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S. Dasgupta 教授目前担任印度理工学院鲁尔基分校电子与通信工程系微电子与 VLSI 组的副教授。他于 2000 年获得瓦拉纳西贝拿勒斯印度理工学院 (现为 IIT-BHU) 电子工程博士学位。在攻读博士学位期间，他开展了电离辐射对 MOSFET 的影响方面的研究。随后，他成为印度矿业学院丹巴德分校 (现为 IIT-Dhanbad) 电子工程系的教员。2006 年，他加入印度理工学院鲁尔基分校电子与通信工程系担任助理教授。他目前担任该系教员遴选委员会主席。他在同行评审的国际期刊和会议上撰写/合作撰写了 200 多篇研究论文。他的引用次数约为 2400（2006 年后），h 指数和 i 指数分别为 25 和 65。他是 IEEE、EDS、ISTE 会员，也是英国纳米技术研究所的准会员。他曾担任 2006 年国际微米到纳米会议以及 VDAT-2012、13、14、15、16、17 和 18 的技术委员会成员。他曾担任在印度理工学院鲁尔基分校举办的 VDAT-2017 的组织主席和程序联合主席。他还领导着 VLSI 设计会议的新兴设备技术程序组。他曾在 VDAT-2014 和 2015 年班加罗尔 VLSI 设计会议等许多会议上发表过教程。他也是各种国际会议的技术委员会成员。他在各种技术论坛上发表过大量受邀演讲和主题演讲。 2010 年，他获得了欧盟 Erasmus Mundus 奖学金，在意大利都灵理工大学从事 RDF 领域的工作。2011-12 年，他获得了著名的 IUSSTF 奖学金，在美国威斯康星大学麦迪逊分校从事 SRAM 测试领域的工作。2013 年，他还获得了 DAAD 奖学金，在德国德累斯顿工业大学从事使用可重构逻辑的模拟设计工作。他是 IIT Roorkee SMDP-C2SD 的首席协调员。他感兴趣的领域是纳米电子学、纳米级 MOSFET 建模和仿真、低功耗新型设备的设计和开发、基于 FinFET 的内存设计、模拟设计中的新兴设备以及可重构逻辑的设计和开发。他指导/共同指导了 15 名博士生。目前，他正在指导 7 名博士生。他曾获得 INAE 青年工程师奖。 Dasgupta 博士担任《IEEE 电子器件学报》、《IEEE 电子器件快报》、《IEEE 纳米技术、超晶格和微结构学报》、《国际电子学杂志》、《半导体科学与技术》、《纳米技术》、《IEEE VLSI 系统学报》、《微电子工程》和《微电子可靠性学报》等期刊的审稿人。
CMOS 数字 VLSI 设计
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