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tranquility®16compact（TC）系列
型号命名法 - 一般概述3一般信息4物理数据6水平安装7空气排放9横向安装10垂直安装10垂直安装11管道安装13水环热泵应用14地面环路热泵应用15地下水热泵应用15地下水热泵应用17水质量应用17水质质量需求19 TC：水平数据22 27 thefterional Data 27 thefterional Data 27 Themontional Data 27 TCH-SENTIONT 22 27 TCH-dementy 22 27 - 尺寸数据28 TC：前返回垂直上流 - 尺寸数据30 TCV带WSE - 尺寸数据31 TC：垂直服务访问33电气数据34电气数据34电压38电压38电源和低电压接线39电气39电气39电气39电气39电气：低电压接线40电气：ECM 41 ECM 41常规量54常数（COV）54常数（CV）（CV）（CV）（CV）（CV）（CV）（CV）（CV）接线图矩阵56 DIP设置表57控件 - CXM2和DXM2.5 58操作和调试限制59管道系统清洁和冲洗60 TC使用Waterside Encomeizer 61单位检查61单位和系统检查63单元启动过程63单位启动过程64单位操作66预防性处理71启动72启动74启动74启动74启动74启动74 （美国和加拿大）77保修（国际）78修订历史80
在半导体杂体中观察四极和偶极激子
1 E. L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA 2 SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA 94025 3 Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan 4 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki,日本Tsukuba 305-0044†这些作者同样为这项工作做出了贡献。*电子邮件：leoyu@stanford.edu **电子邮件：tony.heinz@stanford.edu van-der-waals（vdw）材料已经通过层组装开辟了许多通过层组装发现的途径，因为表现出电气可调节的亮度亮度，浓度和exciten contensect，cortensect，contensation and Exciten cortensation and ExciteN，contensation and ExciteNtion and ExciteNtion and ExciteN，并表现出。将层间激子扩展到更多的VDW层，因此提出了有关激子内部连贯性以及在多个接口处Moiré超级峰值之间的耦合的基本问题。在这里，通过组装成角度对准的WSE 2 /WS 2 /WSE 2杂体我们证明了四极激体的出现。我们通过从两个外层之间的相干孔隧道（在外部电场下的可调静态偶极矩）之间的相干孔隧穿来证实了激子的四极性性质，并降低了激子 - 外激体相互作用。在较高的激子密度下，我们还看到了相反对齐的偶极激子的相位标志，这与被诱人的偶性相互作用驱动的交错偶极相一致。我们的演示为发现三个VDW层及以后的新兴激子订购铺平了道路。
Terahertz操纵2D半导体中的激子复合物
富含库仑结合的准粒子的物理学，例如激发剂和过渡金属二甲基元素单层中的trions，目前在冷凝的物质群落中正在进行深入研究。这些准颗粒在100 MEV的顺序上具有较高的结合能，表现出强烈的光耦合，并且可以将量子信息存储在自旋valley自由度中[1]。实现超快时间标准上激素状态的外部控制的策略已成为重要的研究途径。在这里，我们报告了在HBN封装的Mose 2单层中观察到瞬态Trion到脱位的转换（图1a）是由在红外自由电子激光设施（Felbe）（Felbe）[2，3]产生的Picsecond TimeScales上的强烈Thz脉冲引起的。随后通过用条纹摄像头记录时间分辨的光量（TRPL）光谱来监测激子动力学。可见的脉冲（= 400 nm）激发了激动的激子和Trions的种群（图1b，无脉冲脉冲的trpl光谱）。通过在大约30次皮秒延迟后添加THZ脉冲相对于可见的激发（图1C），我们观察到Trion发射的淬火和激发激素发射的暂时增亮。此外，通过调整Thz脉冲的频率，我们记录了TRIONS的THZ解离光谱（图1d）。重要的是，当THz光子能量等于或高于Trion结合能时，可以观察到有效的Trion TRION转换。在其他机构中观察到THZ辐射的相似影响，例如WSE 2单层和Mose 2 /WSE 2异质结构。总的来说，结果为低维材料中的许多粒子状态的外部控制开辟了有希望的途径。
