机构名称：
¥ 1.0
使用ARC熔化方法合成多晶Zr 5 Al 4。粉末X射线衍射证实了具有晶格参数的Ti 5 Ga 4型（P6 3 /MCM）的先前报道的晶体结构：A = 8.4312（6）Å，C = 5.7752（8）Å。电阻率和低温磁化率研究表明，Zr 5 Al 4在2 K以下表现出超导行为。归一化的热容量在t c = 1.82 K，ΔC/γtc = 1.41时，证实了散装超导性。Sommerfeld系数γ= 29.4 MJ mol -1 K -2和Debye温度d = 347 K，通过拟合低温热容量数据获得。电子偶联强度λEL-PH = 0.48，并且估计的上部临界场μ0H C2（0）= 1.09 t（脏极限）表明Zr 5 Al 4是弱耦合的II型超导体。第一原理计算显示费米能量附近的Van Hove奇异性存在。
金属间化合物Zr5al4
主要关键词
相关文件推荐
