XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemTrench
科学海洋钻孔发现超深日本沟槽中的动态碳循环
在所谓的超级地震中进行灾难，就像2011年发生在毁灭性的tohoku-oki地震期间。与地震相关的海底变形和摇动可以重新探测大量的沉积物和新鲜的有机碳，随后通过重力流动到哈达尔沟槽盆地的末端水槽中。为了研究巨型地震的长期历史并研究地震在超深水环境中的作用，IODP Expedition 386团队已收集并分析了58个从孔中取出的58个沉积物核心，该孔在500千万千万千千万英寸的500千万英寸井下的15个地点深37.82米处。“这些操作探险成就取得了成功的深度提交采样，在海平面以下7445-8023 m之间的水深下水，在50多年的科学海洋钻井和训练中创下了两个新记录。”“我们已经在8023米的水深下方的最深的水位位置，并从海拔8060.74米处恢复了最深的亚海水平样品”。
实验证明了1.2 kV的沟槽簇状隔热栅极双极晶体管
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中，通过引入沟槽几何学[1]，野外停机（FS）技术[2]和注射增强（IE）效应来取得重大进展。但是，在州绩效，切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩（DA）在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制，并保持与宽带差距（WBG）功率设备的竞争力，必须以可靠的方式实施创新的硅技术，以实现自由运营和显着降低功率损失，同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻，从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT（TCIGBT）是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外，即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较，固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10，11]。因此，TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案，可以超越当前IGBT技术的限制。
Marianas Trench海洋国家纪念碑管理计划和环境评估草案
巨大的海底泥土火山，液体硫的水下池，茂密的顶点捕食者种群和壮观的珊瑚礁系统……这些只是玛丽安娜沟渠海洋纪念碑（纪念碑）的某些独特特征。纪念碑的特征是该地区在地球最活跃的火山系统太平洋火环中的复杂地质过程的标志。这些地质现象创造了独特的水下环境，以支持动态生物生态系统。壮观的火山海底通风口，也称为“吸烟者”，支持各种各样的海洋生物，包括地球上一些最早已知的微生物生命形式。也发现了世界上最深处的玛丽安娜沟，其中珠穆朗玛峰可以与一英里的水相处。1，2
采用顺序磷掺杂硅的沟槽场板功率 MOSFET 工艺优化
图 7 显示了 (A) 磷扩散和 (B) 无退火顺序掺杂的 (1) 横截面 TEM 图像和 (2) EDX 磷映射图像。在磷扩散以及退火顺序掺杂（未显示）中，硅变成多晶（图 7(A-1)），其中多晶粒加剧了干蚀刻变化。另一方面，对于无退火顺序掺杂（图 7(B-1)），硅保持非晶态，这改善了干蚀刻变化。EDX 的结果使硅差异与磷原子位置的差异相一致（图 7(A-2) 和图 7(B-2)）。从干蚀刻工艺变化的角度来看，对于硅场板电极而言，无活化退火顺序掺杂更胜一筹。
利用焦外扫描光学显微镜和深度学习方法进行 MEMS 高深宽比沟槽三维测量
摘要：高纵横比结构在 MEMS 器件中的重要性日益凸显。对高纵横比结构进行原位、实时关键尺寸和深度测量对于优化深蚀刻工艺至关重要。离焦扫描光学显微镜 (TSOM) 是一种高通量且廉价的光学测量方法，可用于关键尺寸和深度测量。迄今为止，TSOM 仅用于测量尺寸为 1 µ m 或更小的目标，这对于 MEMS 来说远远不够。深度学习是一种强大的工具，它可以利用额外的强度信息来提高 TSOM 的性能。在本文中，我们提出了一种基于卷积神经网络模型的 TSOM 方法，用于测量硅上单个高纵横比沟槽，其宽度可达 30 µ m，深度可达 440 µ m。进行了实验演示，结果表明，该方法适用于测量高纵横比沟槽的宽度和深度，标准偏差和误差约为一百纳米或更小。所提出的方法可应用于半导体领域。
详细的分级计划清单（拆卸/ ... div>）
o典型的住宅车道590.06（2张）o人行行590.30 o临时侵蚀控制措施 - 淤泥790.03（2张纸）部分 - 刚性路面590.12 o公用事力沟渠铺路区 - 柔性路面590.13 o非摊销区域的雨水污水沟区290.21 o铺好的区域290.20 o雨水污水沟沟290.20 o
IBOLC 的 Platoon LFX
在给学生的作战命令中，敌情直截了当，非常逼真。敌方小队（加上）利用加固掩体守住战壕，并且已经驻扎了至少七天。战壕的南部和东部有一个指定关注区（NAI），其中有一个疑似监听站/观察站（LP/OP）。当美军开始建立时，敌方目标将出现在 SBF 2 的西部。敌人被认为具有 FM 通信能力，战壕在敌人迫击炮和火炮的射程之内。战壕由三股蛇腹形铁丝网保护，学生用机械方法突破。敌人（上一级）在目标附近，增援部队将在 10 分钟内到达目标。敌方增援的触发条件是美国军队在突破点集结。
APG013N04G-AU
特点 40V,160A RDS（ON）<1.3mΩ＠VGS=10V (TYP:1.1mΩ) RDS（ON）<1.8mΩ＠VGS=4.5V (TYP:1.6mΩ) Split Gate Trench 技术 获得无铅产品 优异的R DS（ON）和低栅极电荷 应用 PWM应用 负载开关 电源管理
2023 - 2024 学年日历
绳索救援行动 (40 小时) 2 8 绳索救援行动 (40 小时) 绳索救援技术 (40 小时) 27 22 绳索救援技术 (40 小时) 密闭空间行动 (24 小时) 9 26 密闭空间行动 (24 小时) 密闭空间技术 (16 小时) 12 29 密闭空间技术 (16 小时) 壕沟行动 (24 小时) 23 11 壕沟行动 (24 小时) 壕沟技术 (16 小时) 25 14 壕沟技术 (16 小时) 结构倒塌行动 (40 小时) 4 20 23 结构倒塌行动 (40 小时) 结构倒塌技术 (80 小时) 结构倒塌技术 (80小时） VMR Ops（40 小时） 13 5 VMR Ops（40 小时） VMR Tech（40 小时） 18 VMR Tech（40 小时）
高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层