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专用于超低功耗应用的无电感多模 RF-CMOS 低噪声放大器
摘要 本文介绍并分析了一种专用于 2.4 GHz 无线传感器网络 (WSN) 应用的多模式低噪声放大器 (LNA) 的设计。所提出的无电感器 LNA 采用 28 nm FDSOI CMOS 技术实现，基于共栅极配置，其中嵌入共源级以提高电路的整体跨导。该 LNA 经过专门设计和优化，可解决三种操作模式。重新配置是通过电流调谐以及切换放大晶体管的背栅极来完成的。所提出的实现方式可使品质因数 (FOM) 在不同操作模式下保持恒定。在低功耗模式下，LNA 仅消耗 350 uW。它实现了 16.8 dB 的电压增益 (G v ) 和 6.6 dB 的噪声系数 (NF)。在中等性能模式下，增益和噪声系数分别提高到 19.4 dB 和 5.4 dB，功耗为 0.9 mW。在高性能模式下，增益最大，为 22.9 dB，噪声系数最小，为 3.6 dB，功耗为 2 mW。输入参考三阶截点 (IIP3) 所表示的线性度恒定，接近 -16 dBm。报道的 LNA 仅占用 0.0015 mm 2 。
APN228TAB 27-31 GHz GaN 功率放大器
参数 最小值典型值最大值 单位 工作频率 27 31 GHz 28V 小信号 小信号线性增益 18.5 20 dB 输入回波损耗 -35 -20 dB 输出回波损耗 -26 -16 dB 28V 晶圆上脉冲功率 Psat（27 dBm 时） 42 dBm 功率增益（27 dBm 时） 19.1 19.6 20.1 dB P1db 41.20 42 42.5 dBm PAE（27 dBm 时） 30.5 32.5 34 % 最大 PAE 31 32.9 33.8 % 24V、25⁰C 固定 CW 外壳温度 Psat（28 dBm 时） 38.1 39 39.6 dBm 功率增益（28 dBm 时） 15.3 16.9 17.8 dB PAE（28 dBm 时） 19.1 22 24.7 % 最大 PAE 24 28.4 % 漏极电压 28 V 第 1 阶段栅极电压 -3.925 V 第 2 阶段栅极电压 -3.925 V 第 1 阶段 Idq 240 mA 第 2 阶段 Idq 960 mA
由立法研究分析师 Rebecca C. Power 编写 养老金计划设计：确定福利、确定缴费和混合计划简介
• 固定收益 (DB) 计划是雇主赞助的退休计划，在退休时提供特定的每月福利。员工的工资和服务年限决定了退休福利。 • DB 计划资金通常包括雇主缴款、员工缴款和投资收益的组合。精算估值结果决定缴费率的建议。 • 公共养老金资产被放入集合信托基金，并由州一级的专业人员管理。集合信托基金资产用于投资以预先支付养老金福利的成本，从而提供规模经济，降低费用并增加回报。退休人员每月收到固定的分期付款，而不是一次性付款，并且福利在他们余生中得到保证。 • 投资表现不会影响 DB 计划福利的价值，但可能会影响或限制生活成本调整。 • 典型的 DB 计划将一些责任和风险放在雇主和雇员身上。 • DB 计划是公共部门最普遍的计划设计。 固定缴款计划
CMOS系列单极单孔发射/接收开关和基于物联网的射频标识 div>的低噪声放大器设计
摘要：当前射频标识（RFID）标准之间的不相容性导致需要通用和无线保真度（Wi-Fi）兼容物联网应用程序（IoT）应用程序的RFID。这样的通用RFID需要单极双掷开关（SPDT）开关和低噪声放大器（LNA）才能通过天线指导和扩增接收到的原始信号。SPDT患有低隔离，高插入损失和低功率处理能力，而LNA遭受较小的增益，笨重的模具面积，质量较小（Q）因子，有限的调整灵活性等。由于当前一代设备中的被动电感器使用情况。在这项研究中，提出了基于互补的金属氧化物半导体（CMOS）的无电感SPDT和LNA设计。SPDT采用了一系列拓扑以及平行的共振电路和电阻体漂浮，以实现改进的插入损失和隔离性能，而LNA设计则以Gyrator概念实现，其中频率选择性储罐电路与伴随的活跃电感器形成了伴随的频率，并由伴随的激活电感器形成。