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摘要在这项工作中，我们显示了使用第二代3D圆柱形微型探测器的低能质子束对具有治疗质量质量的低能质子束的测量。传感器属于基于硅的新型3D微型探测器设计的改进版本，其在西班牙的国家微电子中心（IMB-CNM，CSIC）制造的电极刻在硅内部。使用直径25μm的准螺旋电极和硅体积内20μm的深度使用了一种新的微技术，从而产生了良好的圆柱辐射敏感性。在国家加速器中心（西班牙CNA）的回旋子的18 MeV质子梁线上测试了这些探测器。它们被组装成内部的低噪声读数电子设备，以治疗等效的功能率评估其性能。微量测量光谱，这与沿Bragg曲线的不同深度相对应。在硅中的实验y f值从远端边缘（27.4±2.3）的入口处（27.4±2.3）kevμm -1在远端边缘（27.4±2.3）的入口中（在（27.4±2.3）的入口中。脉冲高能光谱与蒙特卡洛模拟进行了交叉检查，并获得了出色的一致性。这项工作证明了第二代3D-微型估计器的能力，以与质子治疗中临床中心中使用的速率相同的流量速率评估准确的显微标准分布。
在治疗性低能质子束中的微量测量法 -
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