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全稳态的新兴卤化物超电子导体-NSF-PAR
（li 2.5 y 0.5 Zr 0.5 Cl 6：1.40 ms cm -1，li 2.7 in 0.3 Zr 0.7 Cl 6：2.07 ms cm -1和li 2.25 Zr 0.75 Zr 0.75 Fe 0.25 Cl 6：1 ms
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
被接受摘要列表
Yogendar Singh实验室编号：115，物理科学学院，Jawaharlal Nehru大学，新德里110067 110067 Yogendarsingh7878@gmail.com监视辐射中的结晶阶段的恢复GD 2 Ti 2 ti 2-y Zr y o 7 Zr y O 7 pyrochlore Post Pp-105 pp-105Yogendar Singh实验室编号：115，物理科学学院，Jawaharlal Nehru大学，新德里110067 110067 Yogendarsingh7878@gmail.com监视辐射中的结晶阶段的恢复GD 2 Ti 2 ti 2-y Zr y o 7 Zr y O 7 pyrochlore Post Pp-105 pp-105
多功能XTiO 3 钙钛矿材料研究进展综述......
Pb(Zr·Ti·1-x)O3[41]、(Pb,La)(Zr,Ti)O3[42]、(Bi·1/2·Na·1/2)TiO3-BaTiO3[43]、(1-x)(Bi·1/2
中等温度质子陶瓷的高级制造
和锆酸盐（例如，Bace 0.6 Zr 0.3 Y 0.1 O 3-δ39，Bace 0.2 Zr 0.7 Y 0.1 O 3-δ40），Ytterbium和Ytterbium and yttrium co-
Yue Sun，Kui Li，Bo Gao*，Pengyue Sun，Haiyang Fu，Zhuang Liu和Juntai Yin Zr-17NB合金辐照的微观结构和耐磨性
摘要：在本文中，详细研究了由高电流脉冲电子束处理的ZR-17NB合金的微观结构和磨损固定性。使用X射线衍射（XRD）分析后的脉冲处理后的相位变化，显示了由β（ZR，NB）相的一部分形成的β（nb）相和α（ZR）相。另外，还发现了β（ZR，NB）衍射峰的变窄和移动。扫描电子显微镜（SEM）和金相分析结果表明，高电流脉冲电子束（HCPEB）治疗之前合金表面的显微结构是由等上晶体组成的。但是，在15和30脉冲处理后，陨石坑结构得到了显着造成的。此外，还发现合金表面在30脉冲处理后经历了共菌体转化，并且发生了β（ZR，NB）的反应→αZR +βNB。显微硬度测试结果表明，随着脉冲数量的增加，微标志的值会出现向下趋势，这主要是由于谷物的块状和较软的β（nb）相变的形成。磨损耐药性测试结果表明，摩擦系数首先增加，然后降低，然后随脉冲数的增加而增加。
中间层和铁电材料对电荷的影响...
摘要 - 我们研究使用TIN/HF X ZR 1-X O 2/Interlayer/Si（MFIS）GATE堆栈的Si Fefet耐力疲劳期间，不同的层中和铁电材料对电荷捕获的影响。我们拥有具有不同层间（SIO 2或SION）和HF X ZR 1-X O 2材料（X = 0.75、0.6、0.5）的FeFET设备，并在耐力疲劳期间直接提取了电荷捕获。我们发现：1）层间中N元素的引入抑制了电荷捕获和缺陷的产生，并改善了耐力特征。2) As the spontaneous polarization ( P s ) of the Hf x Zr 1-x O 2 decreases from 25.9 μC/cm 2 (Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ) to 20.3 μC/cm 2 (Hf 0.6 Zr 0.4 O 2 ), the charge trapping behavior decreases, resulting in the slow degradation rate of memory window (MW) during program/erase cycling;另外，当P S进一步降低至8.1μc/cm 2（HF 0.75 ZR 0.25 O 2）时，初始MW几乎消失（仅〜0.02 V）。因此，P s的减少可以改善耐力特征。合同中，它也可以减少MW。我们的工作有助于设计MFIS Gate堆栈以提高耐力特征。
SR2+和Zr4+掺杂的Batio3巨大介电常数超材料的增强的介电特性
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一，广泛用于电子工业中。但是，Batio 3的介电介电常数仍然相对较低，这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中，（Ba 100 x Sr X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是，（ba 100 x Sr x）（ti 100 y zr y）o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此，通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量，介电介电常数为28287（65°C，1 kHz），以及在（ba 90 sr 10）（ba 90 sr 10）中的高分子分解强度为84.47 kV/cm，是在214％的范围内，是214％的13％and 13％，是214％的13％。 （BA 99 SR 1）（Ti 99 Zr 1）O 3复合陶瓷。此外，通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因，并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法，即（BA 100 X SR X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。
通过粉末压制研究 Ti-Nb-Zr-Sn 合金的摩擦学和疲劳行为：高铌合金对骨组织相容性的新型性能
生物相容性材料是体内保存的天然或人造物质，用于将活细胞转变为功能器官。骨组织和生物相容性正成为再生骨的替代方法，因为它比自体移植和同种异体移植具有一些明显的优势。本研究旨在制造一种可用作骨替代品的新型多孔支架 Ti-Nb-Zr-Sn 合金。选择不同重量比的 Ti-Nb-Sn-Zr，并使用粉末冶金法合成。加入锆 (Zr) 以增强生物性能。Ti、Nb 与 Zr 和 Sn 元素因其与人体具有出色的生物相容性而被利用。通过增加Zr和Nb的重量比，Ti-35Nb-7Zr-4Sn合金具有1042至1603 MPa之间的高抗拉强度。此外，35％Nb/7％Zr与4％Sn复合材料表现出更高的硬度，这有利于在汽车应用中模拟骨组织和压铸配件。进行疲劳和磨损分析有助于我们了解Ti-Nb-Zr-Sn合金的行为。关键词：铌合金；生物相容性；力学性能；形态特征；骨科应用
可逆的疲劳复制程序及其在HF0.5ZR0.5O2外延膜中的机制
摘要HFO 2基于基于HF 0.5 Zr 0.5 O 2的铁电极，由于其CMOS的兼容性和强大的纳米级铁电性，近年来引起了极大的关注。但是，疲劳是铁电应用中最棘手的问题之一。基于HFO 2的铁电特性的疲劳机制不同于常规的铁电材料，并且很少报道了基于HFO 2的基于HFO 2的疲劳机制的研究。在这项工作中，我们制造了10 nm HF 0.5 Zr 0.5 O 2外延膜并研究疲劳机制。实验数据表明，在10 8个周期后，Remanent铁电化值降低了50％。值得注意的是，疲劳的HF 0.5 ZR 0.5 O 2外延膜可以通过施加电刺激来恢复。结合了温度依赖性的耐力分析，我们提出，HF 0.5 ZR 0.5 O 2膜的疲劳来自铁电PCA2 1与抗纤维自由PBCA之间的相变，以及固定的缺陷和抑制了偶极子。此结果提供了对基于HFO 2的胶片系统的基本理解，并可以为随后的研究和未来应用提供重要的指南。