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成人肾上腺脑白质营养不良的外部表现......
作者和合作者：本报告由 ALD Connect 代表以下人员编写和提交：ALD Connect 总理事会 Kathleen O'Sullivan-Fortin；ALD Connect 执行董事 Kelly Miettunen，MHA；ALD Connect 项目经理 Felicity Emerson；以及医学作家 Chrystal Palaty。咨询合作伙伴包括 Hyman, Phelps & McNamara, PC 的 James Valentine 律师和 Larry Bauer，RN，MA 披露：ALD Connect 是一家 501c3 非营利组织。该组织以无限制和有限制拨款以及项目和活动赞助的形式从制药公司获得资金。James Valentine 律师和 Larry Bauer，RN，MA 受雇于 Hyman, Phelps & McNamara, PC，这是一家律师事务所，代表患者权益组织和开发治疗方法和技术以促进健康的公司。 ALD Connect 与 Metaphase Health Research Consulting Inc. 的 Chrystal Palaty 签约，以协助撰写本报告。技术服务：由 Dudley Digital Works 提供。ALD 外部领导的 PFDD 会议已收到资金。Autobahn Therapeutic、Minoryx Therapeutics 和 SwanBio 为本次会议提供了资金。为了回报这些组织的慷慨资助，会议开始时对这些组织表示感谢，并在会议休息期间展示了它们各自的徽标。支持者没有参与会议的设计、规划、协调或执行，也没有参与撰写本报告。
在Sandia National Laboratories的Z机器上的磁惯性融合的概述D. A. Yager-Elorriaga，1 M. R. R. Gomez，1 D. E. Ruiz，1 S. A.
图2。使用0.03-30-0.015-30 s在50和75°C下的0.03-30-0.015-30 s在各种温度下对ALD ZRO 2进行测量，在50和75°C下，0.03-10-0.015-10 s在100 - 275°C的范围内，范围为100 - 275°C： 2胶与温度。
2024 年 8 月 4 日星期日下午
下午 1:00 TS-SuA-1 正电性金属和元素薄膜的热原子层沉积及其在基底上固有选择性生长的评估，Charles Winter，韦恩州立大学受邀我们的实验室正在开发新的化学前体，用于通过原子层沉积 (ALD) 生长正电性金属和元素薄膜。我们还对表现出区域选择性生长的工艺感兴趣，尤其是不需要阻断或失活基团的固有选择性生长。ALD 目前在铜金属化、扩散屏障、衬里和晶体管制造方面有许多应用。热 ALD 通常是首选，因为等离子体可以提供低保形覆盖率，这是由于深而窄特征壁上的自由基复合。近年来，铜和贵金属薄膜的热 ALD 取得了广泛进展，因为正的电化学电位可以使前体离子相对容易地还原为金属。由于离子的电化学电位为负，且目前缺乏能够将离子转化为金属或元素的 ALD 辅助试剂，因此针对元素周期表中大多数其他金属和元素的热 ALD 方法尚未得到很好的发展。在本教程中，将介绍镍、钴、铝等正电性金属的热 ALD 生长。使用含有二氮杂二烯基 (RN=CHCH=NR) 配体的前体，已经实现了镍和钴金属膜的 ALD。这些前体能够在低于 200°C 的温度下沉积钴和镍金属膜，并使用烷基胺作为良性辅助试剂。生长速率高（镍为 0.60 Å / 循环，钴为 0.98 Å / 循环），可获得高纯度、低电阻率的金属膜，并且膜具有低均方根粗糙度。这些工艺在铂、钌和铜等金属基材上表现出固有的选择性生长。相比之下，在绝缘基板上没有观察到生长。我们还将描述一类新的热 ALD 前体和钴和铜金属膜的工艺。使用适当的共反应物可以在金属基板上实现钴和铜的固有选择性生长。最后，将介绍一种用于铝金属膜生长的热 ALD 工艺。该工艺需要用热稳定、挥发性的氢化铝共试剂处理表面结合的 AlCl 3。铝金属 ALD 工艺的生长速度很高，并且可以获得高纯度、低电阻率的铝金属膜。我们将介绍铝金属膜区域选择性生长的前景。这些示例表明，通过精心设计前体和化学成分，可以为正电性金属实现热 ALD 工艺。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
超薄的3D无机纳米结构网络，从交叉连接的纤维素纳米晶型气凝胶
