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ii 32175913 S，P块元素，物质和化学动力学状态的化学32175915溶液，相平衡，电导，电导，电化学和功能组有机化学II II 32175913多核碳氢化合物和UV，IR光谱计算机科学II 32345202数据库管理系统
选择性生长的 Bi2Te3 纳米带的拓扑表面态中的量子传输
拓扑绝缘体的准一维纳米线是基于马约拉纳费米子的量子计算方案的超导混合架构的候选结构。本文研究了低温下选择性生长的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带。纳米带定义在硅 (111) 衬底上深蚀刻的 Si 3 N 4 /SiO 2 纳米沟槽中，然后通过分子束外延进行选择性区域生长过程。选择性区域生长有利于提高器件质量，因为不需要进行后续制造来塑造纳米带。在这些无意 n 掺杂的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带的扩散传输区域中，通过分析角度相关的通用电导波动谱来识别电子轨迹。当样品从垂直磁场方向倾斜到平行磁场方向时，这些高频电导调制与低频 Aharonov-Bohm 型振荡合并，后者源自沿纳米带周边的拓扑保护表面状态。对于 500 nm 宽的霍尔棒，在垂直磁场方向上可识别出低频 Shubnikov-de Haas 振荡。这揭示了一个拓扑、高迁移率、2D 传输通道，部分与材料本体分离。
学习目标：课程内容
ISBN：9788120351424。 实际作业清单：1。 在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。 4。 设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。 （a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN：9788120351424。实际作业清单：1。在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。4。设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。（a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
基于La2nio4+δ的模拟熟悉设备为...
神经形态计算最近已成为传统的von Neumann计算机范式的潜在替代方法，该范式由于其建筑瓶颈而固有地受到限制。因此，需要新的人工组件和用于脑启发的计算硬件实现的架构。双极模拟熟悉设备，其电阻（或电导）可以连续调节（作为突触重量），是人工突触应用的潜在候选者。在这项工作中，混合离子电子导电氧化物（La 2 NiO 4+δ，L2NO4）与TIN和PT电极结合使用。TIN/L2NO4/PT设备显示双极电阻开关，以及用于集合和复位过程的逐渐过渡。电阻（电导）可以通过脉冲幅度和持续时间逐渐调节，显示出良好的数据保留特征。通过实验测量电阻变化和总应用脉冲持续时间之间的线性关系。此外，突触抑郁和增强特征是生物共生的重要功能之一，是为这些设备人为复制的，然后在尖峰神经网络环境中进行了建模并成功测试。这些结果表明使用TIN/L2NO4/PT回忆设备作为神经形态计算中的长期人造突触的适用性。
囊性纤维化：DNA病例研究
患有囊性纤维化的人在称为CFTR（囊性纤维化跨膜电导调节剂）的7号染色体上继承了一个缺陷的基因。该基因产生的蛋白质通常有助于盐（氯化钠）进出细胞。如果蛋白质无法正常工作，则该运动被阻塞，并且在细胞的外部产生异常厚的粘性粘液。最严重影响的细胞是肺部细胞。这种粘液堵塞肺部的气道，并增加了细菌感染的风险。
线粒体通透性过渡决定了造血前体的细胞身份转换时线粒体成熟
线粒体通透性过渡孔（MPTP）是一个超分子通道，可调节跨cristae膜的溶质交换，在线粒体功能和细胞死亡中具有执行作用。MPTP对正常生理学的贡献仍然存在争议，尽管证据表明在区分祖细胞中的线粒体内膜重塑中MPTP。在这里，我们证明对MPTP电导的严格控制形成了代谢机制，因为细胞向造血身份转移。经历了内皮到山摩托型过渡（EHT）的细胞紧密控制MPTP的主要调节元件。在EHT期间，在造血性承诺之前，成熟的动脉内皮限制了MPTP活性。在细胞身份过渡后，MPTP电导恢复。在用NIM811治疗的子宫治疗中，NIM811是一种分子，该分子阻止了MPTP对通过环蛋白D（CYPD）开放的敏化，在造血前胞菌中扩增氧化磷酸化（OXPHOS），并增加了Embryo中造血性的造血性。此外，分化多能干细胞（PSC）在CYPD基因敲低PPIF后，更大的线粒体Cristae和造血活性的组织更大。相反，OPA1的敲低是适当的Cristae结构至关重要的GTPase，会诱发Cristae不规则性并损害造血。这些数据阐明了一种调节造血前体中线粒体成熟的机制，并强调了MPTP在获得造血命运中的作用。
四齿席夫碱 Ni(II)，Pd(II) 和 Pt(...
