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电分析化学杂志
氧化石墨烯（GO）已通过计时度计和使用三电极系统进行电化学合成。铁，锰和钴苯烷氨酸（分别为FEPC，MNPC和COPC）已被评为不可用的。这些材料在物理化学上是特征的（X射线光电子光谱（XPS），紫外线 - VIS，元素分析和拉曼光谱法），形态学上（透射电子微观，TEM）和电化学上的电化学（环状伏安法）。电化学研究包括使用合成的电催化剂的氧还原反应（ORR）和Zn-Air电池性能。此外，已经对Zn-Air Bat Tery的自支撑电极进行了制造和评估，氧化石墨烯氧化石墨烯烃（GOB）已被制造并评估。对GOB（GOB/FEPC）支持的GO/FEPC和FEPC，FE含量低于0.5 wt％。使用较低量的金属，GO/FEPC和GOB/FEPC表现出与基于PT的电催化剂的可比性。
光电光谱研究对银和铜表面上硫醇的辐射损伤和金属硫键的研究
使用X射线光电光谱（XPS）在银色和铜表面上的自组装1多二烷硫醇单层（SAM）使用同步辐射和常规MG K激发表征。辐照诱导的Cu和Ag上硫醇酸盐SAM的变化。已经完成了硫种类的识别。结果获得了对银的N-烷硫醇的早期研究。在铜（C 12 s/cu）上，观察到的S 2P频谱非常广泛，但是使用不同的激发能的使用使我们能够识别表面上的四个硫种。在162.6 eV处观察到硫酸铜的S 2P 3/2成分。在辐照过程中已经观察到了另外三个双重（161.9 eV，163.2 eV和163.8 eV），并将它们分配给铜上的化学吸附硫，不同的二二甲基硫纤维和硫 - 硫键。©2004 Elsevier B.V.保留所有权利。
对最大相的合成和结构的详细分析（MO 0.75 V 0.25）5 Alc 4及其MXENE同胞（MO 0.75 V 0.25）5 C 4 ROSE SNYDER A
亚利桑那州立大学的一所分子科学学院，坦佩，亚利桑那州85281，美国b化学和生物化学系，技术策划大学Darmstadt，64287 DARMSTADT，德国Darmstadt，德国c材料系，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津，牛津，牛津，OX1 3PH，英国，英国。D化学系，伦敦大学学院，伦敦，WC1H 0AJ，英国。 e应用化学和材料部，美国国家标准与技术研究所，博尔德，CO 80305，美国F钻石光源，Harwell Science and Innovation Campus，Didcot，Ox11 0de，英国。 G化学系，分子科学研究中心，伦敦帝国学院，伦敦W12 0BZ，英国皇室校园，英国。 摘要：具有通用公式M n+1 AX N的最大相是分层的碳化物，氮化物和碳依抗碳，具有不同的M 6 x octahedra层的堆叠序列，并取决于n。 几乎没有制备“ 211”最大相（n = 1），而最大n，尤其是n≥3的最大相。 这项工作解决了有关相对新的“ 514”最大阶段的合成条件，结构和化学组成的开放问题。 与文献报告相比，不需要氧化物以形成最大相位，但是需要在1,600°C下进行多个加热步骤。 使用高分辨率X射线衍射，（MO 1-X V X）5 ALC 4的结构进行了彻底研究，Rietveld的细化确认P -6 C 2是最合适的空间组。 SEM/ED和XPS表明，最大相的化学组成为（MO 0.75 V 0.25）5 ALC 4。D化学系，伦敦大学学院，伦敦，WC1H 0AJ，英国。e应用化学和材料部，美国国家标准与技术研究所，博尔德，CO 80305，美国F钻石光源，Harwell Science and Innovation Campus，Didcot，Ox11 0de，英国。G化学系，分子科学研究中心，伦敦帝国学院，伦敦W12 0BZ，英国皇室校园，英国。 摘要：具有通用公式M n+1 AX N的最大相是分层的碳化物，氮化物和碳依抗碳，具有不同的M 6 x octahedra层的堆叠序列，并取决于n。 几乎没有制备“ 211”最大相（n = 1），而最大n，尤其是n≥3的最大相。 这项工作解决了有关相对新的“ 514”最大阶段的合成条件，结构和化学组成的开放问题。 与文献报告相比，不需要氧化物以形成最大相位，但是需要在1,600°C下进行多个加热步骤。 使用高分辨率X射线衍射，（MO 1-X V X）5 ALC 4的结构进行了彻底研究，Rietveld的细化确认P -6 C 2是最合适的空间组。 SEM/ED和XPS表明，最大相的化学组成为（MO 0.75 V 0.25）5 ALC 4。G化学系，分子科学研究中心，伦敦帝国学院，伦敦W12 0BZ，英国皇室校园，英国。摘要：具有通用公式M n+1 AX N的最大相是分层的碳化物，氮化物和碳依抗碳，具有不同的M 6 x octahedra层的堆叠序列，并取决于n。几乎没有制备“ 211”最大相（n = 1），而最大n，尤其是n≥3的最大相。这项工作解决了有关相对新的“ 514”最大阶段的合成条件，结构和化学组成的开放问题。与文献报告相比，不需要氧化物以形成最大相位，但是需要在1,600°C下进行多个加热步骤。使用高分辨率X射线衍射，（MO 1-X V X）5 ALC 4的结构进行了彻底研究，Rietveld的细化确认P -6 C 2是最合适的空间组。SEM/ED和XPS表明，最大相的化学组成为（MO 0.75 V 0.25）5 ALC 4。也使用两种不同的技术（使用HF和HF/HCl混合物）将其剥落成其MXENE同胞（MO 0.75 V 0.25）5 C 4，这导致了不同的表面终止，如XPS/HAXPES测量所示。对两个MXENE版本的电催化特性的初步研究表明，取决于蚀刻剂（MO 0.75 v 0.25）5 C 4可以在10 mA cm -2下以166 mV（仅HF）或425 mV（HF/HCL）的过度降低在10 mA cm -2下的氢，或者在囊中囊括了潜在的养殖者，这会使他们成为潜在的犬种，以使其成为一种养护的犬种，以使其成为一种犬种的犬种。
