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最高厚度照片的研究抗Cu的cu后粉状晶圆级包装
ph： +82-041-925-1389电子邮件：yuseon.heo@samsung.com摘要移动设备有限的热预算几乎不允许全速使用高性能应用程序（AP）。但是，由于人工智能技术已迅速应用于移动设备，因此高速和大容量信号处理等需求正在不断增加。因此，控制AP芯片的热量生成成为关键因素，并且有必要开发基于重分配层（RDL）的风扇外套件（FOPKG）结构，该结构不会增加包装的厚度，同时最大程度地提高耗散量的厚度。CU柱的高度在产生可能施加厚的Fopkg的高度正在越来越高，并且在这项研究中，开发了世界上最厚的光孔材料（> 350UM厚度），以生产Cu Post（> 300UM厚度）。研究了光震鼠的光透射率的影响以及根据主聚合物的分子结构的溶解度的影响，以进行厚光构师的光刻过程。基于对这种厚的光质危行为的理解，开发了最佳的液体类型的光蛋白天抗事组成。通过光刻评估基于厚的光片特性，通过实施和CU电镀板进行深孔，以在AP产品设计施加的晶片中获得CPK 1.27的产率。关键字风扇外包装，厚度厚度光抗光毒师，Cu Post取决于对厚光构师的深入理解和实验，可以建立高级研究基础，以增加光孔厚度和更精细的CU后俯仰，以确保散热特征并提高建筑的自由度。
厚度依赖性的seebeck系数在混合2- ...
摘要 - 单个分子中的Seebeck系数取决于费米水平的电荷载体的传输概率的斜率，这可能会导致高塞贝克系数。但是，由于单分子只能为热电应用产生有限的功率。因此，必须开发较大规模的系统，以便为实际应用提供足够的功率。在这项工作中，我们检查了维数对分子/Au纳米颗粒2D阵列的塞贝克系数的影响，该阵列在网络系统内具有大量分子连接。此方法随着系统尺寸尺度而增加组件之间的复杂性和相互作用。在这项工作中，我们观察到，与具有相同分子接头的单层结构相比，2D混合阵列的多层结构可提供更高的seebeck系数。尤其是，含油胺（OAM）和硫醇的蒽醌衍生物（5AQ5）用作结构中金纳米颗粒之间的分子交流器。实验结果表明，OAM/AU 2D阵列的四层结构可在单层结构（s = 3.36 µV/K）的Seebeck系数（s = 38.21 µV/K）方面提高约11倍，这在电导率的改善中可以提高6335次的电力系数。另一组结果表明，基于蒽醌的依子基桥（5AQ5）/AU 2D阵列的三层结构可在Seebeck系数（S = -3254 µV/K）上提高约26倍（S = -3254 µV/K），而单层结构（S = -127 µV/K）和A 177 Quelt time and 177 Quilties and 177。这些发现表明，可以通过控制层数来改善工程纳米结构的热电性能。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
厚度对Ni/GaAs体系固相反应的影响
摘要：为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应，利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜，并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明，20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系，沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似，第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。
使用 SCAPS-1D 软件优化吸收层和 ETM 层厚度，以增强锡基钙钛矿太阳能电池性能
甲基铵碘化锡（ ）钙钛矿纳米晶体由于其带隙窄、可见光吸收系数高、比铅基对应物（ ）更环保，引起了研究兴趣，并成为光伏领域的后起之秀。本文提出了一种以氧化锌（ZnO）和氧化铜（CuO）为电子传输介质（ETM）和空穴传输介质（HTM）的锡基钙钛矿太阳能电池，并使用太阳能电池电容模拟器（SCAPS）工具进行数值研究。在适当的参数下，初步模拟获得了短路电流密度（Jsc）为 27.56 / 、开路电压（Voc）为 0.82 、填充因子（FF）为 59.32 % 和功率转换效率（PCE）为 13.41 %。通过改变吸收层和电子传输层的厚度，观察到ZnO和ZnO的最佳厚度分别为0.6和0.3，相应的PCE分别为14.36％和13.42％。使用优化参数进行模拟后，记录到Jsc为29.71 /，Voc为0.83，FF为61.23％，PCE为15.10％。这些值优于未经优化获得的值，这意味着通过调整钙钛矿和电子传输层可以在一定程度上提高太阳能电池的性能，同时钙钛矿太阳能电池（PSC）是一种具有相当高效率的潜在环保太阳能电池。
通过调整厚度实现 InSe 纳米带的光谱工程以实现全彩色成像
摘要：本文报告了通过无催化剂化学气相沉积 (CVD) 生长法合成 InSe 纳米带。当 InSe 纳米带的厚度从 562 nm 减小到 165 nm 时，峰值光响应发生了显著的蓝移。Silvaco Technology 计算机辅助设计 (TCAD) 模拟表明，这种光谱响应的变化应归因于 InSe 的波长相关吸收系数，其中较短波长的入射光将在表面附近被吸收，而较长波长的光将具有更大的穿透深度，导致较厚的纳米带器件的吸收边缘发生红移。基于上述理论，通过调控纳米带的厚度，实现了对蓝光（450 nm）、绿光（530 nm）、红光（660 nm）入射光敏感的三种光电探测器，可以实现紫色“H”图案的光谱重建，表明二维层状半导体在全色成像中的潜在应用。
缺陷驱动的 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用中厚度可调的二维铁磁体中的磁性 Skyrmions
其中，磁性 skyrmion 正被考虑用作信息载体，它是具有手性边界的纳米级自旋结构。[2] 自 2009 年首次在 MnSi 单晶中实验观察到 skyrmion 以来 [3]，skyrmion 已在多种薄膜系统 [4–8] 以及其他单晶中被发现。[3,9–12] 在同一时期，随着石墨烯单层剥离的成功演示，二维层状材料家族引起了广泛关注。[13] 磁性范德华 (vdW) 晶体的加入为自旋电子学应用打开了大门。几种二维层状磁性材料块体晶体，包括 Cr 2 Ge 2 Te 6、[14] CrI 3、[15] 和 Fe 3 GeTe 2、[16]，已被证明在厚度仅为一个或几个单层时就表现出磁性。前两种材料是绝缘的，而 Fe 3 GeTe 2（FGT）是金属的，因此提供了通过自旋流操纵自旋纹理的可能性。由于表现出强的垂直磁各向异性，并且可以通过改变其化学成分或离子门控来调整其居里温度（T c ），FGT 是一种非常适合自旋电子应用的材料。[16–19]
在临界厚度的超薄金属膜中的电阻率缩放率转变及其对透明导体应用的影响
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/aelm.202100970。本文受版权保护。保留所有权利。
在临界厚度的超薄金属膜中的电阻率缩放率转变及其对透明导体应用的影响
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/aelm.202100970。本文受版权保护。保留所有权利。
使用卫星测高和图像跟踪思韦茨冰山‘B30’的面积、厚度和体积变化
图 1：南极冰山跟踪数据库记录的 B30 冰山轨迹（Budge 和 Long，2018 年）：2012 年从思韦茨冰架崩解后，它跟随沿海洋流向西移动，2017 年开始向北漂移，最终于 2019 年解体。黑点标记了 CryoSat-2 飞越冰山的可用位置，圆圈表示本研究中使用的 MODIS 和 Sentinel 1 图像的位置 120