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二维（2D）材料具有非凡的特性，使它们在下一代电子，光学，能量和传感器相关的应用中具有吸引力的纳米材料。要实现2D材料（例如过渡金属二核苷）（TMDC）的技术潜力，需要高度可控和可扩展的途径。尽管已经为TMDC开发了多种合成材料，但生产大规模的高质量晶体层仍然具有挑战性。与自上而下的方法相比，合成2D材料的自下而上的方法具有更大的应用范围。化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）途径表现出巨大的希望，因为它们能够构成大面积，产生出色的均匀性，无与伦比的保融性和原子尺度的可控性，除了行业兼容。对于TMDC的CVD和ALD，前体对形成的层的性质起着关键作用。在本演讲中，将突出显示代表性TMDC（MOS 2和WS 2）的金属有机前体，沉积条件和物质特性之间的相互作用。将讨论与经典CVD过程相关的高温的措施。对不同底物上层成核和生长的研究揭示了不同的生长模式和成核密度。新的前体组合为TMDC在中等至低温下的大面积结晶生长的直接生长铺平了道路，这对于广泛的应用是一个重要的优势。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
基于Mg的热电模块的原子层沉积的性能降解和保护作用
热电技术近年来由于对可持续能源和有效的冷却系统的需求不断增长，因此目睹了近年来的复兴。最近，使用无毒的，丰富的材料（包括P型MGAGSB和N -Type Mg 3（SB，BI）2标志着显着突破的无毒热模块。尽管表现有希望，但关于长期鲁棒性和稳定性的问题仍然存在，尤其是在恶劣的环境中。在这项研究中，对热电模块进行了彻底的探索，重点是在各种条件下的性能降解。通过元素映射分析，在氩气环境中循环过程中的模块中鉴定了降解机制，在氩环境中，原子迁移和在接触区域的复杂氧化物形成是关键因素。此外，空气中的骑自行车测试揭示了显着的降解，从而促进了保护策略的探索。使用原子层沉积（ALD）出现的表面涂层作为一种有希望的解决方案，尤其是HFO 2，表现出了出色的保护作用。此外，还发现了重新销售的恢复模块性能，强调了开发高级焊接技术以推广基于镁的热电技术的重要性，作为BI 2 TE 3的可持续替代方案。这些发现强调了探索新型接触材料的重要性，并证明了ALD作为增强模块可靠性和鲁棒性的普遍方法的潜力。
以液态铜（I）酰胺前驱体为原料，原子层沉积超薄铜金属膜
我们报道了一种通过原子层沉积 ALD 在长宽比超过 35:1 的非常窄的孔内共形生产薄的、完全连续且高导电性的铜膜的方法。纯铜薄膜由新型铜 I 脒基前体、铜 IN、N -二仲丁基乙脒和分子氢作为还原剂生长。该铜前体在汽化过程中为液态，因为其熔点 77°C 低于其汽化温度 90-120°C 。因此，前体蒸汽的传输非常可重复且可控。碳和氧杂质低于 1 原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 Å/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 Å/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜晶体，经过更多沉积循环后合并为粗糙的多晶膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使对于薄至 4 个原子层的薄膜，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基底上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于 50 / ，这足以制作用于电镀 Cu 互连线的种子层。© 2006 电化学学会。DOI：10.1149/1.2338632 保留所有权利。
沉积WS2
摘要：过渡金属二核苷（TMDS）吸引了广泛的各种设备应用的研究兴趣。原子层沉积（ALD）是一种CMOS兼容技术，可以使8至12英寸的高质量TMD纤维制备。用于大规模电路集成的晶圆。但是，ALD增长机制仍然尚未完全理解。在这项工作中，我们系统地研究了WS 2的生长机制，并发现它们与成核密度和纤维厚度有关。透射电子显微镜成像揭示了不同生长阶段下侧向和垂直生长机制的共存和竞争，并且获得了每种机制的临界厚度。当膜厚度保持小于5.6 nm（8层）时，平面内侧生长模式主导，而当厚度大于20 nm时，垂直生长模式占主导地位。从对这些生长机制的最终理解中，膜沉积的条件得到了优化，最大晶粒尺寸为108 nm。WS 2-基于效应的晶体管分别用电子迁移率和/o效率比分别为3.21 cm 2 v -1 s -1和10 5。，这项工作证明了TMDFIFM在晶状体尺度上具有出色的厚度和形态可控性的能力，从而使除晶体管以外的许多潜在应用，例如基于纳米或纳米丝的超级电容器，电池，传感器和催化。关键字：过渡金属二盐元化，原子层沉积，晶圆尺度，ws 2，fie fief-ect-exect transistors■简介
原子层沉积稳定纳米晶体，使高性能量子点LED
量子点发光二极管（QD-LED）具有稳定的高官方，对于下一代显示至关重要。然而，无法控制的衰老，在储存期间效率最初增加（正衰老），但在延长的衰老（负衰老）（负衰老）时完全损失，这会阻碍进一步的设备开发。发现，基于纳米晶（NC）的电子传输层（ETL）的化学变化会导致正衰老，它们的结构漂移和形态导致瞬时改善的电荷注入平衡。使用放牧的小角度X射线散射，发现Znmgo NCS在衰老过程中进行了量身定量的成熟，改善了尺寸均匀性并创造了更平滑的能量景观。仅电子设备的测量结果显示，陷阱状态下降了7倍，表明Znmgo的表面钝化增强。这些见解，结合了ZnMGO表面结合的密度功能理论计算，激发了具有Al 2 O 3的原子层沉积（ALD）策略，以永久抑制表面陷阱并抑制NC的生长，从而有效地消除了老化诱导的效果损失。这种ALD工程的Znmgo ETL使得在30批LED中可重复可重复可重复的外部量子效应（EQE）为17％，在4500 cd m-2的初始亮度为4500 CD M-2的LED中，t 60 h 60 h，代表EQE的增长1.6倍，并且在运行式稳定性的稳定性上的提高了1.6倍。
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运行服务区是指 NA V AlD 周围可用于运行的空域，该空域内存在可用强度的信号，并且该信号在运行上不受同频干扰的限制。运行服务区包括以下所有内容： (I) 官方指定的标准服务区，不包括标准服务区中已受限制的任何部分。(2) 扩展服务区。(3) 在美国境内，任何已发布的仪表飞行程序（胜利者或喷气式飞机航道、SlD、STAR、SlAP 或仪表离场）。(4) 在美国境外，任何指定的信号覆盖或已发布的仪表飞行程序相当于美国标准。
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