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l-sort：用于实时多渠道尖峰与本地化的高效硬件
摘要 - Spike分选对于从神经信号中提取神经元信息并了解脑功能至关重要。随着高密度微电极阵列（HDMEAS）的出现，多通道尖峰分类的挑战和机遇已经加剧。实时尖峰排序特别对于闭环大脑计算机界面（BCI）介绍至关重要，要求有效的硬件实现。本文介绍了L-Sort，这是一种用于实时多通道尖峰排序的硬件设计。利用尖峰定位技术，L-SORT可实现有效的尖峰检测和聚类，而无需在检测过程中存储原始信号。通过合并中值阈值和几何特征，L-SORT在准确性和硬件效率方面展示了有希望的结果。我们使用使用高密度神经探针（Neuropixel）记录的公开数据集评估了设计的检测和聚类精度。我们在FPGA上实施了设计，并将结果与最先进的状态进行了比较。结果表明，与其他基于FPGA的Spike分类硬件相比，我们的设计消耗了更少的硬件资源。索引术语 - Spike Anting，Spike Netization，Hardware
测试密码实现对未来微体系结构的侧道通道安全
未来的微体系结构将如何影响存在加密实现的安全性？由于我们无法继续减少晶体管的大小，因此芯片供应商已经开始开发新的微体系式优化以加快计算的速度。一项重新研究（Sanchez Vicarte等，ISCA 2021）表明，这些优化可能打开Pandora的微体系攻击盒。但是，关于如何评估未来优化建议的安全影响，几乎没有指导。为了帮助ChIP供应商探索微构造优化对加密实现的影响，我们开发了（i）一种称为LMSPEC的表达性域特异性语言，该语言允许他们为给定优化指定泄漏模型，并在（II）在指定的泄漏模型中自动漏洞泄漏模型，以自动检测泄漏模型。使用此框架，我们对五个流行文库中的八个加密原始图的25个实施的25种实施对18个提议的微体系优化进行了实证研究。我们发现，如果这些优化为
案例研究Pinflow使用多通道Megaeis System
„由Kolibrik开发的Megaeis系统是氧化还原电池电化学分析的真正革命。它使我们能够同时测量所有单个单元，从而使我们精确地概述了在充电，放电期间甚至在零电流下每个单元的情况。此功能对于我们的实验室规模研究始终至关重要，但是现在与Kolibrik.net合作，我们拥有允许对大型系统进行复杂测试的工具，包括电池堆栈中的每个单个单元，”JiriVrána，联合创始人与管理，电池集成和销售。
e ects在液滴地层时形状...
摘要。纳米技术的进步使生产最少的工具和设备成为可能，可用于控制微量的UID。目前，在各种ELDS的科学家的关注中心，此类系统被称为微管系统。此外，能够精确控制粒子形式和大小的纳米颗粒的能力至关重要。这项研究的主要目的是查看以喷嘴的微通道是否可以用于通过COMSOL Multiphysics 5.4软件培养基合成多碳酸酯（PCL）聚合物纳米粒子。在这项研究中，液滴离开喷嘴并进入主通道后的速度和静态压力，以及液滴的大小，形状，分布和重量。据透露，该通道的设计使液滴能够保持其稳定的结构。最后，结果表明，在0.00305秒的时间步长之后，液滴在大小和重量分布方面具有双重功能。形成了最大滴饱和质量，并且在0.01秒后，液滴直径大小显示出平稳状态。
德勤 2023 年节日全渠道竞争格局研究
德勤是指德勤有限公司（一家英国私人担保有限公司，简称“DTTL”）、其成员所网络及其相关实体中的一个或多个。DTTL 及其每个成员所都是法律上独立的实体。DTTL（也称为“德勤全球”）不向客户提供服务。在美国，德勤是指 DTTL 的一个或多个美国成员所、其在美国使用“德勤”名称运营的相关实体及其各自的附属公司。根据公共会计的规则和规定，某些服务可能无法提供给鉴证客户。请访问 www.deloitte.com/about 了解有关我们全球成员所网络的更多信息。
NSI8608 用于数字输入模块的多通道隔离数字输入接收器
产品概述 NSI8608 是完全集成的隔离数字输入接收器，具有 IEC 61131-2 1、2 和 3 类特性。该设备接收 24 V 至 60 V 数字输入信号并提供隔离数字输出。无电源的现场侧输入通过集成整流桥支持吸电流和源电流输入。该设备集成了限流功能，可有效降低解决方案的整体温度。电压转换阈值符合 1、2 和 3 类标准，可使用外部电阻进一步提高。NSI8608 使用“自适应 OOK”调制技术将数字数据传输到基于二氧化硅的隔离屏障上。发射器发送高频载波穿过屏障以表示一种数字状态，不发送信号以表示另一种数字状态。接收器在高级信号调节后解调信号并通过缓冲级产生输出。主要特点
30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
100V、274A、3.2mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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