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将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
大分子X射线晶体学和蛋白质结构...
新月形免疫学研究所（Bric-NII）提出了一个小型研讨会和“大分子X射线晶体学和蛋白质结构预测”的研讨会。加入我们，参加一个沉浸式的为期3天的活动，其中包括该领域的主要专家的演讲，并进行了一个探索大分子X射线晶体学和结构预测的理论和实践方面的研讨会。
的起源和拓扑极化缺陷的起源和谐振光子晶体衍射
摘要：我们提出了拓扑电荷的持续定义，以描绘光子晶体板中任何谐振衍射阶的极化缺陷，无论它们是辐射的或evane的。通过使用这种广义定义，我们研究了整个布里鲁因区域的极化缺陷的起源和保护。我们发现，由于布里鲁因区域折叠而引起的模式横梁有助于整个布里渊区的极化缺陷的出现。这些极化缺陷的事件始终源自在布里鲁因区中心或边缘固定的线变性的自发对称性断裂，或者是由意外的Bloch带交叉点引起的频段耦合。与Bloch陈述不同，两极分化缺陷在不绑定的动量空间中生存和进化，从而遵守了局部保护定律，这是Stokes定理的直接结果，但总电荷数量无数。
的起源和拓扑极化缺陷的起源和谐振光子晶体衍射
摘要：我们提出了拓扑电荷的持续定义，以描绘光子晶体板中任何谐振衍射阶的极化缺陷，无论它们是辐射的或evane的。通过使用这种广义定义，我们研究了整个布里鲁因区域的极化缺陷的起源和保护。我们发现，由于布里鲁因区域折叠而引起的模式横梁有助于整个布里渊区的极化缺陷的出现。这些极化缺陷的事件始终源自在布里鲁因区中心或边缘固定的线变性的自发对称性断裂，或者是由意外的Bloch带交叉点引起的频段耦合。与Bloch陈述不同，两极分化缺陷在不绑定的动量空间中生存和进化，从而遵守了局部保护定律，这是Stokes定理的直接结果，但总电荷数量无数。
人工智能与就业：水晶球里的展望
本研究提供了人工智能对欧洲地区就业影响的证据，填补了人工智能对欧洲就业影响新兴文献中的众多空白之一。基于 Felten 等人（2018、2019、2021）提出的基于职业的人工智能暴露指标，这些指标与 Albanesi 等人（2023）提出的欧洲职业分类 (ISCO) 相映射，我们分析了 2011 年至 2018 年之间的区域就业动态。在控制了广泛的供需因素后，我们的研究结果表明，平均而言，人工智能暴露对区域就业产生了积极影响。换句话说，在其他条件相同且潜在内生性问题得到缓解的情况下，以人工智能暴露职业占比相对较大的欧洲地区在 2011-2018 年期间表现出更为有利的就业趋势。我们还发现机器人密度对人工智能就业关系具有调节作用的证据，但缺乏因果基础。
水杨酸与非配位吡拉西坦 Cu(II)配合物共晶的合成、结构、Hirshfeld 表面分析及分子对接研究
1. 引言共晶是由活性药物成分 (API) 和共晶形成剂 (或构象异构体) 形成的，作为固体药物形成的有前途的替代方案，正在引起制药界越来越多的关注。迄今为止，科学家已经合成了各种类型的不常见共晶，其中含有金属配合物作为晶体形成剂和 API [1–3]。与单组分晶体相比，这些共晶增强了各种药学相关特性，包括提高了溶解度、溶解速率、水合稳定性、荧光性能和生物利用度 [4]。API 和共晶形成剂之间的相互作用通过非离子和非共价的分子间相互作用发生，例如范德华力和氢键。因此，未使用的氢键供体和受体位点的存在对于共晶的形成至关重要 [5,6]。
通过X射线光子相关光谱探测纤维素纳米晶体的自组装动力学