基于二维 MoTe2 纳米结构的非挥发性光电晶体管
低维材料表现出奇特的物理特性。其中，过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料，例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2，作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体，表现出高效的光吸收率，从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中，M 是由六边形排列的原子组成的薄片，堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住，导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键，导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
Bloch状态的浆果曲率
Quantum Hall效应首先是由Klitzing等人意外发现的。，1980年在2deg。此后在二维材料（例如石墨烯和WSE 2（过渡金属二甲基化）等材料中观察到了它。为了拥有QHE或QAHE，系统必须是二维的，因为拓扑Chern数仅在偶数上定义。另外，需要通过磁场或磁化而打破时反转对称性。最后，必须有一个完全填充的非零Chern数的能量带。在实践中，我们通常需要一个低温的环境，以避免在能量间隙上进行热激发，并具有高磁场以扩大能量隙（再次避免进行热启动）。如果间隙能量比热能大得多，则可能具有室温QHE（Novoselov等人。，2007年）。
引用：Wang Z.，Zhang B.下一代锂电池的弱溶解电解质：设计原理和最新进展。能源母校。
抽象锂（LI）电池是电动汽车和便携式电子设备的电源市场中的主要参与者。电解质对于确定LI电池的性能至关重要。传统电解质落后于对快速充电，广泛的操作和LI电池安全性的不断增长的需求。尽管（局部）高浓度电解质取得了巨大的成功，但它们仍然患有缺点，例如低离子电导率和高成本。弱溶性电解质（WSE），也称为低溶解电解质，为这些挑战提供了另一种解决方案，并且近年来吸引了密集的研究兴趣。这项贡献回顾了WSES开发的工作机制，设计原理和最新进展。还提供了有关该领域未来研究指导的摘要和观点。洞察力将使学术和工业社区在设计安全和高性能的下一代LI电池中受益。
在连续体中的对称性，绝缘子和超导性...
是由于最近在扭曲的双层WSE 2中发现超导性的动机，我们在Moiré超级峰值的连续模型的框架中分析了该系统中的相关物理学。在系统的微调极限下使用对称性，当考虑到有限的带宽，位移场和内部电位的相位扰动时，我们确定强耦合接地状态及其命运。我们对超导不稳定性进行了分类，并采用了类似自旋的特性模型，研究了与这些绝缘颗粒孔阶的接近性的超导不稳定。这表明只有一个相邻的间隔相干阶段（具有零或有限波矢量）自然与观察到的超导状态是一致的，我们表明，这在非平凡带拓扑的影响至关重要。取决于细节，超导体将是淋巴结或手性凹陷状态，而包括电子 - 光子耦合将导致完全间隙的，时间逆转的对称配对状态。
个人简介 - 姓名：Bipin Kumar Gupta 博士 研究领域
光学材料的设计、合成和应用，专门研究多功能新型发光材料、二维材料和变色/光学可变颜料，用于防伪油墨配方，打击货币、护照和重要文件的伪造。 开发隐形墨水（在 365 nm 紫外线 LED 下可见的红色发光），用于防止重复投票。 开发用于高对比度荧光细胞成像以及用于药物输送应用的 MRI 高对比度成像的发光磁性材料。 开发与蓝色二极管激光器集成的黄色荧光粉，为汽车前照灯应用产生白光。 开发用于光学显示和储能应用的碳奇异材料（石墨烯、石墨烯量子点、碳纳米管和纳米纤维）。 设计自主开发的 CVD 装置，用于在 Si/SiO 2 基板上连续生长高度可重复的“MoS 2 /MoSe 2 /WSe 2 单层”沉积，用于计量、太赫兹和光电探测器设备。