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利用红外摄像机检测和测量攻丝光束
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静电驱动 MEMS 悬臂梁建模
顾名思义，悬臂梁 MEMS 开关是一种由机械位移控制的电开关。它由两个主要部分组成：底座和悬臂梁（图 1）[1]。悬臂梁由导电材料制成（或其一部分，取决于设计），通常是铝。底座上沉积有一层导电材料层。在设备的这两个导电部分之间施加电压后，形成一个有限平行板电容器 [2, 3]，由于电容器板之间的静电吸引力 [4, 5]，悬臂梁开始向底座弯曲。悬臂梁以弹性反作用力 [6] 作出反应，并在两个力抵消的位置停止。在某个电压（驱动电压）[7–10] 下，力之间的平衡变得不稳定，悬臂梁在底座上坍塌 [11]，从而建立电容器板之间的接触并闭合电路。在该模型中，认为下电极上没有沉积介电层（因此极化电荷可以忽略不计 [12]）。新的理论模型考虑了有限平行板电容器中的边缘效应。将理论上获得的驱动电压与计算机模拟的 MEMS 设备驱动电压进行了比较。
量子器件的分子束外延生长
“界面就是器件”。2000 年诺贝尔物理学奖获得者赫伯特·克勒默的宣言精辟地概括了界面在电子器件功能和性能中发挥的核心作用。[1] 对于基于低维或拓扑量子材料的器件来说，这句话更是如此，因为它们的性质通常对表面和界面周围的几个原子层敏感。[2-5] 如此精密的“量子器件”需要能够以良好可控的方式实现原子级清洁、突变和平整界面的制造技术。这显然超出了低真空、环境空气或溶液环境下的传统制造工艺的范围。分子束外延 (MBE) 是一种可以提供最佳界面条件和可控性的制备方法，采用超高真空 (UHV) 环境、高纯度蒸发源、缓慢的生长速度和可精细调节的生长参数。[6] 标准 MBE 技术通常用于生长薄膜和垂直异质结构。一些平面纳米结构也可以通过 MBE 制备，[7,8] 但其控制效果不如传统光刻或电子束光刻那么好。通过 MBE 生长的“干净”样品必须经历“肮脏”的制造过程才能制成器件。这些过程中产生的不受控的表面和界面会显著改变器件的性能，尤其是由表面/界面敏感的量子材料制成的器件。人们非常希望通过分子束外延直接生长由量子材料组成的极其脆弱的器件，然后将其封装在超高真空环境中，以保留其原有性能。在过去的几年中，在平面纳米结构和器件的直接分子束外延生长技术方面取得了令人鼓舞的实验进展，[9-18] 这在很大程度上得益于
纳米聚焦X射线束可重新编程安全电路
硬件安全实验室和破坏最新电路处理的需求导致了对新扰动方法的不断研究。Skorobogatov 和 Anderson [1] 揭示了使用可见光和红外光的可能性。故障分析界已经对这种物理现象进行了研究和解释 [2–5]。激光可以同步和聚焦，以诱发瞬态故障。在安全评估实践中，这些故障可能会产生强大的效果。电磁辐射扰动为电路破坏提供了新的突破口 [8, 6, 7]。这种方法可能不如光那么通用，但也能产生非常有趣的结果。对电路的访问限制较少，不一定需要拆开包装。为了继续研究扰动的波长谱，这里建议先了解一下 X 射线的可能性。过去曾分析过 X 射线与电子电路的相互作用 [9–12]，但其在安全性评估中的应用主要局限于芯片和封装成像，并被提及为一种扰动手段，但没有实际效果。聚焦于被测设备的特定区域可以看作是扰动技术的关键点。最终的挑战可能是聚焦到激进技术节点上的单个晶体管。同步加速器设备能够利用 X 射线辐射实现这一目标。
在聚焦离子束仪器上进行的 SIMS
