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薄膜 - EPRINTS SOTON-南安普敦大学
用光滑表面上的Si底物上的含铅锆酸钛酸盐（Pb（Zr X Ti 1-X）O 3）（PZT）化合物会为硅光子设备提供关键技术。为了在Si基板上集成PB（Zr X Ti 1-X）O 3的质量至关重要。在这里，我们使用改良的分子束外延工具应用了物理蒸气沉积技术，以将钙钛矿Pb（Zr X Ti 1-X）O 3放置在SI和PT底物上。我们开发了一种在SI底物上种植无裂纹PZT膜的方法。制造程序需要将TIO 2用作缓冲层，并在氧气大气下退火后退火。横截面扫描电子显微镜图像使得鉴定了两个不同的层：PZT和TIO 2，这也通过光谱椭圆法证实。X射线衍射模式表明从菱形hed中心到四方相的过渡以及Pb的钙钛矿相的形成（Zr 0.44 Ti 0.56）O 3。
金属间化合物Zr5al4
使用ARC熔化方法合成多晶Zr 5 Al 4。粉末X射线衍射证实了具有晶格参数的Ti 5 Ga 4型（P6 3 /MCM）的先前报道的晶体结构：A = 8.4312（6）Å，C = 5.7752（8）Å。电阻率和低温磁化率研究表明，Zr 5 Al 4在2 K以下表现出超导行为。归一化的热容量在t c = 1.82 K，ΔC/γtc = 1.41时，证实了散装超导性。Sommerfeld系数γ= 29.4 MJ mol -1 K -2和Debye温度d = 347 K，通过拟合低温热容量数据获得。电子偶联强度λEL-PH = 0.48，并且估计的上部临界场μ0H C2（0）= 1.09 t（脏极限）表明Zr 5 Al 4是弱耦合的II型超导体。第一原理计算显示费米能量附近的Van Hove奇异性存在。
三元氮化物 CaZrN2 和 CaHfN2 的合成
摘要：最近的计算研究预测了许多新的三元氮化物，揭示了这一尚未充分探索的相空间中的合成机会。然而，合成新的三元氮化物很困难，部分原因是中间相和产物相通常具有较高的内聚能，会抑制扩散。本文，我们报告了通过 Ca 3 N 2 和 M Cl 4（M = Zr、Hf）之间的固态复分解反应合成两个新相，钙锆氮化物（CaZrN 2 ）和钙铪氮化物（CaHfN 2 ）。虽然反应名义上以 1:1 的前体比例通过 Ca 3 N 2 + M Cl 4 → Ca MN 2 + 2 CaCl 2 进行到目标相，但以这种方式制备的反应会产生缺钙材料（Ca x M 2 − x N 2 ，x < 1）。高分辨率同步加速器粉末 X 射线衍射证实，需要少量过量的 Ca 3 N 2 (约 20 mol %) 才能产生化学计量的 Ca MN 2 。原位同步加速器 X 射线衍射研究表明，名义化学计量反应在反应途径早期产生 Zr 3+ 中间体，需要过量的 Ca 3 N 2 将 Zr 3+ 中间体重新氧化回 CaZrN 2 的 Zr 4+ 氧化态。对计算得出的化学势图的分析合理化了这种合成方法及其与 MgZrN 2 合成的对比。这些发现还强调了原位衍射研究和计算热化学在为合成提供机械指导方面的实用性。■ 简介
650Group 发布的路由光网络领导力报告
• 公司愿景：该标准包括公司最近的公告、季度出货量、标准机构中的活动以及在每个细分市场的持续时间。 • 执行能力：该标准包括公司的产品发布、产品出货日期、公司在该细分市场的研发预算以及整体财务业绩。 • ASIC 实力：公司自己的 ASIC 公告和 L3 商用芯片的使用情况。我们排除所有基于 L2 ASIC 的系统。 • 城域路由器性能和云路由：公司在电信和云路由方面的表现。 • 长途能力：公司在电信和云光传输方面的表现。 • 数据中心互连 (DCI)：公司在云数据中心互连方面的表现。 • 自动化：与上一代产品相比，公司在新产品自动化方面的执行情况。 • ZR/ZR+ 产品：公司目前在 ZR/ZR+ 方面的产品和行业合作伙伴关系。 • DSP 产品：公司目前在 ZR/ZR+ 方面的产品以及行业合作伙伴关系。
更正为：时效处理后 Al-Zn-Mg-Cu 铝合金中新 (Al, Zn)3Zr 沉淀物的形成及其对动态压缩的响应
更正为：时效处理后 Al-Zn-Mg-Cu 铝合金中新 (Al, Zn) 3 Zr 沉淀物的形成及其对动态压缩的响应
一种高度兼容 CMOS 的氧化铪基铁电二极管
为了解决“存储墙”问题，人们迫切需要具有高速度和高密度的存储设备。在这里，我们展示了一种高度可扩展的三维可堆叠铁电二极管，其整流极性由 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的极化反转调制。通过利用原子分辨率球差校正 STEM 可视化铪/锆晶格序和氧晶格序，我们揭示了 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的自发极化与氧原子位移之间的相关性，从而明确地识别出 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜中的非中心对称 Pca2 1 正交相。我们进一步在 8 层 3D 阵列中实现了这种铁电二极管。演示了高达 20 ns 的运行速度和超过 10 9 的耐用性。超过 100 的内置非线性保证了其自选择特性，从而无需使用外部选择器来抑制大阵列中的漏电流。这项工作为未来存储器层次结构的演进开辟了新的机会。
拓扑金属中的半迪拉克费米
eds是Zr 0。97 SI 1。 08 S 0。 95，非常接近名义值。 底部插图显示典型97 SI 1。08 S 0。 95，非常接近名义值。 底部插图显示典型08 S 0。95，非常接近名义值。底部插图显示典型
Hf0.5Zr0.5O2超薄膜中的无疲劳铁电性...
由于具有 CMOS 兼容性和可扩展性的特点，HfO 2 基铁电体是下一代存储器件的有希望的候选材料。然而，它们的商业化受到可靠性问题的极大阻碍，疲劳是一个主要障碍。我们报告了界面设计的 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基异质结构的无疲劳行为。构建了一个相干的 CeO 2- x /Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 异质界面，其中 CeO 2- x 充当“氧海绵”，能够可逆地接受和释放氧空位。这种设计有效地缓解了电极-铁电界面处的缺陷聚集，从而改善了开关特性。此外，设计了一种对称电容器架构来最大限度地减少印记，从而抑制了循环引起的定向缺陷漂移。这种双管齐下的技术可以减轻氧伏安法产生的化学/能量波动，抑制顺电相的形成和极化退化。该设计确保 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基电容器具有超过 10 11 次开关循环的无疲劳特性和超过 10 12 次循环的耐久寿命，以及出色的温度稳定性和保持性。这些发现为开发超稳定的氧化铪基铁电器件铺平了道路。