假设：电荷稳定的胶体纤维素纳米晶体（CNC）可以通过改变体积分数来自组合成高阶的手性列结构。组装过程在各向同性至液晶相变的过程中表现出不同的动力学，可以使用X射线光子相关光谱（XPC）阐明该过程。实验::阴离子CNC分散在丙二醇（PG）中，并且水跨越了一系列体积分数，其中包括多个相变。加上传统特征技术，进行了XPC，以监视不同阶段的动态演化。此外，使用胶体棒获得了模拟的XPCS结果，并将其与实验数据进行了比较，从而提供了对系统动态行为的更多见解。发现::结果表明，在PG的自组装过程中，CNC的粒子动力学在三个阶段经历了阶梯衰变，与观察到的相一致。相变与布朗的总扩散率的总降低相关，降低了四个数量级，在理想的排斥性布朗杆系统中，降低了一千倍以上。鉴于分散在PG和水中的CNC中相似性的相似性，我们假设这些动态行为可以推断到其他
超薄非晶 NbP 半金属中的表面导电和降低的电阻率
众所周知，由于电子表面散射，传统金属（如铜）的电阻率在薄膜中会增加，从而限制了金属在纳米级电子器件中的性能。在这里，我们发现在相对较低的 400°C 温度下沉积的磷化铌 (NbP) 半金属中，随着薄膜厚度的降低，电阻率会异常降低。在厚度小于 5 纳米的薄膜中，室温电阻率（1.5 纳米厚的 NbP 约为 34 微欧姆厘米）比我们的块体 NbP 薄膜的电阻率低六倍，并且低于类似厚度的传统金属（通常约为 100 微欧姆厘米）。NbP 薄膜不是晶体，而是在非晶态基质内表现出局部纳米晶体、短程有序。我们的分析表明，较低的有效电阻率是由通过表面通道的传导以及薄膜厚度减小时的高表面载流子密度和足够好的迁移率引起的。这些结果和在此获得的基本见解可以实现超越传统金属限制的超薄、低电阻率纳米电子线。
在卤化物钙钛矿纳米晶体超晶格
摘要：由于各个单元之间的相互作用，可以从有序的发射器集合中出现集体光学性质。卤化物钙钛矿纳米晶体的超晶格表现出集体光发射，受偶极子 - 同时激发的纳米晶体之间的偶极子相互作用。与未偶联的纳米晶体的发射相比，这种耦合改变了发射能和速率。我们证明了量子限制如何控制合奏中纳米晶体之间耦合的性质。通过控制纳米晶体的大小或对BOHR半径的组成控制来改变限制的程度。在由弱受限制的纳米晶体制成的超晶格中，集体发射以更快的发射速率进行红移，显示了超荧光的关键特征。相比之下，更强的量子限制纳米晶体的集体发射以较慢的发射速率进行蓝色。两种类型的集体发射都表现出相关的多光子发射爆发，显示出不同的光子束发射统计。量子限制改变了纳米晶体内过渡偶极子的首选比对，并切换邻居之间的相对偶极子方向，从而产生了相反的集体光学行为。我们的结果将这些集体效应扩展到相对较高的温度，并更好地了解固态处的激子相互作用和集体排放现象。关键字：纳米晶体，铅卤化物钙钛矿，超晶格，纳米晶体耦合，超荧光，量子限制T
体外转录的机械模型，结合了焦磷酸镁结晶的作用
图5代表延长的绿色荧光蛋白（EGFP），SARS -2 COV -2 SPIKE蛋白受体结合结构域（RBD）和CAS9模型验证的各种组合：IVT长度的多个DNA序列的IVT产量（Rosa等，2022）。关于模型预测的阴影区域是95％的预测间隔（SI第4节）。数据点上的误差线是根据Rosa等人的整个数据集估计的标准偏差的95％置信区间。（2022）。ivt，体外转录。Rosa等人使用的 DNA序列。 是延长的绿色荧光蛋白（EGFP），SARS -CV -2尖峰蛋白受体结合结构域（RBD）和Cas9基因的组合。DNA序列。是延长的绿色荧光蛋白（EGFP），SARS -CV -2尖峰蛋白受体结合结构域（RBD）和Cas9基因的组合。