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超大规模集成电路互连和纳米级器件的进步
阿塔尔·比哈里·瓦杰帕伊 - 印度信息技术与管理学院瓜廖尔分校 (ABV-IIITM Gwalior) 是印度首屈一指的学院，由印度政府人力资源与开发部 (MHRD) 于 1997 年创办，是信息技术与管理领域的卓越中心。它是上述领域提供优质高等教育的领先学院，位于印度中央邦北部的瓜廖尔市。学院活动旨在通过高度竞争的学术环境以及学院与企业界之间的密切互动来发展探究和研究文化。学院与业界保持着活跃的联系。学院通过了 ISO 9001:2008 和 NAAC “A” 认证。它还被印度政府宣布为国家重要学院。在 2017 年印度尼西亚大学评估的 UI 绿色指标世界大学排名中，该学院在全球排名第 164 位，在印度排名第 1 位。该学院在 2022 年绿色排名中还位列印度第 6 位，NIRF 工程类别排名为第 78 位。
技术尖头 - vlsi-2022-final.pdf
近年来，IMEC开发了其埋藏的电力导轨（BPR）技术，将晶体管下的功率导轨推动了较低的IR下降和增加路由密度的双重好处，因为信号路线和动力路线不再存在路线冲突。此处IMEC通过新颖的路由方案报告了缩放的FinFET，从而通过BPR从两个晶圆侧启用了功率连接。在VIAS模式接触到P/N S/D-EPI和BPR之后的前沿，在单个金属化步骤中使用优化的Prectean进行，同时保留良好的接触接口。晶圆翻转后，粘合和极度变薄，高度缩放的323nm深纳米 - 直通式 - 抗数（NTSV）在BPR上土地，具有紧密的覆盖控制和不变的BPR耐药性。通过将动力输送网络转移到背面，它提供了较少的动态和静态IR降低，从2NM设计规则下为低功率64位CPU生成的芯片电源热图预测。p/nmos在背面处理后显示出相似甚至上级离子-IOFF，并且添加了额外的退火，以进行VT恢复，移动性和BTI改进。
课程 M.Tech VLSI 设计 2022-23 批次及以后
讲座总数：42 讲座分类 讲座数 1. MOS 电容器：金属-氧化物-半导体接触的能带图，操作模式：积累、耗尽、中间带隙和反转，MOS 的一维静电，耗尽近似，泊松方程的精确解，MOS 的 CV 特性，LFCV 和 HFCV，MOS 中的非理想性，氧化物固定电荷，界面电荷，中间带隙栅极电极，多晶硅接触，非均匀衬底掺杂的静电，超薄栅极氧化物和反转层量化，量子电容，MOS 参数提取
技术硕士（ICT）VLSI 和嵌入式系统
超大规模集成 (VLSI) 是在单个硅半导体芯片上集成或嵌入数百万个晶体管的过程。VLSI 技术因其高封装密度、高速度和低功耗而前景广阔。嵌入式系统是一个使用 VLSI 技术构建特定应用系统并满足用户需求的领域。VLSI 和嵌入式系统已在航空航天、农业、汽车、消费电子、生物医学等许多领域开辟了道路。根据 Handel Jones 博士提供的数据，国际商业战略 (IBS) 全球 VLSI/半导体市场收入到 2025 年将达到约 6000 亿美元。这笔收入将主要来自物联网 (IoT) 半导体硬件和传感器市场、半导体代工厂、DRAM、闪存和嵌入式系统。因此，VLSI 和嵌入式系统在提供最佳就业机会方面发挥着重要作用。
微电子与 VLSI 设计 (EE3) - EE@IITM
任何技术的目标都是通过对材料、信息等进行复杂的处理，创造出自然界中不易获得的有用产品。微电子学是制造微型电子元件和系统的科学和技术。在过去的 60 年里，微电子设备是数字革命的基础，影响了我们现代生活的方方面面。半导体可以被视为现代电子产品的大脑，推动了通信、计算、医疗保健、国防、交通、清洁能源以及人工智能 (AI)、虚拟现实 (VR) 和物联网 (IoT) 等新兴技术的进步。
