14、J. Chem。A. Griggs 2 , R. C. A. Hindmarsh 1 , P. Holmlund 15 , J. W. Holt 6 , R. W. Jacobel 16 , A. Jenkins 1 , W. Jokat 17 , T. Jordan 1 , E. C. King 1 , J. Kohler 18 , W克拉比尔 19 岁，理学硕士Riger-Kusk 20、K.A. Langley 21、G. Leitchenkov 22、C. Leuschen 14、B.P. Luyendyk 23、K. Matsuoka 24、Y. Nogi 25、O.A. Nost 24 , S. V. Popov 26 , E. Rignot 27 , D. M. Rippin 28 , A. Riviera 7 , J. Roberts 29 , N. Ross 30 , M. J. Siegert 2 , A. M. Smith 1 , D. Steinhage Studinger 31 , B.周日 32 、BK Tinto 3 、BC 韦尔奇 17 、DA[div] Young 6 、C.Xiangbin 32 和 A.Zirizzotti 33
氯胺酮滥用后的皮质厚度大大减少
尽管氯胺酮 - 一种非竞争性的N-甲基-D-天冬氨酸（NMDA）受体拮抗剂 - 因其在麻醉和疼痛管理中的临床效果而受到重视，而Esket-氨基（酮胺）已开始用于治疗的抑郁症。先前确定了氯胺酮长期非医学使用对灰质和白物结构的影响，2,3以更大的特定理解这些理解是一个紧迫的挑战。氯胺酮作为一种成瘾性物质，通过单独或与其他非法物质杀死粉末，在医学上被非医学用作俱乐部药物。4氯胺酮滥用的常见心理和物理不良反应包括精神病症状和认知障碍，体外经历，抑郁和焦虑症状，睡眠障碍，溃疡性膀胱炎和胃肠道毒性。5–10受控，
退火温度对LA2TI2O7薄膜厚度和粗糙度的影响
在这项工作中，验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术（PLD）在各种退火温度下成功地在Si（100）底物上生长了一组LTO薄膜，每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高，薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时，发现最大厚度（231 nm）。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以（500°C）沉积时，发现最小粗糙度（0.254 nm）。从获得的结果中，其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
超声和糖尿病志愿者中颈动脉内膜膜厚度的超声检查
抽象目的：糖尿病（DM）和高血压是动脉硬化疾病的最常见原因之一。内膜媒体厚度通常会随动脉疾病而增加，颈动脉内膜厚度（CIMT）的增加与冠状动脉疾病（CAD）的存在和程度有关。这项研究旨在在超声检查中比较高血压和DM患者志愿者的CIMT。材料和方法：在拉合尔成像中心进行了病例对照分层研究。患者被邀请参加该研究，必须超过30岁，DM和高血压。来自同一年龄段的人没有高血压和DM作为研究对照。接受内部切除术或其他动脉介入手术以及先前的心血管疾病和中风病史的患者被排除在外。结果：对照组右颈动脉内的平均CIMT为0.53 mm，DM组为0.69 mm，高血压组为0.67 mm，DM和高血压患者为0.98 mm。对照组的左颈动脉平均CIMT为0.56 mm，DM组为0.7 mm，高血压组为0.68 mm，DM和高血压患者为1.01 mm。结论：DM和非DM个体之间的平均CIMT之间存在显着差异。对照组和DM或高血压组也有显着差异。然而，对照组的颈动脉以及DM和高血压的平均CIMT中发现了更明显的差异。
使用计算机程序评估真空金属和半导体涂料的厚度
简介。在各个技术领域使用某种组成的层（涂层）真空沉积[1-5]。目前，对于生产许多微电子，光学和仪器的产品，需要在其表面上以厚度均匀地形成功能性涂层，尤其是反射性，吸收，导电和保护性涂层。许多零件及其性能特征的质量取决于功能涂层的特性。在某些情况下，均匀性的设计公差（与“厚度均匀性”的偏差）可能为±5％或更少。在实施用于获得此类涂层的技术过程时，由于缺乏实质性数据以确保所需的均匀性而出现重大困难。
通过调整厚度实现 InSe 纳米带的光谱工程以实现全彩色成像
摘要：本文报告了通过无催化剂化学气相沉积 (CVD) 生长法合成 InSe 纳米带。当 InSe 纳米带的厚度从 562 nm 减小到 165 nm 时，峰值光响应发生了显著的蓝移。Silvaco Technology 计算机辅助设计 (TCAD) 模拟表明，这种光谱响应的变化应归因于 InSe 的波长相关吸收系数，其中较短波长的入射光将在表面附近被吸收，而较长波长的光将具有更大的穿透深度，导致较厚的纳米带器件的吸收边缘发生红移。基于上述理论，通过调控纳米带的厚度，实现了对蓝光（450 nm）、绿光（530 nm）、红光（660 nm）入射光敏感的三种光电探测器，可以实现紫色“H”图案的光谱重建，表明二维层状半导体在全色成像中的潜在应用。
摩擦学涂层的表面表征：磨损特性，厚度和粗糙度
我们的研究重点是改善钻石（例如碳（DLC）涂层）的摩擦力特性，该特性由新型PVD技术高功率脉冲磁铁溅射（HIPIMS）沉积，并在工具钢上呈阳性脉冲。这些涂层由于其非凡的特性而引起了行业的极大兴趣：出色的耐磨性，非常低的摩擦系数，出色的硬度或生物相容性。这些研究的目的是改善不同钢底物上DLC涂层的摩擦力特性，例如粘合剂或耐磨性。