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近年来，IMEC开发了其埋藏的电力导轨（BPR）技术，将晶体管下的功率导轨推动了较低的IR下降和增加路由密度的双重好处，因为信号路线和动力路线不再存在路线冲突。此处IMEC通过新颖的路由方案报告了缩放的FinFET，从而通过BPR从两个晶圆侧启用了功率连接。在VIAS模式接触到P/N S/D-EPI和BPR之后的前沿，在单个金属化步骤中使用优化的Prectean进行，同时保留良好的接触接口。晶圆翻转后，粘合和极度变薄，高度缩放的323nm深纳米 - 直通式 - 抗数（NTSV）在BPR上土地，具有紧密的覆盖控制和不变的BPR耐药性。通过将动力输送网络转移到背面，它提供了较少的动态和静态IR降低，从2NM设计规则下为低功率64位CPU生成的芯片电源热图预测。p/nmos在背面处理后显示出相似甚至上级离子-IOFF，并且添加了额外的退火，以进行VT恢复，移动性和BTI改进。
技术尖头 - vlsi-2022-final.pdf
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