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Scalable preparation of asymmetrical bilayer sulfide/halide electrolyte membranes for all-solid-state batteries with high voltage
抽象的全稳态电池（ASSB）被认为是提高电池安全性和能量密度的最有希望的候选者。硫化物电解质具有狭窄的电化学窗口，该窗口阻碍了其应用与高压阴极。具有高压耐力的卤化物电解质可以帮助解决此问题。在此，采用喷涂和污染方法的组合用作处理自由的LI 6 PS 5 Cl（LPSCL）不对称的电解质膜（19.23Ωcm2，75μm），用10μmLi3包含6（Licl）层装饰。LICL-LPSCL不对称的电解质膜增强了高压稳定性，使LINI 0.83 CO 0.83 CO 0.11 Mn 0.06 O 2（NCM811）和LI 1.2 Ni 0.13 CO 0.13 CO 0.13 CO 0.13 Mn 0.54 0.54 O 2（LRMO）Cathodes。NCM811 | LICL-LPSCL | NSI ASSB的初始库仑效率（ICE）为85.13％，在200个周期后的容量保留率为77.16％。Compared with the LPSCl membrane, the LICl-LPSCl membrane displayed high stability with the LRMO cathode as the charging cut-off voltage increased to 4.7 V, which improved the initial charge capacity from 143 to 270 mAh g −1 and achieved stable cycling of 160 mAh g −1 at 0.5 C. Additionally, we attempted continuous LICl-LPSCl membrane production and utilized the product to fabricate a基于LRMO的小袋型ASSB。LICL-LPSCL电解质膜的制造证明了其在Assbs中的可控和行业适应应用的潜力。
通过元光栅实现水下声波的有效非对称传输
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
双侧和不对称定位语言功能通过在轻度
观察一名32岁的右撇子女性出现了耐药性癫痫。全面的癫痫评估表明，癫痫灶涉及整个左额叶，但提供了较少的结构异常证据。为了估计可能由左额叶切除术引起的功能恶化程度，作者评估了通过向对侧半球和对侧半球评估的细分皮质功能，这是通过向颅内息肉的分支中的丙泊拟置inpersective Infusion。结果显示了语言功能的双边和不对称定位，因为患者在每个半球中都表现出不同的失语症。基于作者对其功能耐受性的评估，进行了左额叶切除术，并导致了预期范围内的神经系统效果。
分析不对称连接中的On-Off电流比...
当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
使用不对称寡核苷酸 1 对大西洋鲑鱼进行基因编辑改进
。CC-BY-ND 4.0 国际许可证永久有效。它以预印本形式提供（未经同行评审认证），作者/资助者已授予 bioRxiv 许可，可以在该版本中显示预印本。版权所有者于 2021 年 2 月 9 日发布了此版本。；https://doi.org/10.1101/2021.02.08.430296 doi: bioRxiv preprint
非对称的有效栅极长度模型...
亲爱的编辑，随着 VLSI 技术的发展，环栅 (GAA) 硅纳米线晶体管 (SNWT) 已成为技术路线图末端最终缩放 CMOS 器件最有潜力的候选者之一。一些先驱研究已经证明了 GAA SNWT 的超可扩展性和高性能 [1-3]。然而，在实际制作结果中 [1,2]，由于纳米线对蚀刻工艺的阴影效应，环栅栅极电极通常不是关于纳米线中心轴理想对称的，而是沿纳米线轴向呈梯形横截面。栅极电极的这种不对称性会使性能评估不正确，并导致用于电路仿真的器件紧凑模型不准确。然而，对非对称 GAA 硅纳米线 MOSFET 建模的研究仍然不足 [4,5]。本研究建立了非对称栅极GAA SNWT的有效栅极长度模型，并用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真对其进行了验证。利用所提出的模型，可以将非对称GAA SNWT视为等效对称器件，从而可以在电路仿真中简化建模参数。仿真与方法。图1（a）沿沟道方向描绘了非对称栅极GAA SNWT的横截面。在