本研究重点关注使用原子层沉积法 (ALD) 获得的 AlN 薄膜中氢杂质引起的结构缺陷。目前，关于 AlN 薄膜本体中氢的存在的研究严重不足。傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 是少数几种可以检测轻元素键的方法之一，尤其是氢。众所周知，氢是通过 ALD 方法生长的 AlN 薄膜中常见的污染物，它可能与氮形成不同的键，例如氨基 (-NH2) 或酰亚胺 (-NH) 基团，这会损害所得薄膜的质量。这就是为什么研究氢现象以及寻找合适的方法来消除或至少减少氢的数量很重要。在这项工作中，使用不同的前体、基材和沉积参数制备了几个样品，并使用 FTIR 和其他技术（如 AFM、XPS 和 EDS）进行了表征，以提供 AlN 薄膜的地形、形态和化学成分的比较和全面分析。