使用90 nm CMOS的cmos cmos过程的表明，我们的SPDT设计完成了0.83 dB的插入损失，45.3 dB的隔离和11.3 dBM的动力处理能力，而LNA则达到33 dB的频率为33 db，bandf of 30 mhz和30 mhzz和db nf的频率。 SPDT和LNA的布局非常紧凑，分别为0.003 mm 2和127.7μm2。 这样的SPDT和LNA设计将增强与Wi-Fi兼容的IoT RFID技术的广泛改编。表明，我们的SPDT设计完成了0.83 dB的插入损失，45.3 dB的隔离和11.3 dBM的动力处理能力，而LNA则达到33 dB的频率为33 db，bandf of 30 mhz和30 mhzz和db nf的频率。SPDT和LNA的布局非常紧凑，分别为0.003 mm 2和127.7μm2。这样的SPDT和LNA设计将增强与Wi-Fi兼容的IoT RFID技术的广泛改编。
飞机噪音和健康影响 - 每六个月更新一次
2.4 烦恼分数的值取决于直线与线性函数图 (X dBA) 上零点的交点。不同飞机噪音调查中 X 的值可能相差 ± 10 dB 或更多。这可以归因于非声学因素的影响。Miedema 和 Vos (1998) 根据 20 个不同的调查绘制了飞机噪音的剂量反应曲线。这些调查的零交叉平均值为 X = 33.4 dB，这表明任何暴露于高于此水平的噪音的人在理论上都可能被视为烦恼。然而，作者解释说，将所有这些都包括在总烦恼量中是不切实际的，因为飞机噪音必须足够大才能在一般背景噪音之上被听到。他们建议包括 40 dB 或 45 dB L dn 轮廓内的区域。
调频发射机/接收机测试方法
显示 R 1 = 75Ω R a = 50Ω 的情况。 R 2・R 3：耦合电路的电阻 E：SG 输出电压 dBμ V 测试设备的输入信号电平：E-6 [dBμ V]
氮化硅芯片上的近简并正交压缩真空产生
压缩态是连续变量 (CV) 量子信息处理的主要资源。为了以可扩展且稳健的方式实现 CV 协议，最好使用集成光子学平台生成和操纵压缩态。在本信中，我们展示了使用具有双泵四波混频过程的小型氮化硅微谐振器在射频载波边带中生成正交相位压缩态。我们记录的压缩噪声水平比光电流散粒噪声低 1.34 dB（0.16 dB），这相当于芯片上 3.09 dB（0.49 dB）的正交压缩。我们还表明，考虑泵浦场的非线性行为对于正确预测此系统中可以产生的压缩至关重要。这项技术代表着朝着创建和操纵可用于量子信息应用（包括通用量子计算）的大规模 CV 簇状态迈出了重要一步。
GaAs MMIC 超低噪声.pdf
摘要 采用 70 nm GaAs mHEMT OMMIC 工艺 (D007IH) 设计了四级 K 波段 MMIC 低噪声放大器 (LNA)。基于 Momentum EM 模拟结果，四级 LNA 实现了 29.5 dB ±1 dB 的增益、低至 1 dB 的噪声系数 (NF) 和整个波段优于 -10 dB 的输入回波损耗。LNA 芯片尺寸为 2500 µm x1750 µm。由于选择源阻抗以最小化实现输入匹配网络所需的元件数量，因此设计工作流程可以改善 LNA 的 NF 和输入回波损耗。所提出的电路的输入匹配网络由与有源器件的栅极串联的单个锥形八角形电感器组成，从而对第一级实现的 NF 影响很小，并显著改善 LNA 的输入回波损耗。
循环流化床高功率放大实验...
摘要 — 循环平面正交场放大器 (RPCFA) 由密歇根大学设计、制造和测试。RPCFA 由多个射频源驱动，频率范围为 2.40 至 3.05 GHz，功率为 1 至 800 kW。脉冲电压由带陶瓷绝缘体的密歇根电子长束加速器 (MELBA-C) 输送到阴极，该加速器配置为提供 −300 kV、1-10 kA 的脉冲，脉冲长度为 0.3-1.0- μs。RPCFA 表现出零驱动稳定性和 15% 的带宽。在设计频率为 3 GHz、功率低于 150 kW 的情况下，微波信号的放大率观察到平均增益为 7.87 dB，变化性较高，σ = 2.74 dB。过滤该数据集以仅包含具有相同电压和电流分布的镜头，可获得 6.6 ± 1.6 dB 的增益。当注入的微波功率超过 150 kW 时，平均增益增加到 8.71 dB，变化性降低到 σ = 0.63 dB。峰值输出功率接近 6 MW，RF 击穿限制了设备的最大输出功率。