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二维（2D）材料具有非凡的特性，使它们在下一代电子，光学，能量和传感器相关的应用中具有吸引力的纳米材料。要实现2D材料（例如过渡金属二核苷）（TMDC）的技术潜力，需要高度可控和可扩展的途径。尽管已经为TMDC开发了多种合成材料，但生产大规模的高质量晶体层仍然具有挑战性。与自上而下的方法相比，合成2D材料的自下而上的方法具有更大的应用范围。化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）途径表现出巨大的希望，因为它们能够构成大面积，产生出色的均匀性，无与伦比的保融性和原子尺度的可控性，除了行业兼容。对于TMDC的CVD和ALD，前体对形成的层的性质起着关键作用。在本演讲中，将突出显示代表性TMDC（MOS 2和WS 2）的金属有机前体，沉积条件和物质特性之间的相互作用。将讨论与经典CVD过程相关的高温的措施。对不同底物上层成核和生长的研究揭示了不同的生长模式和成核密度。新的前体组合为TMDC在中等至低温下的大面积结晶生长的直接生长铺平了道路，这对于广泛的应用是一个重要的优势。
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