掺杂聚合物中的半金属化诱发霍尔异常
将氧等离子体处理的石英晶片切割成1cm2用于PPMS（霍尔、磁阻、温变电导）和XPS测量中的所有电学测量。由于尺寸要求，将氧等离子体处理的ITO基板切割成0.5 cm * 0.5 cm用于PES和IPES测量，将氧等离子体处理的石英晶片切割成0.6 cm * 0.4 cm用于高场霍尔测量。所有基板在使用前分别在丙酮和异丙醇中通过超声波清洗工艺清洗10分钟。将C 14 -PBTTT溶液以3000 r/min的转速旋涂到相应的基板上，形成厚度约25nm的PBTTT薄膜，然后将获得的薄膜在150°C下退火10分钟，让其冷却至室温。将Cytop溶液旋涂到所有掺杂后的电学测量薄膜上进行封装，再通过光刻和氧离子刻蚀实现霍尔棒结构的图形化。掺杂工艺
维度CRCL3
透射电子显微镜（TEM）实验已使用Tecnai G2 TF30茎系统进行，将Crcl 3 akes转移到200个网格var网格上。低分辨率和高分辨率（原子）TEM图像是在明亮的ELD条件下获取的。差异模式以差异模式获取。元素分析已在扫描TEM模式下使用EDX光谱法（牛津X-Max检测器）进行，并使用CLI虫 - Lorimer方法对数据进行了定量分析。在室温（RT）的UHV室中，使用扫描隧道显微镜（STM）Omicron VT-STM系统，使用电化学片段的W TIPPARITRECHEM-OMICRON VT-STM系统在UHV腔室中对空气暴露CRCL 3的测量进行了测量。30隧道电流 - 电压（i - V）曲线以恒定电流模式（在偏置电压o e o {2 V时）获取。X射线光发射光谱（XPS）和紫外光发射光谱（UPS）实验
使用 Fourier 分析研究 AlN 薄膜的结构...
本研究重点关注使用原子层沉积法 (ALD) 获得的 AlN 薄膜中氢杂质引起的结构缺陷。目前，关于 AlN 薄膜本体中氢的存在的研究严重不足。傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 是少数几种可以检测轻元素键的方法之一，尤其是氢。众所周知，氢是通过 ALD 方法生长的 AlN 薄膜中常见的污染物，它可能与氮形成不同的键，例如氨基 (-NH2) 或酰亚胺 (-NH) 基团，这会损害所得薄膜的质量。这就是为什么研究氢现象以及寻找合适的方法来消除或至少减少氢的数量很重要。在这项工作中，使用不同的前体、基材和沉积参数制备了几个样品，并使用 FTIR 和其他技术（如 AFM、XPS 和 EDS）进行了表征，以提供 AlN 薄膜的地形、形态和化学成分的比较和全面分析。
温度依赖性范德华外延 - repositiTUm
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长，重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明，氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱，表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征，即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是，温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用，从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度（400 ◦ C）下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
通过薄膜中的反应性扩散硅氧化的机理 使用神经形态的癫痫发作检测 - Gibbs三重连接过剩测定的方法 专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
摘要。在许多应用中引起了硅化的形成，尤其是在微电子中的接触形成和互连。在此主题上发表了一些评论，本章的目的是通过重点关注新的实验结果来提供这些评论的更新。本章在理解主要机制（扩散/反应，成核，横向生长…）方面给出了一些进展（即在4至50 nm之间）。提出了有关硅质形成机制的最新实验结果，并将其与模型和/或模拟进行比较，以提取与反应性扩散相关的物理参数。这些机制包括成核，横向生长，扩散/界面控制生长以及扩散屏障的作用。几种技术的组合（包括原位技术（XRD，XRR，XPS，DSC）和高分辨率技术（APT和TEM）被证明是必不可少的，这对于在薄膜中的固态反应中获得了理解，并更好地控制这些反应以在微电机设备或其他应用程序中接触或其他应用。
氯化钾作为氯离子电池的合成，结构分析和降解行为转换电极材料Soutam Pa
氯离子电池（CIB）为锂离子系统提供了令人信服的替代方案，尤其是在要求成本效益和资源可持续性的应用中。但是，量身定制的电极材料的开发仍然是CIB进步的关键瓶颈。在这项研究中，我们首次通过轻松的机械化学途径合成了一类未开发的基于钙钛矿的材料含钾（K 2 SNCl 6，称为KSC）。制备的KSC经过各种表征技术，以确认其晶体结构和形态。在此，KSC利用锂金属计数器电极在非水CIB构型中表现出有趣的电化学性能。此外，Ex-Situ X射线衍射（XRD）和X射线光电子光谱（XPS）分析揭示了涉及氯离子穿梭的转化反应机制，并在循环过程中提供了对结构进化的见解。此外，密度功能理论（DFT）研究支持了其他降解产物，这些降解产物可能有可能限制这些材料的性能，从而限制了这些材料作为CIB中潜在电池电极的性能。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度