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可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
自身抗体检测：既往史、实际挑战和前景
AE：自身免疫性脑炎 ALD：自身免疫性肝病 APS：抗磷脂综合征 GN：肾小球肾炎 IIM：特发性肌病 ILD：间质性肺病 JIA：葡萄膜炎 NPLE：神经精神性 LE MCTD：混合性连接组织疾病 OS：重叠综合征 SACLE：亚急性皮肤 LE SjS：干燥综合征 SSc：系统性硬化症 UCTD：未分化 CTD
1 原子级构成稳定界面以改善...
图 1. (a) 未涂层和 Al 2 O 3 涂层 NMC 电极的 SEM 图像：(i, v) ALD-0、(ii, vi) ALD- 10、(iii, vii) ALD-20 和 (iv, viii) ALD-40。(i)-(iv) 和 (v)-(viii) 分别放大 ×25000 和 ×50000。(b) ALD-20 电极的 EDS 映射，(c) 基于同步加速器的未涂层和 ALD Al 2 O 3 涂层 NMC 的 XRD 图案。
改善锂离子电池性能
摘要：磷酸锂（LifePo 4或LFP）是锂离子电池（LIBS）的有前途的阴极材料，但是电解质和LFP电极之间的侧面反应可以降低电池的性能。本研究使用原子层沉积（ALD）介绍了一种创新的涂料策略，将薄（5 nm和10 nm）Al 2 O 3层应用于高质量的LFP电极上。gal-vanostatic电荷 - 放电循环和电化学阻抗光谱（EIS）用于评估涂层和未涂层的LFP电极的电化学性能。结果表明，Al 2 O 3涂层通过对侧面反应并稳定阴极 - 电解质界面（CEI）来增强室温（RT）和40°C下的循环性能。涂层的LFP在1C和RT下100个周期后的容量占67％，而未涂层样品为57％。验尸分析，包括扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子光谱（XPS），以研究改进的性能后面的机制。这些分析表明，Al 2 O 3涂层在循环过程中降低LFP电极的降低具有很高的影响，这表明ALD Al 2 O 3涂层的潜力增强了LIBS中LFP电极的杜拉比尔和性能。
用于 MEMS 的晶圆级制造永久微磁体的研究
摘要：将永久微磁体单片集成到 MEMS 结构中可为磁性 MEMS 应用提供诸多优势。一种名为 PowderMEMS 的新技术已用于在 8 英寸晶圆上制造永久微磁体，该技术基于通过原子层沉积 (ALD) 聚集微米级粉末。在本文中，我们报告了由两种不同 NdFeB 粉末粒径制备的 PowderMEMS 微磁体的制造和磁性特性。在 75 ◦ C 的低 ALD 工艺温度下实现了 423 mT 的剩磁和 924 mT 的固有矫顽力，使该工艺与 MEMS 技术兼容。借助 Wohlfarth 方程讨论了微磁体中的磁可逆机制。为了确保这种集成微磁体在不同应用环境中的可操作性，我们进行了一系列实验，系统地研究了热稳定性和腐蚀稳定性。粉末颗粒尺寸较大（d50 = 25 µ m）的 NdFeB 微磁体在空气中表现出较高的热稳定性。此外，通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 沉积的额外氧化硅钝化层显著提高了微磁体的腐蚀稳定性。所给出的结果证明了 PowderMEMS 微磁体的耐用性，使其能够应用于微流体、传感器、执行器和微电子等各个领域。
区域选择性沉积：基本原理、应用和未来展望
摘要：本综述概述了区域选择性薄膜沉积 (ASD)，主要关注通过化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 形成的气相薄膜。区域选择性沉积已成功应用于微电子工艺，但迄今为止，大多数方法都依赖于高温反应来实现所需的基板灵敏度。微电子尺寸和性能的不断缩小以及新材料、图案化方法和器件制造方案正在寻求用于电介质、金属和有机薄膜的新型低温 (<400°C) ASD 方法的解决方案。为了概述 ASD 领域，本文严格回顾了 ASD 在微电子和其他领域取得成功所必须克服的关键挑战，包括对当前工艺应用需求的描述。我们概述了 CVD 和 ALD 过程中薄膜成核的基本机制，并总结了目前已知的半导体、金属、电介质和有机材料的 ASD 方法。对于一些关键材料，定量比较了不同反应前体的选择性，从而对有利反应物和反应设计的需求提供了重要见解。我们总结了 ASD 的当前局限性以及使用先进的自下而上的原子级工艺可以实现的未来机遇。
Ziyi Zhang
• 结构表征：SEM、TEM、LEED、XRD、XRR、AFM 等。• 元素/化学表征：EELS、XPS、FT-IR、Raman、NMR 等。• 电/磁表征：PPMS /SQUID 等。• 沉积技术：CVD、PLD、ALD、等离子溅射。• 洁净室集成电路制造。• 三电极系统中的电化学表征（LSV、CV、EIS 等）。• 其他：TGA、DSC、DLS、UV-vis 等。• 7 年以上同步加速器 X 射线设备（LBNL、ANL、SLAC）工作经验。
AR辐射性偷偷摸摸的预览顺序浸润两光子聚合的3D光子晶体，用于中等光谱应用，3月15日，20
AR辐射偷偷摸摸的预览连续浸润，两光子聚合的3D光子晶体用于中等光谱镜应用，2024年3月15日，2024年3月15日，也称为PHCS，是空间有组织的结构，具有与光波长相等的光学晶格参数。自发现以来，PHC一直在电信行业中找到应用，包括MID-IR光谱应用，电子门和光学计算和ICS的偏振滤波器以及压力强力传感。PHC还可以实现设备小型化（包括微流体），生物传感和化学感应。PHC的唯一几何特性和折射率可以允许或限制在特定频率范围内电磁波的传播。频率的受限范围称为光子带隙（PBG），其存在使结构可以减慢并塑造光。将其应用于气光谱应用中的传感器时，较慢的光会增加光和目标气体之间的相互作用时间，从而增强了灵敏度。PBG高度依赖于PHC和背景材料（通常是空气）之间的折射率（RI）对比度。当存在较差的RI对比条件时，PHC的应用受到限制。在这份新报告中，伊利诺伊大学的伊利诺伊大学科学家和Argonne National Lab通过将内部光学表面覆盖具有ALD沉积的高折射率ZnO的内部光学表面，从而提高了高级三维（3D）PHC的RI，从而使未来的改进能够改进，从而实现了敏感性，准确性，基于pHC的限制。，无论极化如何，带有频带结构中禁光传播频率的完整PBG区域都使三维（3D）PHC在光谱应用中优先于2D和1D PHC，但证明更难制造。唯一设计用于支持顺序浸润合成（SIS）过程，Arradiance的Gemstar TM ALD系统比常规ALD降低了反应温度，更高的反应压力和更长的反应时间。这使前体气体能够在3D聚合物基质内浸润并在深处反应，从而确保没有降解，材料损失或脱气。