机构名称：
¥ 5.0
讲座总数：42 讲座分类 讲座数 1. MOS 电容器：金属-氧化物-半导体接触的能带图，操作模式：积累、耗尽、中间带隙和反转，MOS 的一维静电，耗尽近似，泊松方程的精确解，MOS 的 CV 特性，LFCV 和 HFCV，MOS 中的非理想性，氧化物固定电荷，界面电荷，中间带隙栅极电极，多晶硅接触，非均匀衬底掺杂的静电，超薄栅极氧化物和反转层量化，量子电容，MOS 参数提取
课程 M.Tech VLSI 设计 2022-23 批次及以后
主要关键词
相关文件推荐
