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硅 FS 沟槽 IGBT - CRG60T60AK3HD
散热器的光滑度。3. IGBT 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
沟槽安全：挖掘前先做好规划！
• 每天在工作开始前、班次期间条件发生变化时以及每次暴雨后，请合格人员检查沟渠、附近区域和防护系统。 • 在沟渠周围设置标志、屏障和防护装置。 • 使所有车辆和机械与挖掘现场保持安全距离。 • 确保梯子和出口距离沟渠内的任何工人不超过 25 英尺。 • 一旦发现任何可能导致塌方的证据，立即将工人从挖掘现场撤出。 • 监测可能发生的其他类型的沟渠相关危险，例如从边缘坠落、索具危险、有毒和可燃气体或缺氧情况。 • 执行程序以确保不会在无保护的沟渠中工作。
N型衬底超快三维沟槽电极硅探测器的抗辐射性能
摘要：ATLAS 和 CMS 实验预测高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）最内层像素探测器的辐射注量高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。辐射剂量的增加将导致探测器性能下降，例如漏电流和完全耗尽电压增加，信号和电荷收集效率降低，这意味着有必要开发用于甚高亮度对撞机的抗辐射半导体器件。在我们前期对超快三维沟槽电极硅探测器的研究中，通过模拟不同最小电离粒子（MIP）撞击位置下的感应瞬态电流，验证了从 30 ps 到 140 ps 的超快响应时间。本工作将利用专业软件有限元技术计算机辅助设计（TCAD）软件框架，模拟计算探测器在不同辐射剂量下的全耗尽电压、击穿电压、漏电流、电容、加权场和MIP感应瞬态电流（信号）。通过分析模拟结果，可以预测探测器在重辐射环境下的性能。像素探测器的制作将在中国科学院微电子研究所的CMOS工艺平台上进行，采用超纯高电阻率（高达10 4 ohm·cm）硅材料。
150V N 沟道沟槽 MOSFET（初步） - NET
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Marianas Trench海洋国家纪念碑管理计划和环境评估草案
巨大的海底泥土火山，液体硫的水下池，茂密的顶点捕食者种群和壮观的珊瑚礁系统……这些只是玛丽安娜沟渠海洋纪念碑（纪念碑）的某些独特特征。纪念碑的特征是该地区在地球最活跃的火山系统太平洋火环中的复杂地质过程的标志。这些地质现象创造了独特的水下环境，以支持动态生物生态系统。壮观的火山海底通风口，也称为“吸烟者”，支持各种各样的海洋生物，包括地球上一些最早已知的微生物生命形式。也发现了世界上最深处的玛丽安娜沟，其中珠穆朗玛峰可以与一英里的水相处。1，2
采用顺序磷掺杂硅的沟槽场板功率 MOSFET 工艺优化
图 7 显示了 (A) 磷扩散和 (B) 无退火顺序掺杂的 (1) 横截面 TEM 图像和 (2) EDX 磷映射图像。在磷扩散以及退火顺序掺杂（未显示）中，硅变成多晶（图 7(A-1)），其中多晶粒加剧了干蚀刻变化。另一方面，对于无退火顺序掺杂（图 7(B-1)），硅保持非晶态，这改善了干蚀刻变化。EDX 的结果使硅差异与磷原子位置的差异相一致（图 7(A-2) 和图 7(B-2)）。从干蚀刻工艺变化的角度来看，对于硅场板电极而言，无活化退火顺序掺杂更胜一筹。
NH3 退火 4H-SiC 沟槽 MOSFET 中的隧穿效应
摘要。栅极氧化物和碳化硅 (SiC) 之间的界面对 SiC MOSFET 的性能和可靠性有很大影响，因此需要特别注意。为了减少界面处的电荷捕获，通常采用后氧化退火 (POA)。然而，这些退火不仅影响器件性能，例如迁移率和导通电阻，还影响栅极氧化物的可靠性。我们研究了 NH3 退火 4H-SiC 沟槽 MOSFET 测试结构的氧化物隧穿机制，并将其与接受 NO POA 的器件进行比较。我们发现，NH3 退火 MOS 结构存在 3 种不同的机制，即陷阱辅助隧穿 (TAT)、Fowler-Nordheim (FN) 隧穿和电荷捕获，而在 NO 退火器件中仅观察到 FN 隧穿。隧穿势垒表明，有效活化能为 382 meV 的陷阱能级可实现 TAT。