工程纳米材料已成为微电子、航空航天、能源生产和储存、毒理学研究和医学应用等多个领域的深入研究焦点。开发新的表征方法和仪器是推动材料研究和开发的关键因素，从而提高产品性能和可靠性。分析挑战包括分析 10 纳米范围内的微小特征，这导致分析量和检测限之间的权衡。二次离子质谱 (SIMS) 是一种强大的表面分析技术，特别是它能够以出色的灵敏度和高动态范围检测所有元素并区分同位素。SIMS 允许获取质谱、进行深度剖析以及 2D 和 3D 成像。安装在最新一代 FIB 平台上的新型离子源（例如气体场离子源 (GFIS)、Cs + 低温离子源 (LoTIS) 或多物种液态金属合金离子源 (LMAIS)）的开发为纳米级物体的分析开辟了新的可能性。在 FIB 仪器中添加 SIMS 功能不仅可以提供最高分辨率和灵敏度的成像，还可以提供在图案化和铣削过程中进行现场过程控制的工具 [1,2]。
1 激光束功率和扫描速度对…的影响
重量。百分比（％）C Cr Mn Mo N Ni OPS Si Fe 316L 0.01 16.24 1.09 2.42 0.05 12.37 0.04 0.04 0.01 0.50 平衡。 431 0.17 16.5 0.1 - - 1.97 - 0.01 0.01 0.7 平衡。 A-36 0.12 0.05 0.78 0.01-0.06-0.02 0.012 0.11 平衡。十三
通过交叉分子束反应的方法
奇数碳自由基往往是共振稳定自由基 (RSFR)，并被认为能促进燃烧火焰中的 PAH 形成和生长。38,39 人们一致认为，环戊二烯基 (cC 5 H 5 ) 自由基的化学性质在萘和菲的形成中起着重要作用，从而在 PAH 的形成中起着重要作用。1,40–43 尽管如此，环戊二烯基 (cC 5 H 5 ) 及其结构异构体的起源仍然难以捉摸。Gabriel da Silva 通过炔丙基自由基 (C 3 H 3 ) 与乙炔 (C 2 H 2 ) 的反应从头算研究了 C 5 H 5 势能面 (PES)。 44 将乙炔（C 2 H 2 ）加到炔丙基自由基（C 3 H 3 ）的末端，通过类似的势垒生成初始复合物 1-戊烯-4-炔基（HCCH 2 CCHCH ）和 1,3,4-戊三烯基（H 2 CCCHCHCH ），能量约为 59 kJ mol 1
静止状态功能连接性MRI的定量评估
1 伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国
在治疗性低能质子束中的微量测量法 -
摘要在这项工作中，我们显示了使用第二代3D圆柱形微型探测器的低能质子束对具有治疗质量质量的低能质子束的测量。传感器属于基于硅的新型3D微型探测器设计的改进版本，其在西班牙的国家微电子中心（IMB-CNM，CSIC）制造的电极刻在硅内部。使用直径25μm的准螺旋电极和硅体积内20μm的深度使用了一种新的微技术，从而产生了良好的圆柱辐射敏感性。在国家加速器中心（西班牙CNA）的回旋子的18 MeV质子梁线上测试了这些探测器。它们被组装成内部的低噪声读数电子设备，以治疗等效的功能率评估其性能。微量测量光谱，这与沿Bragg曲线的不同深度相对应。在硅中的实验y f值从远端边缘（27.4±2.3）的入口处（27.4±2.3）kevμm -1在远端边缘（27.4±2.3）的入口中（在（27.4±2.3）的入口中。脉冲高能光谱与蒙特卡洛模拟进行了交叉检查，并获得了出色的一致性。这项工作证明了第二代3D-微型估计器的能力，以与质子治疗中临床中心中使用的速率相同的流量速率评估准确的显微标准分布。
Ti-6al-4V晶格结构的电子束熔化
表2。晶格和相对密度的平均值。结构I II II III III尺寸[mm] 4 7 10 4 7 10 4 7 10 M Latt [G] 5.832 3.139 2.018 12.016 7.512 6.806 10.298 9.697 9.697 8.887 8.887 /S 24.615 V * [mm 3] 1319.532 710.180 456.661 2718.602 1699.622 1539.869 2329.839 2193.841 2010.583