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微电子技术和VLSI设计
资格：在ECE / IEE / IEE / Electrical / CSE / IT或等效的ECE / IEE / IEE / electrical / cse / IT中，候选人至少应为B.E./B.Tech 2年及以上。入学：申请表将从IC中心，电子和电信工程部，加尔各答贾达夫布尔大学3楼或下载[www.jaduniv.edu.in或https://jadavpuruniversity.in]。填写申请表应在周一至周五上午11点至下午5点在IC中心收到。课程费用：卢比7,000/ - （JU学生的折扣为20％） +应在加尔各答的任何应付付款的国有化分支机构中提取需求草稿中的18％GST。一旦存入课程费用就无法退还。无法提供旅馆住宿。外壳：PP尺寸照片的一份副本，Madhyamik录取卡 /出生证书的Xerox副本，HS标记表，学期标记表[有证明 /自我证明的标记表 /证书的副本] < / div>
R22 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad R22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品... R19 M.Tech欺骗/DECS R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计
1。使用FPGA公开设计方法。2。可以深入了解故障模型。3。了解用于故障检测的测试模式生成技术。4。在连续电路中设计故障诊断。5。使用案例研究在流量的设计中提供理解。单元 - I可编程逻辑设备：可编程逻辑设备，SPLD，PAL设备，PLA设备，GAL设备，CPLD架构，FPGAS-FPGA技术，体系结构，Virtex CLB和Slice，FPGA编程技术，XC2000，XC2000，XC3000，ACT1 Act1 anderction Actient1 Actrect1，Act1 andertion。[TEXTBOOK-1] UNIT- II Analysis and derivation of clocked sequential circuits with state graphs and tables: A sequential parity checker, Analysis by signal tracing and timing charts-state tables and graphs-general models for sequential circuits, Design of a sequence detector, More Complex design problems, Guidelines for construction of state graphs, serial data conversion, Alphanumeric state graph notation.需要和设计策略，用于多盘顺序电路。[教科书2]单元-III顺序电路设计：顺序电路设计的设计步骤，示例，代码转换器，迭代循环设计，比较器的设计，控制器（FSM） - 标准，同步，FSM问题，FSM问题，使用FPGAS的序列电路共享，使用FPGAS的顺序设计，模拟和测试的序列循环设计。[Techtbook-3＆Ref.1][教科书2]单元 - IV故障建模和测试模式生成：逻辑故障模型，故障检测和冗余，故障等效性和故障位置，故障优势，单个卡在故障模型，多个卡在故障模型上，桥接故障模型。通过常规方法，路径敏化技术，布尔差异方法，Kohavi算法，测试算法-D算法，随机测试，过渡计数测试，签名分析和测试桥梁的断层对组合回路的故障诊断。
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。
集成电路和超大规模集成电路系统技术硕士
科目名称 代码 LTP 学分 学时 第一学期 VLSI 系统的数学基础 EC6L051 3-0-0 3 3 模拟 CMOS VLSI 设计 EC6L052 3-1-0 4 4 数字集成电路设计 EC6L053 3-1-0 4 4 选修课-I 3-0-0/3-1-0 3/4 3/4 选修课-II 3-0-0/3-1-0 3/4 3/4 设计和仿真实验室-I EC6P051 0-0-3 2 3 半导体器件实验室 EC6P052 0-0-3 2 3 研讨会-I EC6S051 0-0-3 2 3 总计 23/25 26/28 第二学期 VLSI 设计的 CAD EC6L054 3-0-0 3 3 VLSI 测试EC6L055 3-0-0 3 3 选修课-III 3-0-0/3-1-0 3/4 3/4 选修课-IV 3-0-0/3-1-0 3/4 3/4 选修课-V 3-0-0/3-1-0 3/4 3/4 设计与仿真实验室-II EC6P053 0-0-3 2 3 可重构计算实验室 EC6P054 0-0-3 2 3 研讨会-II EC6S052 0-0-3 2 3 总计 21/24 24/27 第三学期论文第一部分 EC6D051 0-0-0 16 16 研究评论论文-I EC6D052 0-0-0 4 4 总计 20 20 16 16 研究评论论文-II EC6D054 0-0-0 4 4 总计 20 20 课程总学分 84/89 90/96
用于信号和图像处理的 VLSI 架构（...
