机构名称：
¥ 13.0
下午 1:00 TS-SuA-1 正电性金属和元素薄膜的热原子层沉积及其在基底上固有选择性生长的评估，Charles Winter，韦恩州立大学受邀我们的实验室正在开发新的化学前体，用于通过原子层沉积 (ALD) 生长正电性金属和元素薄膜。我们还对表现出区域选择性生长的工艺感兴趣，尤其是不需要阻断或失活基团的固有选择性生长。ALD 目前在铜金属化、扩散屏障、衬里和晶体管制造方面有许多应用。热 ALD 通常是首选，因为等离子体可以提供低保形覆盖率，这是由于深而窄特征壁上的自由基复合。近年来，铜和贵金属薄膜的热 ALD 取得了广泛进展，因为正的电化学电位可以使前体离子相对容易地还原为金属。由于离子的电化学电位为负，且目前缺乏能够将离子转化为金属或元素的 ALD 辅助试剂，因此针对元素周期表中大多数其他金属和元素的热 ALD 方法尚未得到很好的发展。在本教程中，将介绍镍、钴、铝等正电性金属的热 ALD 生长。使用含有二氮杂二烯基 (RN=CHCH=NR) 配体的前体，已经实现了镍和钴金属膜的 ALD。这些前体能够在低于 200°C 的温度下沉积钴和镍金属膜，并使用烷基胺作为良性辅助试剂。生长速率高（镍为 0.60 Å / 循环，钴为 0.98 Å / 循环），可获得高纯度、低电阻率的金属膜，并且膜具有低均方根粗糙度。这些工艺在铂、钌和铜等金属基材上表现出固有的选择性生长。相比之下，在绝缘基板上没有观察到生长。我们还将描述一类新的热 ALD 前体和钴和铜金属膜的工艺。使用适当的共反应物可以在金属基板上实现钴和铜的固有选择性生长。最后，将介绍一种用于铝金属膜生长的热 ALD 工艺。该工艺需要用热稳定、挥发性的氢化铝共试剂处理表面结合的 AlCl 3。铝金属 ALD 工艺的生长速度很高，并且可以获得高纯度、低电阻率的铝金属膜。我们将介绍铝金属膜区域选择性生长的前景。这些示例表明，通过精心设计前体和化学成分，可以为正电性金属实现热 ALD 工艺。
2024 年 8 月 4 日星期日下午
主要关键词
相关文件推荐