使用Verilog的数字VLSI设计和模拟 - 电子书
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使用稀疏极限学习机进行癫痫和癫痫发作检测的多类分类的 LETTER VLSI 设计
摘要 一种用于区分健康、发作期和发作间期脑电图信号的自动检测系统在临床实践中具有重要意义。本文介绍了一种用于癫痫和癫痫发作检测的低复杂度三类分类 VLSI 系统。设计的系统包括基于离散小波变换 (DWT) 的特征提取模块、稀疏极限学习机 (SELM) 训练模块和多类分类器模块。在三级 DWT 中引入了 Daubechies 4 阶小波的提升结构，以节省电路面积并加快计算时间。SELM 是一种新型的机器学习算法，具有低硬件复杂度和高性能，用于片上训练。由于其分类精度高，因此首次设计了一对一的多类非线性 SELM。设计的系统在 FPGA 平台上实现，并使用公开的癫痫数据集进行评估。实验结果表明，设计的系统在低维特征向量下实现了高精度。关键词：低复杂度，分类，DWT，多类，SELM 分类：集成电路（存储器，逻辑，模拟，RF，传感器）
CMOS 数字 VLSI 设计
S. Dasgupta 教授目前担任印度理工学院鲁尔基分校电子与通信工程系微电子与 VLSI 组的副教授。他于 2000 年获得瓦拉纳西贝拿勒斯印度理工学院 (现为 IIT-BHU) 电子工程博士学位。在攻读博士学位期间，他开展了电离辐射对 MOSFET 的影响方面的研究。随后，他成为印度矿业学院丹巴德分校 (现为 IIT-Dhanbad) 电子工程系的教员。2006 年，他加入印度理工学院鲁尔基分校电子与通信工程系担任助理教授。他目前担任该系教员遴选委员会主席。他在同行评审的国际期刊和会议上撰写/合作撰写了 200 多篇研究论文。他的引用次数约为 2400（2006 年后），h 指数和 i 指数分别为 25 和 65。他是 IEEE、EDS、ISTE 会员，也是英国纳米技术研究所的准会员。他曾担任 2006 年国际微米到纳米会议以及 VDAT-2012、13、14、15、16、17 和 18 的技术委员会成员。他曾担任在印度理工学院鲁尔基分校举办的 VDAT-2017 的组织主席和程序联合主席。他还领导着 VLSI 设计会议的新兴设备技术程序组。他曾在 VDAT-2014 和 2015 年班加罗尔 VLSI 设计会议等许多会议上发表过教程。他也是各种国际会议的技术委员会成员。他在各种技术论坛上发表过大量受邀演讲和主题演讲。 2010 年，他获得了欧盟 Erasmus Mundus 奖学金，在意大利都灵理工大学从事 RDF 领域的工作。2011-12 年，他获得了著名的 IUSSTF 奖学金，在美国威斯康星大学麦迪逊分校从事 SRAM 测试领域的工作。2013 年，他还获得了 DAAD 奖学金，在德国德累斯顿工业大学从事使用可重构逻辑的模拟设计工作。他是 IIT Roorkee SMDP-C2SD 的首席协调员。他感兴趣的领域是纳米电子学、纳米级 MOSFET 建模和仿真、低功耗新型设备的设计和开发、基于 FinFET 的内存设计、模拟设计中的新兴设备以及可重构逻辑的设计和开发。他指导/共同指导了 15 名博士生。目前，他正在指导 7 名博士生。他曾获得 INAE 青年工程师奖。 Dasgupta 博士担任《IEEE 电子器件学报》、《IEEE 电子器件快报》、《IEEE 纳米技术、超晶格和微结构学报》、《国际电子学杂志》、《半导体科学与技术》、《纳米技术》、《IEEE VLSI 系统学报》、《微电子工程》和《微电子可靠性学报》等期刊的审稿人。