硬件描述语言 (HDL)、Verilog 和 VHDL 在将这些算法转换为实时应用时起着至关重要的作用。在此阶段，必须将算法转换、综合并映射到给定的技术上。此外，还必须满足设计的面积、速度和功率约束要求。只有对数字电路设计有很好的理解，才有可能实现这一点。因此，本高端研讨会将介绍信号和图像处理领域中各种算法的 VLSI 架构。因此，本课程的目标是： 介绍信号和图像处理中使用的一些重要算法
AI/ML/DL 算法及其在 VLSI 设计技术中的应用
3 助理教授，ECE 系，DSCE，班加罗尔，卡纳塔克邦 4 M.Tech。项目指导，教授兼系主任，ECE 系，DSCE，班加罗尔，卡纳塔克邦 摘要 本文简要回顾了可用于 VLSI 设计技术的 AI/ML 算法和应用。由于分析和开发可能减少由扩大工艺变异性带来的设计复杂性并缩短芯片制造周转时间的技术显然将成为纳米领域集成电路 (IC) 行业的一个问题。用于这些活动的传统方法大多是手动的，这需要时间和资源。相反，由于人工智能 (AI) 独特的学习策略，超大规模集成 (VLSI) 设计和测试可以利用各种新的自动化方法。利用自动学习算法，AI 和机器学习 (ML) 算法减少了理解和处理不同抽象级别内和跨不同抽象级别数据所需的时间和精力，从而提高了 IC 产量并加快了生产周转时间。本文研究了以前用于 VLSI 设计和生产的自动化 AI/ML 方法。本文介绍的工作是 PG (M.Tech) 学生的技术研讨会报告，这是 PG 课程第二学期每个学生必须就任何主题进行的研讨会的一部分。关键词：VLSI、设计、CMOS、芯片、晶体管 1.简介在微电子领域，CMOS 技术长期占据主导地位。在单个芯片上，制造的晶体管数量急剧增加。由于晶体管经过多代技术不断缩小尺寸，这些设备的密度和性能得到了提高，这极大地促进了微电子产业的发展。现代超大规模集成 (VLSI) 技术使得在单个芯片上实现复杂的数字系统成为可能。随着晶体管尺寸变小，半导体制造工艺的复杂性增加。随着我们越来越接近原子尺寸，简单的缩放不可避免地会走到尽头。即使这些器件很小，其性能的几个方面也会随着时间的推移而下降，例如泄漏增加、增益降低以及对制造工艺波动的敏感性增加。制造差异的急剧增加严重影响了电路的功能，导致相同尺寸的晶体管性能不一致。这会影响电路的传播延迟，其表现为随机变量，使时序收敛程序更加困难，并大大降低芯片产量。设计流程中需要采用未来技术节点的经济实惠的设计和先进的设计技术进行更精细的优化，以保持 VLSI 系统的性能趋势，以应对工艺变化增加带来的日益严峻的挑战，设计复杂性和芯片集成度。电子设计自动化 (EDA) 工具在克服设计复杂性方面的有效性
现代 VLSI 设备基础知识
这是一本经典且被广泛采用的教材的第三版，经过了彻底更新，非常适合实际晶体管设计和课堂教学。国际知名的作者涵盖了各种最新发展，详细讨论了现代 VLSI 器件的基本属性和设计，以及影响性能的因素。书中约有 25% 的内容为新内容，内容范围已扩展到高 k 栅极电介质、金属栅极技术、应变硅迁移率、MOSFET 的非 GCA（渐进沟道近似）建模、短沟道 FinFET 和 SOI 上的对称横向双极晶体管。章节已重新组织，将附录整合到正文中，以实现更流畅的学习体验，并包含大量额外的章末家庭作业练习（+30%），让学生参与实际问题并测试他们的理解。对于学习高级半导体器件课程的高年级本科生和研究生以及半导体行业中从事硅器件工作的专业人士来说，这是一本完美的教材。
引文：Dong, Mark, Heim, David, Witte, Alex, Clark, Genevieve, Leenheer, Andrew J 等人。2022 年。“用于 VLSI 的压电光机械悬臂调制器
摘要：可见波长超大规模集成 (VLSI) 光子电路有可能在量子信息和传感技术中发挥重要作用。可扩展、高速、低损耗的光子网格电路的实现取决于可靠且精心设计的可见光子元件。本文我们报告了一种基于压电驱动机械悬臂的低压光学移相器，该移相器是在 CMOS 兼容的 200 毫米晶圆可见光子平台上制造的。我们展示了差分操作中 6 V π -cm 的线性相位和幅度调制、-1.5 dB 至 -2 dB 的插入损耗以及 700 nm - 780 nm 范围内高达 40 dB 的对比度。通过调整选定的悬臂参数，我们演示了一个低位移和一个高位移装置，两者均表现出从直流到峰值机械共振的几乎平坦的频率响应，分别在 23 MHz 和 6.8 MHz，通过共振增强 Q~40，进一步将工作电压降低至 0.15 V π -cm。
神经形态VLSI设计课程
30 多年来，神经形态 VLSI 设计一直是一个研究领域。它始于尝试构建可以模拟眼睛和耳蜗等各个大脑区域功能的硅芯片 [1]。随着摩尔定律达到物理极限，业界正在寻求通过探索更好的算法（如神经启发（神经形态））来提高硅电路效率。这包括英特尔进军神经形态芯片 Loihi [2] 的尝试。此前，IBM 推出了神经形态芯片 True North [3]。True North 是一种具有神经元和突触阵列的神经处理器。除了作为神经处理器之外，Loihi 芯片还可以像人脑一样动态学习。这些芯片不仅可用于模拟大脑的各个区域，还可用于构建专用的机器学习硬件 [4] 和构建神经假体。尽管途径众多，但很少有大学提供这样的课程。因此，我们决定在我们的大学开设这门课程。本课程包括教授低功耗设计、亚阈值模式电路、混合信号芯片、将多个芯片组合成一个系统以实现神经形态硬件、背景神经科学和计算模型。