摘要 . 首先将水杨醛与乙二胺以 1:2 的摩尔比缩合制备偶氮席夫碱配体 (L1)，然后将制备的亚胺化合物 (S1) 与 2,5-二氯苯胺反应，合成了一种新的 Ni(II)、Pd(II) 和 Pt(II) 配合物，并用于制备含有金属离子 Ni(II)、Pd(II) 和 Pt(II) 的配合物。利用紫外可见光、红外和核磁共振、摩尔电导、元素分析和质谱研究了合成化合物的结构特征。元素分析结果表明 [M:L] 化学计量为 1:1。根据摩尔电导研究，制备的所有最终产品都不具有电解性质。根据光谱研究，Ni(II)、Pd(II) 和 Pt(II) 的配合物可能具有方平面几何形状。然后评估了 Pd(II)、Ni(II) 和 Pt(II) 配合物对不同类型的革兰氏阴性菌 [ 大肠杆菌 ( ATCC 25922 )] 和阳性菌 [ 金黄色葡萄球菌 ( ATCC 25923 )] 的抗菌活性，结果显示对这些细菌具有良好的显著性。通过研究的 PC3 细胞系对正常细胞 WRL-68 来检查钯配合物对前列腺恶性细胞的细胞毒性作用。将使用 MOE 软件研究这些配合物的目标微生物的分子对接。
量化示例 - 符号 - 及以下 - ...
第一部分。对实验结果的讨论。前面论文中描述的结果表明，膜的电行为可以由图中所示的网络表示。1。电流可以通过为膜容量充电或通过与容量并联的电阻通过电阻来通过膜传递。离子电流分为由钠和钾离子（INA和IK）携带的成分，以及由氯化物和其他离子组成的小“泄漏电流”（I，I）。离子电流的每个组件都由驱动力确定，该驱动力可以方便地测量为电势差和具有电导尺寸的渗透系数。因此，钠电流（INA）等于钠电导率（9NA）乘以膜电位（E）和钠离子（ENA）平衡电位之间的差异。类似的方程式适用于'K和I，并在p上收集。 505。我们的实验表明GNA和9E是时间和膜电位的函数，但是ENA，EK，EL，CM和G可以将其视为恒定。可以通过说明：首先，将膜电位对渗透率的影响汇总会导致钠电导率的瞬时增加，并且降低但保持较慢但保持钾的增加速度的增加；其次，这些变化是分级的，并且可以通过重现膜来逆转。为了确定这些影响是否足以说明复杂现象，例如动作潜力和难治时期，有必要获得有关
已发布版本的引文 (APA)：Korving, H., Zhou, D., Xiang, H., Sterkenburg, P., Markopoulos, P., & Barakova, E. (2022)。开发一种使用袜子中的皮肤电导传感器进行疼痛监测的人工智能系统。国际神经系统杂志，32(10)，文章 2250047。https://doi.org/10.1142/S0129065722500472
许多研究都集中于生理性疼痛检测方法，这些方法的可靠性和技术成熟度各不相同。1–3 一些方法，例如磁共振成像或心率变异性，在生理性疼痛检测方面显示出巨大的前景，但测量方式可能被视为侵入性，并会严重限制患者的活动自由。因此，需要一个系统通过生理、非侵入性和移动方法来检测疼痛并向护理人员显示结果。要开发的移动应用程序是系统的一部分，该系统由带有织物传感器的智能袜子组成，用于测量皮肤电导率，Shimmer TM 单元通过蓝牙®将这些信号传输到智能手机或平板电脑，以及 ML 模块来确定疼痛程度（图1）。4–6 该系统是非侵入式的：袜子中的织物传感器不会像粘贴式传感器那样刺激皮肤，并且每天穿着袜子时，无需引入额外的材料，例如手腕或头带。此外，Shimmer 装置可以戴在脚踝上、裤子上或裤子下，但也可以放在轮椅的横档上，或者在客户躺下时放在袜子旁边。系统的其余部分是移动和无线的，无声的，并且对生理变化做出快速反应。该应用程序是根据开发电子健康应用程序的建议开发的，强调了在多学科团队中工作和让目标用户参与的重要性
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。