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幻灯片——倒装芯片凸块电迁移可靠性的比较——铜柱、高铅、SnAg 和 SnPb 凸块
倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块） 倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块）
NanoStar® 和 NanoFree® 300µm 焊料凸点 WCSP 应用
3 印刷电路板组装 13 .......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.1 PCB 设计指南 13 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..............3.2 PCB 焊盘布局建议 14 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............3.3 焊膏模板设计 15 ...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.4 组件放置 15.。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.5 重排 16.。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
NanoStarŽ 和 NanoFreeŽ 300µm 焊料凸点 WCSP 应用
3 印刷电路板组装 13 .......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.1 PCB 设计指南 13 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..............3.2 PCB 焊盘布局建议 14 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............3.3 焊膏模板设计 15 ...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.4 元件放置 15 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.5 回流焊 16 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
细间距微铟凸块互连倒装芯片键合
铟凸点阵列在量子计算中的应用越来越广泛，因为其对共面性和键合线厚度控制以及高质量电气互连的要求非常严格，红外焦平面阵列 (IR FPA) 显示出对更高分辨率的持续追求，这意味着更小的凸点、更高的密度和更大的表面积，最后，消费市场对 µLED 或 Micro LED 的需求越来越大，这意味着细间距铟互连需要更高的吞吐量。
铟互连和凸块下金属化的热机械可靠性和电气性能
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凸块尺寸对倒装芯片焊点电流密度和温度分布的影响
采用三维热电分析模拟了共晶SnAg焊料凸点在收缩凸点尺寸时的电流密度和温度分布。研究发现，对于较小的焊点，焊料中的电流拥挤效应显著降低。减少焊料时，热点温度和热梯度增大。由于焦耳热效应，凸点高度为144.7 lm的焊点最高温度为103.15℃，仅比基板温度高3.15℃。然而，当凸点高度降低到28.9 lm时，焊料中的最高温度升高到181.26℃。焊点收缩时会出现严重的焦耳热效应。较小焊点中焦耳热效应较强可能归因于两个原因，首先是Al走线的电阻增加，它是主要的热源。其次，较小凸块中的平均电流密度和局部电流密度增加，导致较小焊料凸块的温度升高。2009 年由 Elsevier Ltd. 出版。
锂和电动汽车市场更新：较慢的销售增长只是道路上的一个障碍
脚注1。Rho运动。（2023年，9月）。EV和电池季度前景：Q32023。2。基准矿物情报。（2023年5月25日）。超越电池：能量过渡中的稀土。3。基准矿物情报。（n.d。）。锂价格指数。2023年12月1日访问。4。Rho运动。（2023年，9月）。EV和电池季度前景：Q32023。5。Rho运动。（2023年3月）。EV和电池季度前景：Q12023。6。Rho运动。（2023年，9月）。EV和电池季度前景：Q32023。7。中国汽车制造商协会。（n.d。）。新能源车的销售。2023年12月1日访问。8。同上。9。Cox汽车。 （2023年10月12日）。 另一个季度，另一个记录：美国电动汽车在第三季度超过300,000，特斯拉在电动汽车领域的份额跌至50％。 10。 同上。 11。 Edmunds。 （2023年10月3日）。Cox汽车。（2023年10月12日）。另一个季度，另一个记录：美国电动汽车在第三季度超过300,000，特斯拉在电动汽车领域的份额跌至50％。10。同上。11。Edmunds。（2023年10月3日）。
使用Versatile Fine Pitchμ-pump Technology Mokoto Motoyoshi 1，Junichi Takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo AR
使用多功能的精细pitchμ-thecky Makoto Motoyoshi 1，Junichi takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo Arai 3和Mitsumasa koyanagi 2 1 1 1 1 1 1 tohoku-Microtec Co.，ltd。（T-Micro）（T-Micro）＃203333， Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan E-mail: motoyoshi@t-microtec.com 2 Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center 6-6 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan 3 KEK, High Energy Accelerator Research Organization Institute of Particle and Nuclear Studies 1-1 Oho, Tsukuba，Ibaraki 305-0801，日本摘要 - 本文介绍了2.5μmx2.5μm的3D堆叠技术（indium）凸起连接，并带有粘合剂注射[1]。不是使用简单的测试设备，而是使用实际电路级测试芯片验证了该技术。发现，堆叠过程的完成会受到堆叠的每个层的布局模式的影响。为了最大程度地减少这些效果，我们优化了布局，过程参数和设备结构。
了解 ACF 键合中的接触电阻
大于 0.1 m，无论是平面化还是未平面化的测试 µ 芯片。凸块侧壁略微倾斜，因此凸块的平面化会略微增加凸块面积，见表 2。平面化工艺似乎还会使软金凸块略微变脏，见图 4。平面化凸块的凸块面积比未平面化凸块大 5% 到 15%。