高表面积半导体在电子和能量转换中具有多个应用。[1,2]虽然有规定的光伏设备将阳光直接转化为电力，而光化学（PEC）水分裂为利用这种可再生能源提供了替代途径。在PEC细胞中，水在催化金属氧化物界面处分解，以H 2（G）的形式存储化学能。理想的PEC细胞将具有较大的催化表面积，直接电子传输途径和最佳的阳光聚集。[3]多孔纳米结构的半控导管通过增加设备中吸收材料和光散射的量来满足这些要求。[4]然而，介孔无机3D网的制造能够控制几何和内部形态仍然是一个挑战。与传统使用的湿合成路线相比，原子层沉积（ALD）是一种广泛应用于现代电子产品的简单涂层方法。在ALD中，交替的反应物被沉积在基板上，限制了对其表面层的反应。因此，ALD可以用超高精度沉积薄膜。理想情况下，可以制备每一个ALD循环的薄膜，并且通常每循环的膜生长范围在0.01至0.3 nm之间。[5]可以通过简单地增加ALD循环的数量，以更长的沉积时间来制备较厚的层。基于纤维素的材料作为ALD模板具有吸引力，因为可以使用各种结构和表面化学材料。Kemell等。是第一个通过ALD在纤维素过滤纸上进行光催化应用的ALD模板2的模板。[6] Hyde等。在棉花斑块上表征了ALD涂层，涂上Al 2 O 3涂层来调整润湿性，以及Tino X涂层以促进细胞的粘附和生长。[7,8]对于需要孔隙率和高比表面积的应用，纳米纤维素气凝剂提供了一个具有层次 - 层次多孔结构的模板，其中可以在纳米孔中转移平均孔径到微米范围。[9,10]，例如，Korhonen等。带有TIO 2的涂层纤维素纳米纤维（CNF）气凝胶，并证明了它们作为湿度传感器和油吸收剂的应用。[11]最近，Li等人。使用CNF Aerogels作为TIO 2的ALD模板，为水分拆分细胞制备毛细管光轴。[3]用毛细管湿润的电极
全面评论
在酒精相关肝病（ALD）中，免疫功能障碍的机制近期引起了研究的兴趣。酒精介导的免疫功能障碍已被认为是与ALD相关的微生物感染和炎症反应的潜在原因。生物体的免疫微环境实质上是免疫细胞，细胞因子，细胞外基质和其他免疫相关分子之间相互作用的复杂网络。这种微环境具有很高的适应性，并且对环境提示有反应。免疫微环境的表观遗传重编程最近已成为ALD进展的关键驱动力，特别是在内毒素耐受性和免疫疾病的背景下。尽管已知表观遗传修饰在ALD中的免疫微环境的调节中起重要作用，但实现该调节的特定机制和分子过程尚未完全了解。本文旨在概述当前有关饮酒对表观遗传学影响的知识，特别着重于总结有关酒精消耗对免疫微环境影响的表观遗传调节机制的数据。此外，本文旨在对不同形式的ALD涉及的表观遗传修饰进行回顾。本综述将从表观遗传学的角度对ALD进行诊断，治疗，监测和预后评估提供新的观点。
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
通过原子层沉积对环保型汽车进行先进催化和能源材料的原子级工程
摘要 零排放环保汽车采用部分或完全电动动力系统，对减少空气污染物排放和提高能源效率的需求迅速增加。先进的催化和能源材料是环保汽车尾气排放控制系统、动力锂离子电池和氢燃料电池等关键技术的重要组成部分。需要功能材料和电极的精确合成和表面改性，以满足高效的表面和界面催化以及快速的电子/离子传输。原子层沉积（ALD）是一种原子和近原子尺度的制造方法，具有精确的厚度控制、薄膜沉积的均匀性和保形性等独特特性，已成为设计和制造先进催化和能源材料的重要技术。本综述总结了ALD在金属和氧化物催化剂以及锂离子电池和燃料电池电极的可控制备和改性方面的最新进展。讨论了 ALD 制备的独特纳米结构增强的催化和电化学性能。重点介绍了用于大规模生产的 ALD 反应器的最新研究。介绍了 ALD 在未来实际应用方面的研究和开发面临的挑战，包括前体和沉积工艺研究、实际设备性能评估、大规模高效生产等。
![arXiv:2004.02622v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 4 月 6 日](/simg/0\054cf244e5e510f2553c2d3dfe0d5bdd3a0f6fde.webp)
arXiv:2004.02622v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 4 月 6 日
在过去的四十年中，原子层沉积 (ALD) 作为一种薄膜生长技术得到了广泛的应用 1,2。它的可扩展性、前所未有的保形性和精确到原子级的厚度控制，都使其成为大多数纳米制造工作的宝贵资产，在商业半导体制造中发挥着关键作用。尽管 ALD 主要用于生长相对简单的化合物，例如二元氧化物、氮化物或硫化物（大部分为非晶态），但它也用于生长金属 3 ，最近还实现了更复杂的材料 4 ，包括钙钛矿 5–9。使用 ALD 技术历史最悠久的材料之一是 SiO 2 10，它是微电子工业中的关键元素，可用作钝化层和栅极氧化物等。相关材料 GeO 2 的 ALD 生长不那么普遍；其使用 ALD 的生长方法相对较少，而且其可能的前体也没有太多经过测试 11–13 。对 GeO 2 薄膜的研究主要致力于 GeO 2 /Ge 界面的研究，GeO 2 薄膜被提议作为降低 Ge 和顶部高 K 电介质之间界面态浓度的手段 14–16 ，目的是实现具有 Ge 基沟道的 MOSFET。在这些研究中，使用了热或等离子体氧化以及气相生长 17,18 。值得一提的是，这些工作使用含烷氧基或卤化物配体的前体，这会导致相对较慢的反应速度。过去已经研究了由 SiO 2 和 GeO 2 多层组成的薄膜，包括溶液和气相沉积方法 19–21 ，主要关注它们的光学特性。在这项工作中，我们展示了使用四（二甲氨基）锗 (IV) (TDMAGe) 作为前驱体，可以通过热 ALD 沉积 GeO 2 以及 SiO 2 /GeO 2 多层。我们使用 Picosun R-200 高级热壁 ALD 系统，其腔室通向一个手套箱，其中含有氮气，氧气和水的浓度受控。我们使用